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NVTFS5824NLWFTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),57W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 16nC@ 10 V 1个N沟道 60V 20.5mΩ@ 10A,10V 850pF@25V DFN 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
供应商型号: FL-NVTFS5824NLWFTAG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS5824NLWFTAG

NVTFS5824NLWFTAG概述

    NVTFS5824NL:一款高效能小尺寸功率MOSFET

    1. 产品简介


    NVTFS5824NL是来自Semiconductor Components Industries, LLC(ON Semiconductor)的一款高效能小尺寸功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。此产品主要应用于各类电子设备,如电源管理系统、电机驱动、车载电子系统和通信基础设施等。其独特的设计使其在紧凑型电路设计和高效率转换方面具有显著优势。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏极至源极电压 (VDSS): 60 V
    - 门极至源极电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在 25°C 时为 37 A
    - 在 100°C 时为 26 A
    - 功率耗散 (PD):
    - 在 25°C 时为 57 W
    - 在 100°C 时为 28 W
    - 单脉冲漏极至源极雪崩能量 (EAS): 20 mJ
    - 工作结温和存储温度 (TJ, Tstg): -55°C 到 +175°C
    - 最大结至环境热阻 (RJA): 47°C/W
    - 最大结至壳体热阻 (RJC): 2.6°C/W
    - 电气特性
    - 泄漏电压 (V(BR)DSS): 60 V
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 10 V 下为 20.5 mΩ (典型)
    - 在 4.5 V 下为 27 mΩ (典型)
    - 零门极电压漏极电流 (IDSS):
    - 在 25°C 时为 1.0 μA
    - 在 125°C 时为 10 μA
    - 门极至源极漏电流 (IGSS): ±100 nA
    - 开启特性 (Note 5):
    - 开启门限电压 (VGS(TH)): 1.5 V 至 2.5 V
    - 电容特性:
    - 输入电容 (CISS): 850 pF
    - 输出电容 (COSS): 85 pF
    - 反向转移电容 (CRSS): 50 pF

    3. 产品特点和优势


    NVTFS5824NL在以下几个方面展现了其独特的优势:
    - 紧凑设计:采用 3.3mm x 3.3mm 封装,适合紧凑型电路设计。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):具有非常低的导通电阻,有助于降低导通损耗,提高整体效率。
    - 低电容特性:具备较低的电容,有助于减少驱动损耗。
    - 湿气可焊边 (Wettable Flanks):符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力,特别适用于汽车电子系统。
    - 无铅和 RoHS 合规:确保环保要求,满足全球合规标准。

    4. 应用案例和使用建议


    NVTFS5824NL非常适合用于高压和高频开关应用,例如电源管理、电池充电器和马达控制等领域。使用建议包括:
    - 在设计时需考虑热管理,尤其是在高负载条件下要确保良好的散热。
    - 建议在使用过程中严格遵循数据手册中的建议操作条件,以避免因过压或过流导致的损坏。
    - 通过采用有效的门极电阻可以进一步优化开关速度和效率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NVTFS5824NL 支持标准焊接过程,与同类产品和系统兼容。
    - 支持服务:ON Semiconductor 提供全面的技术支持,包括详细的使用指南、在线文档和客户支持热线,以帮助用户解决问题并确保最佳性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 如何判断NVTFS5824NL是否已经损坏?
    - 解决方案: 使用万用表测量其门极和源极之间的电阻。如果电阻异常大,可能表示MOSFET已损坏。

    - 问题: 如何避免高温损坏?
    - 解决方案: 确保良好的散热机制,如加装散热片或采用强制风冷等方式。

    - 问题: 开关频率过高时,应如何选择合适的门极电阻?
    - 解决方案: 通过计算和实验确定最佳的门极电阻值,以平衡开关速度和效率。

    7. 总结和推荐


    NVTFS5824NL凭借其小尺寸、低导通电阻、低电容特性以及卓越的热稳定性,在各类高压和高频应用中表现出色。其坚固的设计和广泛的支持使得它成为各种电力转换系统的理想选择。强烈推荐此产品给寻求高效能和紧凑型解决方案的设计工程师。

NVTFS5824NLWFTAG参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 850pF@25V
最大功率耗散 3.2W(Ta),57W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 20.5mΩ@ 10A,10V
栅极电荷 16nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NVTFS5824NLWFTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS5824NLWFTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVTFS5824NLWFTAG NVTFS5824NLWFTAG数据手册

NVTFS5824NLWFTAG封装设计

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