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FQD3P50TM-AM002BLT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W(Ta),50W(Tc) 30V 5V@ 250µA 23nC@ 10 V 1个P沟道 500V 4.9Ω@ 1.05A,10V 2.1A 660pF@25V TO-252AA 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.39mm
供应商型号: UA-FQD3P50TM-AM002BLT
供应商: 海外现货
标准整包数: 2500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQD3P50TM-AM002BLT

FQD3P50TM-AM002BLT概述


    产品简介


    FQD3P50 MOSFET - P-Channel, -500 V, 4.9 Ω, -2.1 A
    FQD3P50 是一款采用 ON Semiconductor 公司的平面条纹和 DMOS 技术制造的增强型功率 MOSFET。这款先进的 MOSFET 设计旨在降低导通电阻(RDS(on)),提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、主动功率因数校正(PFC)和电子灯管镇流器等领域。

    技术参数


    - 电气特性:
    - 最大漏源电压 (VDSS): -500 V
    - 持续漏电流 (ID):
    - 25°C时:-2.1 A
    - 100°C时:-1.33 A
    - 脉冲漏电流 (IDM): -8.4 A
    - 最大栅源电压 (VGSS): ±30 V
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 250 mJ
    - 雪崩电流 (IAR): -2.1 A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 5.0 mJ
    - 峰值二极管恢复电压变化率 (dv/dt): -4.5 V/ns
    - 功耗 (PD):
    - 25°C时:2.5 W
    - 每升高1°C降额:0.4 W/°C
    - 工作温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 焊接时的最大引线温度 (TL): 300°C(从外壳1/8英寸处测量)
    - 热特性:
    - 热阻,结至壳体 (RθJC): 最大2.5°C/W
    - 热阻,结至环境 (RθJA):
    - 推荐最小焊盘尺寸安装:最大50°C/W
    - 其他安装条件:最大110°C/W
    - 静态参数:
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): -3.0 V 至 -5.0 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 最大4.9 Ω @ VGS = -10 V, ID = -1.05 A
    - 正向跨导 (gFS): 最小2.1 S
    - 动态参数:
    - 输入电容 (Ciss): 510 pF 至 660 pF
    - 输出电容 (Coss): 70 pF 至 90 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 9.5 pF 至 12 pF
    - 开启延迟时间 (td(on)): 12 ns 至 35 ns
    - 开启上升时间 (tr): 56 ns 至 120 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 35 ns 至 80 ns
    - 关断下降时间 (tf): 45 ns 至 100 ns
    - 总栅极电荷 (Qg): 18 nC 至 23 nC

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:最大4.9 Ω @ VGS = -10 V, ID = -1.05 A,显著减少功耗。
    - 低栅极电荷:典型值为18 nC,提高开关速度并减少损耗。
    - 低雪崩电容:典型值为9.5 pF,改善开关性能。
    - 完全雪崩测试:确保高可靠性。
    - 无铅和RoHS合规:环保且符合国际标准。

    应用案例和使用建议


    - 开关模式电源:适合用于需要高效转换的应用,例如笔记本电脑充电器和服务器电源。
    - 主动功率因数校正(PFC):适用于高功率应用,如工业电机驱动。
    - 电子灯管镇流器:适用于照明系统,提供稳定的电源输出。
    使用建议:
    - 在高频开关应用中,考虑到较低的输入和输出电容可以减少寄生效应。
    - 为了保证可靠运行,在高温环境下应适当降额使用。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FQD3P50 具有广泛的应用范围,适用于多种不同的电路设计。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和在线支持,帮助用户更好地理解和使用该器件。

    常见问题与解决方案


    1. 问:FQD3P50 是否适合用于高压应用?
    - 答:是的,FQD3P50 的最大漏源电压为-500 V,适用于高压应用。

    2. 问:如何确保 FQD3P50 的可靠性?
    - 答:进行完整的雪崩测试并选择适当的散热措施,以防止过热损坏。
    3. 问:如何处理 FQD3P50 的高温工作环境?
    - 答:应根据手册中的热特性参数进行适当的热管理,确保在最高允许温度范围内工作。

    总结和推荐


    FQD3P50 MOSFET 是一款高性能的P通道增强型功率MOSFET,具备出色的开关性能和高可靠性。它特别适用于各种电源转换应用。尽管价格相对较高,但其优异的电气特性和广泛的适用性使其成为高端应用的理想选择。我们强烈推荐使用 FQD3P50,尤其是在需要高效转换和高可靠性的场合。

FQD3P50TM-AM002BLT参数

参数
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 500V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 660pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.9Ω@ 1.05A,10V
FET类型 1个P沟道
通道数量 1
栅极电荷 23nC@ 10 V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 2.1A
最大功率耗散 2.5W(Ta),50W(Tc)
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.39mm
通用封装 TO-252AA
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FQD3P50TM-AM002BLT厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQD3P50TM-AM002BLT数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQD3P50TM-AM002BLT FQD3P50TM-AM002BLT数据手册

FQD3P50TM-AM002BLT封装设计

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