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NVTFS5811NLTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta) 20V 2.2V@ 250µA 30nC@ 10 V 1个N沟道 40V 6.7mΩ@ 20A,10V 16A 1.57nF@25V DFN 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
供应商型号: NVTFS5811NLTAG
供应商: 国内现货
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS5811NLTAG

NVTFS5811NLTAG概述

    NVTFS5811NL MOSFET 技术手册概览

    1. 产品简介


    产品类型: N-Channel MOSFET(N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能: 用于电源管理,具有单通道设计。
    应用领域: 适用于各种电源转换应用,如开关电源、电机驱动器和电源管理IC等。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | : | : | : | : | : | : |
    | 漏极-源极电压 | VDSS | - | - | 40 | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 | ±20 | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(环境温度25°C) | ID | 40 | - | - | A |
    | 持续漏极电流(环境温度100°C) | ID | - | - | 28 | A |
    | 功率耗散(环境温度25°C) | PD | 21 | - | - | W |
    | 功率耗散(环境温度100°C) | PD | - | - | 10 | W |
    | 脉冲漏极电流(环境温度25°C,脉宽10 μs) | IDM | - | - | 354 | A |
    | 零栅压漏极电流 | IDSS | 1.0 | - | - | μA |
    | 栅极-源极漏电流 | IGSS | -100 | - | - | nA |
    | 通态电阻(VGS=10V,ID=20A) | RDS(on) | - | 6.7 | - | mΩ |
    | 通态电阻(VGS=4.5V,ID=20A) | RDS(on) | - | 10 | - | mΩ |
    | 闸门阈值电压 | VGS(TH) | 1.5 | 2.2 | - | V |

    3. 产品特点和优势


    - 紧凑型设计:采用3.3x3.3mm的小型封装,便于设计更紧凑的电路板布局。
    - 低导通电阻:最小RDS(on)为6.7mΩ,能够显著减少导通损耗。
    - 低电容:降低驱动损耗,提高效率。
    - 湿气可焊性:具备良好的焊接性能。
    - 通过AEC-Q101认证:适合汽车电子应用。
    - 无铅且符合RoHS标准:环保材料。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:提供高效率的能量转换,适合需要紧凑设计的应用场合。
    - 电机驱动器:高效、可靠的电流控制,增强系统整体性能。
    - 电源管理IC:减少能量损耗,提升电源管理系统的效率。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应考虑使用具有较低RDS(on)值的MOSFET,以减少导通损耗。
    - 选择适当的驱动电路,确保快速开关性能,降低开关损耗。
    - 需要特别注意热管理,保证MOSFET工作在安全的工作温度范围内。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于多种电源管理和驱动电路,尤其适合需要高效、紧凑设计的应用。
    - 支持:提供详细的用户手册和技术文档,以及技术支持团队的服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过热问题
    解决办法:确保使用合适的散热片,并保持电路良好的空气流通。
    - 问题2:无法正常开启
    解决办法:检查栅极信号是否正常,确认VGS大于阈值电压。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - NVTFS5811NL MOSFET以其紧凑的设计、低导通电阻和高可靠性,成为一款非常适合电源管理和电机驱动应用的高性能器件。
    - 特别适合需要紧凑设计和高效率的应用场合。
    推荐:
    - 高度推荐此款产品,特别是在需要高效电源管理和驱动电路设计中。

NVTFS5811NLTAG参数

参数
配置 独立式
最大功率耗散 3.2W(Ta)
栅极电荷 30nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 6.7mΩ@ 20A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
Id-连续漏极电流 16A
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.57nF@25V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NVTFS5811NLTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS5811NLTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVTFS5811NLTAG NVTFS5811NLTAG数据手册

NVTFS5811NLTAG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1500+ ¥ 18
3000+ ¥ 17.55
6000+ ¥ 17.25
12000+ ¥ 17.1
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