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NVTFS4823NTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.1W(Ta),21W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 6nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 10.5mΩ@ 15A,10V 13A 750pF@12V DFN 贴片安装
供应商型号: UNP-NVTFS4823NTAG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS4823NTAG

NVTFS4823NTAG概述

    # NVTFS4823N Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVTFS4823N 是一款高性能的单通道 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于需要高效率和紧凑设计的应用场景。该器件具有出色的导通电阻(RDS(on))和低电容特性,旨在减少传导损耗和驱动损耗。此外,其“湿气可触及边缘”(Wettable Flanks)版本提供卓越的焊接可靠性,符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。这款产品无铅且符合 RoHS 标准,适合各种现代化电子设计需求。
    主要特点
    - 小型封装(3.3x3.3mm),适合紧凑型设计;
    - 导通电阻低至 8.1 mΩ@10 V,显著降低导通损耗;
    - 低寄生电容,有效减少驱动损耗;
    - 支持“湿气可触及边缘”设计;
    - AEC-Q101 认证并具备 PPAP 能力;
    - 环保无铅设计,符合 RoHS 规范。
    应用领域
    NVTFS4823N 可广泛应用于汽车电子、工业控制、通信设备及消费电子产品中,例如:
    - DC-DC 转换器;
    - 开关电源;
    - 电机驱动器;
    - LED 驱动电路。

    技术参数


    以下是 NVTFS4823N 的关键技术和性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDSS | 30 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(稳态) | ID | 30 / 21 | A |
    | 功率耗散(稳态) | PD | 21 / 11 | W |
    | 漏极脉冲电流 | IDM | 198 | A |
    | 最大工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 至 175 | °C |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 28.8 | mJ |
    热阻参数:
    - 结到安装板(顶部):7.0 °C/W(稳态)
    - 结到环境:47 °C/W(稳态)
    电气特性:
    - 开启阈值电压:1.5~2.5 V
    - 导通电阻:10.5 mΩ @ 10 V,17.5 mΩ @ 4.5 V
    - 输入电容:750 pF
    - 输出电容:175 pF
    - 反向传输电容:100 pF
    开关特性:
    - 开启延迟时间:12 ns
    - 上升时间:22 ns
    - 关闭延迟时间:14 ns
    - 下降时间:4 ns

    产品特点和优势


    NVTFS4823N 的核心优势在于其高能效设计和广泛的适用性:
    1. 高效节能:低 RDS(on) 和低电容设计显著降低了功耗,尤其适合对能效要求高的场合。
    2. 可靠耐用:AEC-Q101 认证和良好的雪崩能力使其能够适应恶劣的工作环境。
    3. 易用性:小型化封装(WDFN8)简化了 PCB 布局,同时支持湿气可触及边缘设计,提高了焊接可靠性。
    4. 环保合规:无铅无卤素,符合 RoHS 标准,满足绿色环保需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电动汽车电池管理系统:作为电池保护和切换的关键元件,帮助提升系统效率。
    2. 光伏逆变器:用于优化能量转换效率,满足严格的温升要求。
    3. 服务器电源模块:通过降低导通损耗提高整体性能。
    使用建议
    - 散热管理:确保 PCB 上有足够的铜箔面积以辅助散热,避免长期高温运行导致性能下降。
    - 合理选型:根据具体应用选择合适的 VGS 和 ID 值,确保安全裕度。
    - 焊点检查:对于湿气可触及边缘版本,务必使用 X 光检测焊接质量,防止潜在缺陷。

    兼容性和支持


    NVTFS4823N 采用 WDFN8 封装,易于与其他主流电子元器件集成。厂商提供了详尽的技术文档和在线支持服务,包括热阻计算工具、SPICE 模型下载以及客户技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件过热损坏
    - 解决方案:增加散热片或改进 PCB 设计,扩大铜箔覆盖面积。

    2. 问题:启动时出现异常振荡
    - 解决方案:检查栅极电阻值,适当调整至 3.0 Ω 左右。
    3. 问题:反向恢复时间较长
    - 解决方案:选用外部缓冲电路或降低开关频率来减小影响。

    总结和推荐


    NVTFS4823N 是一款集高效、可靠与环保于一体的高性能功率 MOSFET,尤其适合需要高密度布局和严苛环境的现代电子系统。其优越的技术指标和全面的兼容性使其成为众多应用场景的理想选择。我们强烈推荐此产品用于追求高性能、低功耗的设计项目中。
    推荐指数:★★★★★

NVTFS4823NTAG参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 10.5mΩ@ 15A,10V
最大功率耗散 3.1W(Ta),21W(Tc)
栅极电荷 6nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 750pF@12V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 30V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 13A
配置 独立式
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NVTFS4823NTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS4823NTAG数据手册

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NVTFS4823NTAG封装设计

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