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NTMS4802NR2G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 910mW(Ta) 20V 2.5V@ 250µA 36nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 4mΩ@ 18A,10V 11.1A 5.3nF@25V SOIC-8 贴片安装
供应商型号: CY-NTMS4802NR2G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMS4802NR2G

NTMS4802NR2G概述

    NTMS4802N MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTMS4802N 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 SO-8 封装形式。该产品主要用于降低传导损耗、驱动损耗和开关损耗,适用于直流-直流转换器、同步 MOSFET 和打印机等多种应用场景。

    技术参数


    以下是 NTMS4802N 的主要技术规格:
    - 最大额定值:
    - 栅极-源极电压:±20 V
    - 漏极-源极电压:30 V
    - 连续漏极电流:15 A(TA = 25°C),12 A(TA = 70°C)
    - 脉冲漏极电流:60 A(tp = 10 μs)
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 电气特性:
    - 击穿电压:30 V(VGS = 0 V,ID = 250 μA)
    - 门限电压:1.0 V 至 2.5 V(VGS = VDS,ID = 250 μA)
    - 导通电阻:4.0 mΩ(VGS = 10 V,ID = 18 A),5.5 mΩ(VGS = 4.5 V,ID = 15 A)
    - 输入电容:5300 pF(VGS = 0 V,f = 1.0 MHz,VDS = 25 V)
    - 输出电容:880 pF
    - 反向传输电容:460 pF
    - 总门极电荷:36 nC(VGS = 4.5 V,VDS = 15 V,ID = 18 A)
    - 热阻:
    - 结点到环境(稳态):75.5 °C/W
    - 结点到环境(脉冲):50.5 °C/W
    - 结点到引脚(漏极):22 °C/W

    产品特点和优势


    NTMS4802N 具有以下特点和优势:
    - 低 RDS(on): 有助于减小导通损耗,提高整体效率。
    - 低电容: 有助于减少驱动损耗。
    - 优化的栅极电荷: 有助于减小开关损耗。
    - 无铅封装: 符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    NTMS4802N 在多个领域都有广泛应用,例如:
    - 直流-直流转换器: 用于电源管理。
    - 同步 MOSFET: 提高电路效率。
    - 打印机: 作为关键组件之一。
    使用建议:
    - 确保栅极驱动电压合适,以避免过高或过低的栅极电压导致器件损坏。
    - 注意散热,特别是在高电流和高温环境下。
    - 使用合适的外围电路和 PCB 布局,以减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与其他标准 SO-8 封装的 MOSFET 兼容。
    - 支持: 可联系 N. American Technical Support 获取技术支持,电话:800-282-9855(北美地区免费)。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备启动时出现不稳定现象。
    - 解决方案: 检查栅极驱动电路,确保驱动电压稳定且符合规范。

    2. 问题: 长时间运行后温升过高。
    - 解决方案: 增加散热措施,如增加散热片或使用风扇。

    总结和推荐


    综上所述,NTMS4802N 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,具有低导通电阻、低电容和优化的栅极电荷等特点。它非常适合用于直流-直流转换器、同步 MOSFET 和打印机等应用。推荐使用,但需注意合适的散热和驱动电压。

NTMS4802NR2G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.3nF@25V
最大功率耗散 910mW(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 18A,10V
配置 -
栅极电荷 36nC@ 4.5 V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 11.1A
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NTMS4802NR2G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMS4802NR2G数据手册

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NTMS4802NR2G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.3764 ¥ 3.2394
500+ $ 0.3729 ¥ 3.21
1000+ $ 0.3625 ¥ 3.0627
5000+ $ 0.3625 ¥ 3.0627
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