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NTD20N06LT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 20 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: FL-NTD20N06LT4G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTD20N06LT4G

NTD20N06LT4G概述


    产品简介


    NTD20N06L, NTDV20N06L
    NTD20N06L 和 NTDV20N06L 是 N-Channel 逻辑电平 MOSFET,适用于功率范围在 20A 和 60V 的应用。它们主要用于电源、转换器、电机控制桥电路以及需要高开关速度的低电压系统中。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏极到源极电压 (VDSS): 60V
    - 漏极到栅极电压 (VDGR): 60V
    - 栅极到源极电压 (VGS): ±15V 连续,±20V 非重复
    - 漏极连续电流 (ID): 20A (TA=25°C),10A (TA=100°C)
    - 单脉冲漏极连续电流 (IDM): 60A
    - 最大总功耗 (PD): 60W (TA=25°C)
    - 热阻
    - 结到外壳 (RJC): 2.5°C/W
    - 结到环境 (RJA): 80°C/W (FR4 板上使用 1 英寸焊盘面积时) 或 110°C/W (使用推荐焊盘面积时)
    - 操作和存储温度范围
    - 结温 (TJ), 存储温度 (Tstg): -55°C 至 +175°C
    - 其他
    - 单脉冲漏极到源极雪崩能量 (EAS): 128mJ (起始结温 25°C)
    - 热敏电阻:热敏电阻参数用于帮助计算器件的散热性能

    产品特点和优势


    1. AEC-Q101 认证(NTDV20N06L):适合汽车应用,提供更高的可靠性和质量保证。
    2. 无铅且符合RoHS标准:减少对环境的影响,满足环保要求。
    3. 出色的开关性能:较低的 RDS(on) 值(典型值为 39mΩ),适用于高开关频率的应用。
    4. 高耐压能力:最高 60V 的 VDSS 可以承受较高的电压波动。
    5. 宽泛的工作温度范围:能够适应各种严苛的工业环境。

    应用案例和使用建议


    典型应用场景:
    - 电源供应:为各种电源转换器提供高效稳定的功率传输。
    - 电机控制:适用于各种电机驱动系统,确保电机的高效运行。
    - 桥式电路:在桥式电路中发挥关键作用,确保电流的稳定传输。
    使用建议:
    - 在设计电路时应考虑散热措施,确保器件工作在推荐温度范围内。
    - 对于高电流和高电压的应用,建议采用适当的冷却措施,如散热片或风冷装置。
    - 确保电路中的栅极驱动电阻符合要求,以获得最佳开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件适用于多种封装形式,如 DPAK 和 IPAK,方便不同应用需求。
    - 支持:制造商提供了详尽的技术文档和数据手册,支持客户进行设计和调试。
    - 维护信息:制造商提供了详细的装配和焊接指导,确保产品安装的可靠性。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备发热严重。
    - 解决方案: 检查散热设计,确保有足够的散热片或通风口。

    2. 问题: 开关延迟时间过长。
    - 解决方案: 优化栅极驱动电阻,使用更低的栅极驱动电阻可以减少开关延迟时间。
    3. 问题: 电流泄露过大。
    - 解决方案: 检查电路板和焊接点,确保没有短路或接触不良的情况。

    总结和推荐


    NTD20N06L 和 NTDV20N06L MOSFET 具有优异的电气特性和热性能,非常适合用于高性能电源和电机控制系统。其广泛的温度适应能力和低 RDS(on) 值使其成为市场上的优选产品。对于需要高可靠性和高效率的应用场合,强烈推荐使用该产品。建议用户仔细阅读技术手册并根据具体应用进行选型和设计。

NTD20N06LT4G参数

参数
最大功率耗散 1.36W(Ta),60W(Tj)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 990pF@25V
栅极电荷 32nC@ 5 V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 15V
通道数量 1
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 20A
Rds(On)-漏源导通电阻 48mΩ@ 10A,5V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.51mm(Max)
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTD20N06LT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTD20N06LT4G数据手册

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NTD20N06LT4G封装设计

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