处理中...

首页  >  产品百科  >  NTMFS4C09NT1G

NTMFS4C09NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 760mW(Ta),25.5W(Tc) 20V 2.1V@ 250µA 10.9nC@ 4.5 V 1个N沟道 30V 5.8mΩ@ 30A,10V 9A 1.252nF@15V SO 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: LM-2473413
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4C09NT1G

NTMFS4C09NT1G概述

    NTMFS4C09N MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTMFS4C09N 是一种高性能的单片 N 沟道功率 MOSFET,采用 SO-8 FL 封装形式。它适用于 CPU 电源分配和 DC-DC 转换器等领域。这种 MOSFET 在导通状态下具有较低的 RDS(on),并提供快速开关速度,以降低驱动和开关损耗。

    2. 技术参数


    - 额定电压:VDSS = 30 V
    - 最大栅源电压:VGS = ±20 V
    - 最大连续漏极电流(稳态):TA = 25°C 时 ID = 16.4 A;TA = 80°C 时 ID = 12.3 A
    - 脉冲漏极电流:tp = 10 µs,IDM = 146 A
    - 最大工作结温和存储温度:TJ, TSTG = −55°C 至 +150°C
    - 输入电容:CISS = 1252 pF
    - 输出电容:COSS = 610 pF
    - 反向转移电容:CRSS = 126 pF
    - 总栅极电荷:QG(TOT) = 10.9 nC

    3. 产品特点和优势


    - 低 RDS(on):有助于减少导通损耗。
    - 低电容:有助于降低驱动损耗。
    - 优化的栅极电荷:有助于减少开关损耗。
    - 无铅、无卤素和 BFR 且 RoHS 合规:环保设计,符合现代电子产品要求。
    - 增强的热阻抗:改善散热性能,提高可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - CPU 电源分配:适合需要高效率电源管理的应用。
    - DC-DC 转换器:适合需要快速开关和低损耗的转换器应用。
    - 高效能电子系统:可应用于服务器、通信设备和消费电子设备。
    使用建议:
    - 确保 PCB 设计中的焊盘尺寸符合推荐标准,以提高热管理效果。
    - 使用适当的栅极电阻来优化开关性能。
    - 确保器件工作在额定温度范围内,避免过温导致的失效。

    5. 兼容性和支持


    - 该 MOSFET 与其他标准 N 沟道 MOSFET 的接口兼容,便于替代现有设计方案。
    - 厂商提供了全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利部署和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:长时间运行后出现过热。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片或风扇。
    - 问题:开关频率过高导致损耗增加。
    - 解决方案:调整栅极电阻值,优化开关速度。
    - 问题:电流超过额定值导致器件损坏。
    - 解决方案:在电路设计中加入过流保护机制。

    7. 总结和推荐


    NTMFS4C09N MOSFET 在导通损耗、驱动损耗和开关损耗方面表现优异,尤其适合高效率电源管理和 DC-DC 转换器应用。其环保设计和良好的热管理性能使其在市场上具备较强的竞争力。综合以上信息,强烈推荐在相关领域使用该产品。
    如需更多详细信息或技术支持,请联系 ON Semiconductor 官方网站或客户服务热线。

NTMFS4C09NT1G参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.252nF@15V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式quaddraintriplesource
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 760mW(Ta),25.5W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 5.8mΩ@ 30A,10V
Id-连续漏极电流 9A
通道数量 1
栅极电荷 10.9nC@ 4.5 V
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS4C09NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4C09NT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS4C09NT1G NTMFS4C09NT1G数据手册

NTMFS4C09NT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.3024 ¥ 2.5613
500+ $ 0.2974 ¥ 2.4978
1000+ $ 0.2898 ¥ 2.4343
5000+ $ 0.2848 ¥ 2.392
库存: 1477
起订量: 157 增量: 0
交货地:
最小起订量为:100
合计: ¥ 256.13
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336