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FDS4410A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W 20V 3V 12nC@ 5V 1个N沟道 30V 20mΩ@ 4.5V,13.5mΩ@ 10V 10A 1.205nF@ 15V SOIC 支架安装,贴片安装 4.9mm(长度)*3.9mm(宽度)
供应商型号: UA-FDS4410A
供应商: 海外现货
标准整包数: 2500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDS4410A

FDS4410A概述

    FDS4410A 单N通道逻辑级PowerTrench® MOSFET

    1. 产品简介


    FDS4410A是一款单N通道逻辑级PowerTrench® MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这类器件广泛应用于低电压和电池供电设备中,对低导通损耗和高速开关有着严格的要求。这款产品特别适用于需要高功率和大电流处理的应用场景,例如电源管理、电机驱动和负载开关等领域。

    2. 技术参数


    - 电气特性:
    - 漏源电压 \( V{DSS} \): 30 V
    - 栅源电压 \( V{GSS} \): ±20 V
    - 漏极连续电流 \( ID \): 10 A(单次脉冲可达50 A)
    - 功率耗散 \( PD \): 2.5 W(当安装在1平方英寸的2盎司铜箔上时为50°C/W;最小引脚布局下为125°C/W)
    - 工作温度范围: -55°C至+150°C
    - 热阻 \( R{\theta JA} \): 50°C/W(在1平方英寸的2盎司铜箔上安装时为50°C/W;最小引脚布局下为125°C/W)
    - 热阻 \( R{\theta JC} \): 25°C/W
    - 开启电阻 \( R{DS(ON)} \):
    - \( V{GS} = 10 V \), \( ID = 10 A \) 时为13.5 mΩ
    - \( V{GS} = 4.5 V \), \( ID = 9 A \) 时为20 mΩ
    - 输入电容 \( C{iss} \): 1205 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 290 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 115 pF
    - 开关特性:
    - 导通延时时间 \( td(on) \): 9-19 ns
    - 开启上升时间 \( tr \): 5-10 ns
    - 关断延时时间 \( td(off) \): 28-44 ns
    - 关断下降时间 \( tf \): 9-19 ns
    - 总栅极电荷 \( Qg \): 12-16 nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 3.4 nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 4.0 nC

    3. 产品特点和优势


    - 极低的开启电阻:在 \( V{GS} = 10 V \) 下 \( R{DS(ON)} \) 仅为13.5 mΩ,在 \( V{GS} = 4.5 V \) 下为20 mΩ。这使得FDS4410A在各种应用中都能提供高效的功率转换。
    - 快速开关速度:该器件具备极快的开关速度,适用于高频切换应用。
    - 低栅极电荷:有助于减少功耗并提高效率。
    - 先进的沟槽技术:保证了出色的导通电阻和高可靠性。
    - 高功率和电流处理能力:适用于各种高功率应用。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电源管理:由于其低导通电阻和高开关速度,FDS4410A非常适合用于电源管理模块,特别是在电池供电设备中。
    - 电机驱动:其高电流处理能力使其成为电机驱动应用的理想选择。
    - 负载开关:在负载开关设计中,其快速响应和低导通电阻可以显著降低功耗并提高系统效率。
    使用建议:
    - 为了最大化FDS4410A的性能,建议在选择PCB布局时考虑热管理和电气特性。
    - 在高电流和高频率应用中,尽量避免过长的走线以减少寄生电感的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FDS4410A采用标准SO-8封装,易于集成到现有的电路板设计中。
    - 支持:Fairchild Semiconductor提供了详尽的技术支持文档,包括数据手册和应用笔记。用户可以在官方网站获取这些资源,以帮助设计和测试过程。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高温环境下 \( R{DS(ON)} \) 增加。
    - 解决方案:确保散热设计符合要求,或者采用散热片或其他散热方法来降低工作温度。
    - 问题2:开关过程中的振铃现象。
    - 解决方案:通过增加外部栅极电阻或使用软开关技术来减小振铃。
    - 问题3:器件在高频率应用中表现出不稳定的性能。
    - 解决方案:仔细检查电路设计,特别是 PCB 布局,确保输入电容和输出电容配置正确,并且走线长度合理。

    7. 总结和推荐


    总体而言,FDS4410A是一款高性能的单N通道逻辑级PowerTrench® MOSFET,适合于需要低导通损耗和高速开关的应用。它的卓越性能和高可靠性使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐FDS4410A用于电源管理、电机驱动和负载开关等各种应用。只要注意正确的热管理和电路设计,FDS4410A将成为你的理想选择。

FDS4410A参数

参数
最大功率耗散 2.5W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 10A
Rds(On)-漏源导通电阻 20mΩ@ 4.5V,13.5mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.205nF@ 15V
栅极电荷 12nC@ 5V
长*宽*高 4.9mm(长度)*3.9mm(宽度)
通用封装 SOIC
安装方式 支架安装,贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 新设计不推荐
包装方式 卷带包装

FDS4410A厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDS4410A数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDS4410A FDS4410A数据手册

FDS4410A封装设计

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