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FQPF7N80C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 QFET系列, Vds=800 V, 6.6 A, TO-220F封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 14M-FQPF7N80C
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQPF7N80C

FQPF7N80C概述

    FQP7N80C/FQPF7N80C N-Channel QFET® MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FQP7N80C 和 FQPF7N80C 是由 Fairchild Semiconductor 生产的 N 沟道增强模式功率 MOSFET。这种器件采用 Fairchild 独有的平面条纹和 DMOS 技术制造,旨在降低导通电阻并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件非常适合应用于开关电源、主动功率因数校正(PFC)和电子灯管镇流器等领域。

    技术参数


    - 电压参数
    - VDSS(漏源击穿电压):800 V
    - VGS(栅源电压):±30 V
    - 电流参数
    - 连续漏极电流(TC = 25°C):6.6 A
    - 连续漏极电流(TC = 100°C):4.2 A
    - 脉冲漏极电流:26.4 A
    - 电阻参数
    - 导通电阻(RDS(on)):1.9 Ω (最大值,VGS = 10 V, ID = 3.3 A)

    - 电容参数
    - 输入电容(Ciss):1290 至 1680 pF
    - 输出电容(Coss):120 至 155 pF
    - 反向转移电容(Crss):10 至 13 pF
    - 热特性
    - 热阻(Junction-to-Case, Max.):0.75 °C/W(FQP7N80C),2.25 °C/W(FQPF7N80C)
    - 环境温度范围:-55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:典型值为 27 nC,适合高频应用。
    - 低 Crss:典型值为 10 pF,有助于减少开关损耗。
    - 100% 雪崩测试:确保器件的可靠性和稳定性。
    - 低导通电阻:1.9 Ω 的最大值保证了在大电流下的高效能。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:可以用于高效转换和调节电压,如 AC/DC 电源适配器。
    - PFC(功率因数校正):适合在功率因数校正电路中,以提高能源效率。
    - 电子灯管镇流器:适用于荧光灯或 LED 镇流器电路,确保稳定的工作状态。
    使用建议:
    - 在使用时注意散热设计,特别是在高电流和高温度条件下,确保 MOSFET 的正常工作。
    - 在选择栅极驱动电路时,考虑其低栅极电荷特性,减少开关损耗。

    兼容性和支持


    - FQP7N80C 和 FQPF7N80C 均采用 TO-220 和 TO-220F 封装,易于安装和使用。
    - 公司提供技术支持和售后保障,确保客户在使用过程中遇到问题能够及时得到解决。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何避免热失控?
    - A: 设计良好的散热系统,确保器件在额定温度范围内工作。必要时可使用散热片或风扇来加强散热效果。
    - Q: 如何避免栅极振荡?
    - A: 使用合适的栅极电阻,以减少快速变化的栅极电压引起的振荡。此外,可以增加旁路电容器来吸收瞬态电压。
    - Q: 如何处理过高的雪崩电压?
    - A: 选用符合要求的保护电路,如钳位二极管,以防止电压超过器件的最大额定值。

    总结和推荐


    FQP7N80C 和 FQPF7N80C 是性能优越的 N 沟道 MOSFET,适用于多种工业和消费电子应用。其低导通电阻、低栅极电荷和高雪崩能量等特点使其在市场上具有很强的竞争力。在使用时需注意适当的散热措施和正确的驱动电路设计。总体来说,这款器件是值得推荐的产品,适合那些需要高效、可靠的电源管理解决方案的应用场合。

FQPF7N80C参数

参数
最大功率耗散 56W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 1.9Ω@ 3.3A,10V
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.68nF@25V
通道数量 1
栅极电荷 35nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 800V
Id-连续漏极电流 6.6A
长*宽*高 10.16mm*4.7mm*19.1mm
通用封装 TO-220F-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装,管装

FQPF7N80C厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQPF7N80C数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQPF7N80C FQPF7N80C数据手册

FQPF7N80C封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 8.8274
10+ ¥ 7.9106
30+ ¥ 6.9458
100+ ¥ 6.753
300+ ¥ 6.4944
1000+ ¥ 6.3053
库存: 949
起订量: 1 增量: 1000
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