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NTDV20P06LT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 65W(Tc) 20V 2V@ 250µA 26nC@ 5 V 1个P沟道 60V 150mΩ@ 7.5A,5V 15.5A 1.19nF@25V DPAK 贴片安装
供应商型号: CY-NTDV20P06LT4G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTDV20P06LT4G

NTDV20P06LT4G概述


    产品简介


    NTD20P06L 和 NTDV20P06L 是一款由Semiconductor Components Industries, LLC设计的P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具有单通道和DPAK封装。这些器件具备高能量承受能力和快速开关性能,广泛应用于桥式电路、电源管理系统、电机控制及直流-直流转换器等领域。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 漏极至源极电压 \( V{DSS} \): -60 V
    - 栅极至源极电压 \( V{GSS} \): 连续 -20 V,脉冲峰值 -30 V
    - 持续漏极电流 \( ID \): -15.5 A
    - 功率耗散 \( PD \): 65 W
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): -50 A
    - 工作温度范围: -55°C 至 175°C
    - 单脉冲漏极至源极雪崩能量 \( E{AS} \): 304 mJ
    - 热阻抗:
    - 结至外壳(漏极)热阻 \( R{\theta JC} \): 2.3 °C/W
    - 结至环境热阻 \( R{\theta JA} \): 80 °C/W(表面安装在FR4板上)
    - 结至环境热阻 \( R{\theta JA} \): 110 °C/W(表面安装在FR4板上)

    产品特点和优势


    NTD20P06L 和 NTDV20P06L MOSFET 在高能量环境下的承受能力使其特别适合于需要高可靠性的应用。此外,低栅极电荷保证了快速的开关性能。对于追求高性能的工业应用,NTDV20P06L 版本还经过了AEC-Q101认证,确保其符合汽车行业的严格要求。此外,这些器件均为无铅且符合RoHS标准,更环保。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 桥式电路: NTD20P06L MOSFET 被广泛用于桥式整流电路,提供稳定高效的电力转换。
    - 电源管理系统: 其高可靠性和快速开关性能使其成为电源管理系统中的理想选择。
    - 电机控制: 在复杂的电机控制系统中,这些器件的特性能够显著提高系统的效率和可靠性。
    使用建议
    为了确保最佳性能,在应用中应注意:
    - 散热管理: 高功率应用需要有效的散热设计,以避免过热。
    - 电路布局: 合理的电路布局有助于减少寄生效应,从而提升整体性能。
    - 匹配电阻: 选择合适的栅极电阻可以优化开关时间,减少功耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 这些器件与其他主流P沟道功率MOSFET兼容,适合多种应用环境。
    - 支持: Semiconductor Components Industries, LLC提供了详尽的技术文档和支持,帮助用户快速理解和使用这些器件。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 设备无法正常工作
    - 解决方案: 确认连接正确,检查电压和电流等级是否符合要求。如果仍存在问题,联系技术支持寻求帮助。
    - 问题: 开关速度慢
    - 解决方案: 适当调整栅极电阻,参考器件数据手册中的建议值进行设置。
    - 问题: 散热不足导致过热
    - 解决方案: 改善散热设计,增加散热片或使用风扇冷却。

    总结和推荐


    总体而言,NTD20P06L 和 NTDV20P06L MOSFET 以其出色的性能、可靠性及广泛的应用领域成为工业领域的理想选择。特别适合需要高能量处理能力和快速开关性能的应用场合。强烈推荐这些器件给那些正在寻找高性能解决方案的工程师和设计师。

NTDV20P06LT4G参数

参数
通道数量 1
Id-连续漏极电流 15.5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 150mΩ@ 7.5A,5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.19nF@25V
最大功率耗散 65W(Tc)
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
配置 独立式
栅极电荷 26nC@ 5 V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.51mm(Max)
通用封装 DPAK
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NTDV20P06LT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTDV20P06LT4G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTDV20P06LT4G NTDV20P06LT4G数据手册

NTDV20P06LT4G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.3316 ¥ 2.8538
500+ $ 0.3285 ¥ 2.8278
1000+ $ 0.3193 ¥ 2.6981
5000+ $ 0.3193 ¥ 2.6981
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