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NTD4805NT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.41W(Ta),79W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 48nC@ 11.5 V 1个N沟道 30V 5mΩ@ 30A,10V 12.7A,95A 2.865nF@12V TO-252 贴片安装 6.73mm*6.22mm*2.38mm
供应商型号: NTD4805NT4G
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTD4805NT4G

NTD4805NT4G概述

    NTD4805N/NVD4805N Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTD4805N/NVD4805N 是一款由Semiconductor Components Industries, LLC设计的高性能单通道N沟道功率MOSFET,主要用于直流到直流转换器(DC-DC converters)中的CPU电源供应、低侧开关等领域。该器件具备低导通电阻(RDS(on))、低电容和优化的栅极电荷,以实现最小化的导通损耗、驱动损耗和开关损耗。其特别适合于汽车和其他需要独特场址和控制变更要求的应用,已通过AEC-Q101认证且能够支持PPAP。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):30 V
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 持续漏电流(RJA):25°C时为17.4 A,85°C时为13.5 A
    - 最大脉冲漏电流(tp=10μs):175 A
    - 工作结温(TJ):-55°C 至 175°C
    - 电气特性
    - 导通电阻(RDS(on)):在VGS = 10至11.5 V时为4.3至5.0 mΩ
    - 门阈值电压(VGS(TH)):1.5至2.5 V
    - 总门电荷(QG(TOT)):VGS = 4.5 V时为20.5至26 nC,VGS = 11.5 V时为48 nC
    - 热阻
    - 结到外壳热阻(RJC):1.9°C/W
    - 结到散热片热阻(RJC-TAB):3.5°C/W
    - 电气特性曲线
    - 导通特性、转移特性、导通电阻随温度变化、栅极电荷和漏极-源极电容的变化。

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:最小化导通损耗,提高效率。
    - 低电容:减少驱动损耗。
    - 优化的栅极电荷:减少开关损耗。
    - AEC-Q101认证:适用于汽车及其他关键应用。
    - 无铅,RoHS合规:符合环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - CPU电源供应:确保高效的电力传输。
    - DC-DC转换器:在电源管理系统中广泛应用。
    - 低侧开关:适用于各种电力转换系统。
    使用建议:
    - 散热管理:使用足够的散热片,确保器件在高温环境下正常运行。
    - 门极驱动电路:设计合理的门极电阻,以优化开关时间和降低功耗。
    - 并联操作:在高电流应用中,可以考虑并联多个MOSFET以分担负载。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与现有的电源管理和驱动电路高度兼容。
    - 技术支持:ON Semiconductor提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决应用中的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何选择合适的散热片?
    - 解决方案:根据热阻值计算所需的散热片面积,确保工作温度不超过最大额定值。

    - 问题2:如何优化开关时间?
    - 解决方案:调整门极电阻,优化总门电荷,从而减小开关延迟时间。

    7. 总结和推荐


    总结:
    - 主要优点:NTD4805N/NVD4805N具备低导通电阻、低电容和优化的栅极电荷,使得它成为高效能的电力管理组件。
    - 可靠性:通过AEC-Q101认证,确保其在严苛条件下的稳定性。
    推荐:
    - 高度推荐:由于其卓越的性能和可靠性,强烈推荐在CPU电源供应、DC-DC转换器和低侧开关等应用中使用。
    此技术手册为设计和应用工程师提供了详细的参考信息,有助于最大化该MOSFET的性能。

NTD4805NT4G参数

参数
栅极电荷 48nC@ 11.5 V
配置 独立式
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@ 30A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 1.41W(Ta),79W(Tc)
通道数量 1
Id-连续漏极电流 12.7A,95A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.865nF@12V
长*宽*高 6.73mm*6.22mm*2.38mm
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NTD4805NT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTD4805NT4G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTD4805NT4G NTD4805NT4G数据手册

NTD4805NT4G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 2.535
5000+ ¥ 2.496
10000+ ¥ 2.457
20000+ ¥ 2.418
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起订量: 2500 增量: 0
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最小起订量为:2500
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