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NVMFS6H836NT3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.7W(Ta),89W(Tc) 20V 4V@ 95µA 25nC@ 10 V 1个N沟道 80V 6.7mΩ@ 15A,10V 15A;74A 1.64nF@40V DFN-8 贴片安装
供应商型号: 488-NVMFS6H836NT3GTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 5000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS6H836NT3G

NVMFS6H836NT3G概述

    NVMFS6H836N MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NVMFS6H836N是一款单片N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有小巧的外形尺寸(5x6mm),适用于紧凑设计。其主要功能包括低导通电阻以减少传导损耗,低栅极电荷和电容以减少驱动器损耗。此外,它还具备增强光学检测的湿性边选项(Wettable Flank Option)以及通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力。该器件为无铅、无卤素且符合RoHS标准的产品。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压:80V
    - 栅源电压:±20V
    - 持续漏电流(TJ=25°C):74A
    - 最大脉冲漏电流(TA=25°C, tp=10µs):432A
    - 工作结温和存储温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 单次脉冲漏源雪崩能量:521mJ
    - 电气特性:
    - 导通电阻(VGS=10V, ID=15A):6.7mΩ
    - 输入电容(VGS=0V, f=1MHz, VDS=40V):1640pF
    - 输出电容:230pF
    - 总栅极电荷(VGS=10V, VDS=40V, ID=25A):25nC

    3. 产品特点和优势


    - 小封装尺寸:5x6mm的小尺寸设计使产品适合紧凑布局。
    - 低RDS(on):最低6.7mΩ的导通电阻减少了传导损耗。
    - 低QG和电容:低栅极电荷和电容值有助于减少驱动器损耗。
    - Wettable Flank Option:增强光学检测。
    - 通过AEC-Q101认证:适用于汽车和其他高可靠性应用。
    - 环保特性:无铅、无卤素且符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于汽车电源系统、工业自动化设备、通信设备等领域。
    - 使用建议:
    - 在设计电路时应注意散热管理,避免过热。
    - 高速开关应用中应选择合适的栅极电阻以优化开关时间。
    - 需要特别注意保护电路免受瞬态高压冲击。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他标准封装的MOSFET和相关设备兼容,可轻松替换现有设计中的旧型号。
    - 支持和维护:制造商提供了详尽的技术文档和应用指南,客户可以通过官方网站和客户服务热线获得技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:设备启动后出现异常发热现象。
    - 解决办法:检查电路中的散热措施是否到位,必要时增加散热片或冷却风扇。
    - 问题二:设备在高温环境下表现不稳定。
    - 解决办法:确认所选产品的工作温度范围是否覆盖预期环境温度,并适当调整电路参数。
    - 问题三:设备驱动器出现故障。
    - 解决办法:确保栅极驱动器符合要求的输出能力和电压范围。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NVMFS6H836N MOSFET凭借其紧凑的设计、优异的电气特性和广泛的适用性,在多个领域表现出色。特别是对于需要高性能和可靠性的应用,该产品是一个非常优秀的选择。强烈推荐给需要高性能MOSFET的设计师和技术工程师。
    通过详细的测试和验证,NVMFS6H836N展示了其在各种严苛条件下的出色性能和稳定性。对于需要高效能、高可靠性的应用,这款产品无疑值得信赖。

NVMFS6H836NT3G参数

参数
栅极电荷 25nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 80V
Id-连续漏极电流 15A;74A
Rds(On)-漏源导通电阻 6.7mΩ@ 15A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 95µA
通道数量 -
最大功率耗散 3.7W(Ta),89W(Tc)
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.64nF@40V
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS6H836NT3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS6H836NT3G数据手册

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NVMFS6H836NT3G封装设计

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