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FDB3632

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=100 V, 12 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 1471032
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDB3632

FDB3632概述


    产品简介


    FDH3632, FDP3632, FDB3632 — N-Channel MOSFET Power Transistors
    产品类型:N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:这些MOSFET主要用于高电流和高频开关应用,具有低导通电阻和高电流承载能力。它们能够在各种功率管理应用中提供高效的电能转换。
    应用领域:
    - 同步整流
    - 蓄电池保护电路
    - 电机驱动和不间断电源
    - 微型太阳能逆变器

    技术参数


    | 参数 | 典型值 | 最大值 |
    | :: | :: | :: |
    | 漏源电压 (VDSS) | 100 V | 100 V |
    | 门源电压 (VGS) | ±20 V | ±20 V |
    | 连续漏电流 (ID) | 80 A | 80 A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 337 mJ | - |
    | 功率耗散 (PD) | 310 W | - |
    | 结温范围 (TJ, TSTG) | -55 至 +175°C | -55 至 +175°C |
    | 门源电容 (Ciss) | 6000 pF | - |
    | 门至漏极电荷 (Qg) | 84 nC | 110 nC |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻 (RDS(ON)):典型值为 7.5 mΩ(在 VGS = 10 V,ID = 80 A 条件下),这使得该MOSFET在高电流条件下能够提供较低的损耗。
    - 低栅极电荷 (Qg):总栅极电荷 (Qg) 仅为 84 nC(在 VGS = 10 V 条件下),有助于提高开关速度并降低功耗。
    - 低米勒电荷 (Miller Charge):减少了在开关过程中因米勒电容导致的能量损失。
    - 低反向恢复电荷 (Qrr):这降低了开关过程中的瞬态损耗,从而提高了效率。
    - 单脉冲和重复脉冲承受能力:具备优秀的抗雪崩能力,可以应对高压瞬态情况。
    - 无铅且符合RoHS标准:环保设计,满足现代工业要求。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 同步整流:这类MOSFET可以在同步整流应用中实现高效能的整流,尤其是在高频率下。
    - 电池保护电路:用于保护电池系统免受过载和短路的损害。
    - 电机驱动:作为电机驱动系统的主控元件,确保电机的高效运行。
    - 微太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,用于高效转换直流到交流电。
    使用建议:
    - 确保良好的散热管理,特别是在高电流应用中,避免温度过高导致的损坏。
    - 使用合适的门极驱动器,以确保快速准确的开关操作。
    - 在设计时考虑负载和电源电压的变化,以适应不同条件下的最佳性能。

    兼容性和支持


    这些MOSFET采用多种封装形式,包括TO-247、TO-220和D2PAK,确保与广泛的应用场景兼容。制造商ON Semiconductor提供了详细的安装指南和支持文档,帮助用户更好地理解和使用这些产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |
    | :: | :: |
    | 温度过高 | 选择合适的散热措施,如加装散热片或使用外部冷却风扇。 |
    | 开关损耗高 | 检查并优化门极驱动器的配置,减少栅极电荷损耗。 |
    | 雪崩击穿 | 使用合适的瞬态抑制器件或优化电路布局,以防止高电压冲击。 |

    总结和推荐


    FDH3632, FDP3632 和 FDB3632 是高性能N-Channel MOSFET,特别适合需要高效率、低损耗和良好开关特性的应用场合。这些器件以其出色的导通电阻、低栅极电荷和良好的热性能而著称。通过细致的设计和正确的安装方式,这些MOSFET能够显著提升系统性能,因此我们强烈推荐使用。

FDB3632参数

参数
最大功率耗散 310W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 80A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
栅极电荷 110nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Id-连续漏极电流 12A,80A
10.67mm(Max)
9.65mm(Max)
5.08mm(Max)
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

FDB3632厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDB3632数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDB3632 FDB3632数据手册

FDB3632封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 17.628
10+ ¥ 15.1872
100+ ¥ 14.916
500+ ¥ 14.6448
1000+ ¥ 14.6448
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