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FDMA510PZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi P沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=20 V, 7.8 A, MicroFET 2 x 2封装, 表面贴装, 6引脚
供应商型号: FDMA510PZ
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMA510PZ

FDMA510PZ概述

    FDMA510PZ 单极P沟道PowerTrench® MOSFET

    1. 产品简介


    FDMA510PZ 是一款单极P沟道PowerTrench® MOSFET,适用于电池充电或负载开关应用,特别是在手机和其他超便携设备中。该产品具有低导通电阻(RDS(on)),能够在紧凑的空间内实现高效的电力传输和转换。其主要功能包括低功耗、高可靠性和出色的热性能。

    2. 技术参数


    以下是FDMA510PZ的技术规格和性能参数:
    - 最大RDS(on):
    - 在VGS = -4.5V, ID = -7.8A时,最大RDS(on)为30mΩ。
    - 在VGS = -2.5V, ID = -6.6A时,最大RDS(on)为37mΩ。
    - 在VGS = -1.8V, ID = -5.5A时,最大RDS(on)为50mΩ。
    - 在VGS = -1.5V, ID = -2.0A时,最大RDS(on)为90mΩ。
    - 低轮廓设计: 最大高度为0.8mm,采用新的MicroFET 2X2封装。
    - HBM ESD保护等级: 典型值大于3KV(注意3)。
    - 无卤素化合物和氧化锑: 符合RoHS标准。
    - 电气特性:
    - 漏源电压(VDS): -20V。
    - 栅源电压(VGS): ±8V。
    - 连续漏电流(ID): -7.8A。
    - 脉冲漏电流: -24A。
    - 功率耗散(PD): 2.4W(注意1a),0.9W(注意1b)。
    - 工作和存储温度范围(TJ, TSTG): -55°C至+150°C。
    - 热阻(RTJA): 52°C/W(注意1a),145°C/W(注意1b)。

    3. 产品特点和优势


    FDMA510PZ的主要优势包括:
    - 低导通电阻:在各种工作条件下都能保持较低的导通电阻,从而减少能耗。
    - 高可靠性:具备较高的HBM ESD保护等级,确保在恶劣环境下也能稳定运行。
    - 紧凑封装:采用MicroFET 2X2封装,具有优秀的热性能和空间利用率。
    - 环保材料:不含卤素化合物和氧化锑,符合RoHS标准。

    4. 应用案例和使用建议


    FDMA510PZ适用于电池充电和负载开关应用,例如手机、平板电脑和其他便携式设备。以下是一些使用建议:
    - 电路设计:在设计电路时,应考虑其低导通电阻特性,以提高能效。
    - 散热管理:由于其高热阻特性,需要良好的散热设计以避免过热。
    - ESD防护:利用其高ESD保护等级,确保在组装和使用过程中不会因静电损坏。

    5. 兼容性和支持


    FDMA510PZ与现有的电源管理和电池管理系统兼容。制造商提供了详细的技术支持文档和客户服务中心,帮助用户解决安装和使用过程中的问题。此外,制造商还提供在线资源和技术支持热线,方便用户获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的常见问题及其解决方案:
    - 问题1: 产品在高温下性能下降。
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,如增加散热片或风扇,以降低工作温度。

    - 问题2: 产品在使用过程中出现ESD损坏。
    - 解决方案: 使用适当的ESD防护措施,如防静电手环和防静电包装材料。

    7. 总结和推荐


    FDMA510PZ是一款高性能、低功耗的单极P沟道PowerTrench® MOSFET,适用于多种便携式设备。其低导通电阻、高可靠性以及环保材料使其在市场上具有显著的竞争优势。强烈推荐在需要高效电力转换和低能耗的应用中使用此产品。

FDMA510PZ参数

参数
通道数量 1
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 7.8A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 8V
Rds(On)-漏源导通电阻 30mΩ@ 7.8A,4.5V
配置 独立式quaddrain
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.48nF@10V
栅极电荷 27nC@ 4.5 V
最大功率耗散 2.4W(Ta)
Vds-漏源极击穿电压 20V
长*宽*高 2mm*2mm*750μm
通用封装 MICROFET-6
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDMA510PZ厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMA510PZ数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMA510PZ FDMA510PZ数据手册

FDMA510PZ封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 2.4069
6000+ ¥ 2.3668
9000+ ¥ 2.3066
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