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FDMA410NZT-F130

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 900mW(Ta) 1V@ 250µA 14nC@ 4.5 V 1个N沟道 20V 23mΩ@ 9.5A,4.5V 9.5A 1.31nF@10V 贴片安装
供应商型号: CY-FDMA410NZT-F130
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMA410NZT-F130

FDMA410NZT-F130概述


    产品简介


    FDMA410NZT Ultra Thin N-Channel 1.5 V PowerTrench® MOSFET
    FDMA410NZT是一款超薄型N沟道1.5 V PowerTrench MOSFET。这种单N沟道MOSFET采用了Fairchild半导体先进的Power Trench工艺技术,以优化在特定MicroFET引线框架上的VGS=1.5 V时的导通电阻rDS(on)。
    该产品主要用于锂离子电池包、基带开关、负载开关、直流到直流转换和移动设备开关等多种应用领域。

    技术参数


    基本参数:
    - 封装类型:MicroFET 2x2mm
    - 极限参数:
    - 栅源电压(VGS):±8 V
    - 漏源电压(VDS):20 V
    - 最大漏极连续电流(ID):9.5 A
    - 最大功耗(PD):2.4 W (52 °C/W), 0.9 W (145 °C/W)
    - 工作和存储结温范围(TJ, TSTG):-55°C 至 +150°C
    - 特性参数:
    - 导通电阻(rDS(on)):VGS = 4.5 V时为23 mΩ,ID = 9.5 A时最大值为23 mΩ
    - 前向跨导(gFS):36 S
    - 输入电容(Ciss):935 pF
    - 输出电容(Coss):122 pF
    - 反向传输电容(Crss):84 pF
    - 热阻抗(RθJA):52 °C/W (2oz铜板) 和 145 °C/W (最小铜板)

    产品特点和优势


    FDMA410NZT的主要特点包括:
    - 极低的导通电阻,使能效更高,适用于各种高性能电路设计。
    - 超薄的MicroFET 2x2mm封装,适合空间受限的应用。
    - 高可靠性,具备HBM ESD保护等级>1.5 kV。
    - 符合RoHS标准,环保可靠。
    - 具有较好的温度稳定性,在宽广的工作温度范围内都能保持良好的性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 锂离子电池包:适用于高能量密度要求的电池管理系统。
    2. 基带开关:用于通信设备中的电源管理。
    3. 负载开关:在需要精确控制功率流的场合下使用。
    4. 直流到直流转换:广泛应用于便携式设备中。
    5. 移动设备开关:适应小型化和轻量化的趋势。
    使用建议:
    - 在使用前务必验证产品的具体电气参数,确保与电路设计匹配。
    - 考虑散热设计,尤其是在高功耗情况下使用时。
    - 建议进行详细的应用测试,特别是当用于关键系统时。

    兼容性和支持


    兼容性:
    FDMA410NZT在电路板设计上具有一定的兼容性,支持现有的行业标准土地模式。
    支持:
    ON Semiconductor公司提供了详尽的技术文档和支持,可以通过技术支持热线获取进一步帮助。此外,也可以通过电子邮件和网站直接联系相关技术人员,获取更专业的指导和服务。

    常见问题与解决方案


    问题一:产品无法正常工作
    - 解决方案: 验证电路设计是否正确连接,检查是否有过压或过流的情况。如有必要,可咨询技术支持团队。
    问题二:产品过热
    - 解决方案: 确认电路的散热设计是否充分。如果散热不足,可以考虑增加散热片或改善气流设计。
    问题三:性能不稳定
    - 解决方案: 确保环境温度和电源输入稳定。如果存在问题,可以考虑使用额外的稳压器或调节器来稳定电压。

    总结和推荐


    综上所述,FDMA410NZT作为一款高性能、高效能的MOSFET,具备诸多优点。它的低导通电阻和良好的温度稳定性使其在多种应用场景中表现优异。同时,其超薄封装和高可靠性使其在空间有限和对环境要求较高的环境中表现出色。
    因此,我推荐这款产品用于需要高性能、高效能的电力管理系统中。对于寻求高品质电子元器件的用户来说,FDMA410NZT是一个非常不错的选择。

FDMA410NZT-F130参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 20V
Id-连续漏极电流 9.5A
Rds(On)-漏源导通电阻 23mΩ@ 9.5A,4.5V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 900mW(Ta)
栅极电荷 14nC@ 4.5 V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.31nF@10V
配置 -
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDMA410NZT-F130厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMA410NZT-F130数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMA410NZT-F130 FDMA410NZT-F130数据手册

FDMA410NZT-F130封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.2637 ¥ 2.2694
500+ $ 0.2612 ¥ 2.2487
1000+ $ 0.2539 ¥ 2.1456
5000+ $ 0.2539 ¥ 2.1456
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