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FQP11N40C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 QFET系列, Vds=400 V, 10.5 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 2453436
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQP11N40C

FQP11N40C概述


    产品简介


    产品名称:FQP11N40C / FQPF11N40C N-Channel QFET® MOSFET
    产品类型:这是一种N沟道增强模式功率MOSFET,采用Fairchild半导体公司的平面条纹和DMOS技术制造。
    主要功能:
    - 支持400V耐压,最大连续漏极电流为10.5A(25°C时)。
    - 静态导通电阻RDS(on)最大值为530mΩ。
    - 具有低门极电荷(典型值为28nC)和低反向转移电容(典型值为85pF)。
    - 100%雪崩测试合格。
    应用领域:
    适用于开关电源、有源功率因数校正(PFC)和电子镇流器等领域。

    技术参数


    | 参数 | FQP11N40C/FQPF11N40C |

    | 漏源电压(VDSS) | 400V |
    | 漏极电流(ID) | 10.5A(25°C时),6.6A(100°C时) |
    | 最大脉冲漏极电流(IDM) | 42A |
    | 门源电压(VGSS) | ±30V |
    | 单次脉冲雪崩能量(EAS) | 360mJ |
    | 雪崩电流(IAR) | 11A |
    | 反复雪崩能量(EAR) | 13.5mJ |
    | 峰值二极管恢复率(dv/dt) | 4.5V/ns |
    | 功耗(PD) | 135W(25°C时) |
    | 热阻(RθJC) | 0.93°C/W(FQP11N40C), 2.86°C/W(FQPF11N40C) |
    | 工作温度范围(TJ, TSTG) | -55°C至+150°C |

    产品特点和优势


    产品特点:
    - 极低的静态导通电阻,最大530mΩ。
    - 低门极电荷和低反向转移电容,提高了效率。
    - 经过100%雪崩测试,确保高可靠性。
    - 支持高重复雪崩能量和单次脉冲雪崩能量,适用于高压大电流应用。
    市场竞争力:
    该MOSFET在相同的额定值下具有极低的导通电阻和较高的耐压能力,适合于高功率应用领域。其高效的门极特性和较低的功耗使其成为开关电源、有源功率因数校正等领域的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 开关电源:用于主电路中作为开关管,减少损耗。
    - 有源功率因数校正(PFC):提高系统的能效,降低谐波失真。
    - 电子镇流器:实现高效稳定的工作状态。
    使用建议:
    - 在高功率应用中使用时,需注意散热设计,以避免过热导致的性能下降。
    - 在开关电源的设计中,可结合其他高性能元件,进一步提高系统的整体效率。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 支持TO-220和TO-220F两种封装形式。
    - 与多种电源管理和控制模块兼容,适合各种电力电子系统。
    厂商支持:
    - 提供详细的电气特性和机械特性数据,方便用户进行设计和集成。
    - 用户可以访问Fairchild官网获取最新的技术支持文档和软件工具。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下性能下降。
    解决方案:确保良好的散热措施,例如增加散热片或者采用主动冷却方式。

    2. 问题:门极驱动信号不稳定。
    解决方案:检查门极驱动电路,确保电压和电流的稳定性。
    3. 问题:电路开机瞬间启动缓慢。
    解决方案:调整门极电阻,优化门极充电电路。

    总结和推荐


    总结:
    FQP11N40C / FQPF11N40C N-Channel QFET® MOSFET是一款高效的功率MOSFET,具有出色的性能和可靠性。其低导通电阻和优良的电气特性使其非常适合应用于高功率转换场合,如开关电源、有源功率因数校正和电子镇流器等。
    推荐:
    强烈推荐在需要高可靠性和高性能的应用中使用该产品。结合其优秀的电气特性和广泛的应用场景,这款MOSFET无疑是理想的选择。

FQP11N40C参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 400V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
栅极电荷 35nC@ 10 V
最大功率耗散 135W(Tc)
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 530mΩ@ 5.25A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.09nF@25V
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 10.5A
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

FQP11N40C厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQP11N40C数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQP11N40C FQP11N40C数据手册

FQP11N40C封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 11.8573
10+ ¥ 9.614
100+ ¥ 8.8129
500+ ¥ 8.8129
1000+ ¥ 8.6526
5000+ ¥ 8.6526
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