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NTZD3156CT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 280mW 6V 1.49nC@ 4.5V @ P Channel,1.39nC@ 4.5V @ N Channel 1个N沟道,1个P沟道 20V 550mΩ,900mΩ 540mA 93pF@ 16V @ P Channel,72pF@ 16V @ N Channel SOT-563-6 贴片安装,黏合安装 1.6mm*1.2mm*550μm
供应商型号: NTZD3156CT1G
供应商: P&S
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTZD3156CT1G

NTZD3156CT1G概述

    NTZD3156C/D 小信号MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTZD3156C/D 是一种小型信号MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的沟槽技术制造,旨在提供低导通电阻(RDS(on))性能。这些器件是互补的N-和P-通道MOSFET,集成了上拉/下拉电阻和ESD保护。NTZD3156C/D 适用于负载/电源开关应用及便携式电子产品,如GPS、手机、数码相机(DSC)、个人多媒体播放器(PMP)和蓝牙配件。

    技术参数


    - 工作电压:
    - N-通道漏极至源极电压(VDSS):20 V
    - P-通道漏极至源极电压(VDSS):-20 V
    - 连续电流:
    - N-通道连续漏极电流:540 mA (TA = 25°C)
    - P-通道连续漏极电流:-430 mA (TA = 25°C)
    - 脉冲电流:
    - N-通道脉冲漏极电流:1500 mA (tp = 10 µs)
    - P-通道脉冲漏极电流:-750 mA (tp = 10 µs)
    - 功率耗散:
    - N-通道最大功率耗散:250 mW (TA = 25°C)
    - P-通道最大功率耗散:280 mW (t ≤ 5 s)
    - 门极电压:
    - 最大门极至源极电压(VGS):±6 V
    - 门极电阻:
    - 集成G-S电阻

    产品特点和优势


    - 领先的沟槽技术:提供低导通电阻,确保高效系统性能。
    - 低阈值电压:便于驱动,简化电路设计。
    - 集成G-S电阻:减少外部组件数量,提高电路可靠性。
    - ESD保护门极:提高器件的耐用性和可靠性。
    - 小封装尺寸:1.6 x 1.6 mm,适合紧凑设计需求。

    应用案例和使用建议


    - 负载/电源开关:适用于需要电平转换的应用,如在高压环境下控制低压负载。
    - 便携式电子产品:例如GPS、手机、DSC、PMP和蓝牙配件。在这些应用中,可以有效地实现电源管理,提升电池寿命。

    兼容性和支持


    - 兼容性:由于其小巧的外形和标准化引脚配置,这些MOSFET可以轻松与其他标准电子元件兼容。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,包括电话和技术资料,以帮助客户解决使用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:在高频率应用中出现不稳定现象。
    - 解决方案:确保所有连接稳固,降低外部噪声干扰,使用旁路电容器来稳定电源。
    - 问题2:在高电流条件下器件温度过高。
    - 解决方案:增加散热片,使用低热阻PCB布局设计,并确保散热路径畅通无阻。

    总结和推荐


    NTZD3156C/D是一款高性能的小型信号MOSFET,具备出色的电气特性和可靠性,适用于多种便携式和负载开关应用。其低导通电阻、小封装尺寸以及集成的G-S电阻和ESD保护,使其成为现代电子设计的理想选择。我们强烈推荐使用该产品,特别是对于对空间和效率有严格要求的应用场合。

NTZD3156CT1G参数

参数
最大功率耗散 280mW
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 93pF@ 16V @ P Channel,72pF@ 16V @ N Channel
Rds(On)-漏源导通电阻 550mΩ,900mΩ
配置
栅极电荷 1.49nC@ 4.5V @ P Channel,1.39nC@ 4.5V @ N Channel
Vds-漏源极击穿电压 20V
Vgs-栅源极电压 6V
通道数量 2
FET类型 1个N沟道,1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 540mA
长*宽*高 1.6mm*1.2mm*550μm
通用封装 SOT-563-6
安装方式 贴片安装,黏合安装
包装方式 卷带包装

NTZD3156CT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTZD3156CT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTZD3156CT1G NTZD3156CT1G数据手册

NTZD3156CT1G封装设计

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