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FDMS5361L-F085

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 75W(Tc) 20V 3V@ 250µA 44nC@ 10 V 1个N沟道 60V 15mΩ@ 16.5A,10V 35A 1.98nF@25V QFN 贴片安装 6mm*5mm*1.1mm
供应商型号: FL-FDMS5361L-F085
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMS5361L-F085

FDMS5361L-F085概述

    FDMS5361L-F085 N-Channel PowerTrench® MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    FDMS5361L-F085 是一款 N 沟道 PowerTrench® MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为高电流和低电阻应用设计。该产品适用于多种汽车和工业应用,如发动机控制、动力系统管理、电磁阀和电机驱动器、集成起动机/发电机以及12V系统主开关。

    2. 技术参数


    以下是FDMS5361L-F085的主要技术规格:
    - 最大电压 (VDSS):60V
    - 连续漏极电流 (ID):35A(在 VGS = 10V 时)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):82mJ
    - 功率耗散 (PD):75W(在25°C以上每度下降0.5W)
    - 热阻 (RθJC):2.0°C/W
    - 最大热阻 (RθJA):50°C/W
    - 阈值电压 (VGS(th)):1.0V 至 3.0V
    - 导通电阻 (RDS(on)):11.7mΩ(在 VGS = 10V,ID = 16.5A 时)
    - 输入电容 (Ciss):1980pF(在 VDS = 25V,VGS = 0V,f = 1MHz 时)

    3. 产品特点和优势


    FDMS5361L-F085 具备以下独特功能和优势:
    - 低导通电阻 (RDS(on)):11.7mΩ,显著减少功率损耗,提高效率。
    - 高雪崩能力 (UIS):能承受高瞬态电压,增强可靠性。
    - 符合RoHS标准:环保材料,满足全球环保法规要求。
    - AEC-Q101认证:适用于汽车应用,确保在恶劣环境下的稳定性和耐用性。

    4. 应用案例和使用建议


    FDMS5361L-F085 在多个汽车和工业应用中表现优异。例如,在发动机控制单元中,它能有效管理高电流,确保发动机平稳运行。在动力系统管理中,它可以提供高效的电力转换和分配。
    使用建议:
    - 确保散热良好,以避免因过热导致的性能下降。
    - 使用合适的驱动电路,以优化开关时间和降低功耗。
    - 在设计电路时考虑温度对导通电阻的影响,特别是在高温环境下。

    5. 兼容性和支持


    FDMS5361L-F085 可与其他常见的电子元器件和设备兼容,适用于多种电路设计。ON Semiconductor 提供全面的技术支持和维护服务,包括在线资源、技术支持热线和客户服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何选择合适的驱动电阻?
    解决方案:根据应用需求和电源电压选择合适的驱动电阻,通常在6Ω左右。
    - 问题:如何处理过热问题?
    解决方案:增加散热片或使用散热器,确保良好的热传导。
    - 问题:如何测量导通电阻 (RDS(on))?
    解决方案:使用万用表在 VGS = 10V,ID = 16.5A 的条件下测量。

    7. 总结和推荐


    FDMS5361L-F085 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具备低导通电阻、高雪崩能力和良好的热稳定性。适用于汽车和工业应用中的高电流管理。鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐在相关项目中使用该产品。
    希望本文能帮助您更好地了解 FDMS5361L-F085 的特性和应用,如有进一步问题,欢迎联系 ON Semiconductor 的技术支持团队。

FDMS5361L-F085参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 44nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 75W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.98nF@25V
通道数量 1
配置 独立式quaddraintriplesource
Rds(On)-漏源导通电阻 15mΩ@ 16.5A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Id-连续漏极电流 35A
长*宽*高 6mm*5mm*1.1mm
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDMS5361L-F085厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMS5361L-F085数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMS5361L-F085 FDMS5361L-F085数据手册

FDMS5361L-F085封装设计

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