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NTH4L027N65S3F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 595W(Tc) 30V 5V@3mA 259nC@ 10 V 1个N沟道 650V 27.4mΩ@ 35A,10V 75A 7.69nF@400V TO-247-4L 通孔安装
供应商型号: NTH4L027N65S3F-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTH4L027N65S3F

NTH4L027N65S3F概述

    # NTH4L027N65S3F MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    基本介绍
    NTH4L027N65S3F 是一款高性能的超级结(Super-Junction)N沟道MOSFET,属于SUPERFET III 系列。该产品以其卓越的低导通电阻和较低的门极电荷为特征,特别适用于高效率电源系统的设计。SUPERFET III MOSFET利用了电荷平衡技术,使得其在多种电力系统中实现了小型化和更高的效率。
    主要功能
    - 低导通电阻:典型值为23毫欧姆(mΩ),在10V栅源电压下测量。
    - 超低门极电荷:典型值为259纳库仑(nC)。
    - 快速开关性能:具有出色的开关特性和低输出电容。
    应用领域
    - 电信和服务器电源供应
    - 工业电源供应
    - 电动汽车充电器
    - 不间断电源(UPS)及太阳能系统

    技术参数


    主要参数
    - 漏源击穿电压(VDSS):650V
    - 最大连续漏电流(ID):75A(TC=25°C),60A(TC=100°C)
    - 最大脉冲漏电流(IDM):187.5A
    - 输出电容(Coss(eff.)):1972皮法拉(pF)
    电气特性
    - 栅源击穿电压(VGSS):±30V
    - 零栅电压漏电流(IDSS):≤10μA
    - 阈值电压(VGS(th)):3.0至5.0V
    - 反向恢复时间(trr):168纳秒(ns)
    - 有效反向恢复电荷(Qrr):1014纳库仑(nC)

    产品特点和优势


    独特功能
    - 增强型反向恢复性能:优化后的体二极管反向恢复特性减少了额外组件的使用并提升了系统的可靠性。
    - 卓越的温度特性:即使在极端环境下,也能提供稳定的性能表现。
    市场竞争力
    - 高效率:通过优化设计降低了传导损耗和开关损耗。
    - 高可靠性:经受住了严格的测试验证,确保在各种应用场景中的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该MOSFET广泛应用于电信和服务器电源供应系统、工业电源供应系统、电动汽车充电器以及不间断电源和太阳能系统。
    使用建议
    - 在设计时考虑散热管理,尤其是在高功率密度的应用中。
    - 为了提高可靠性,可以采用适当的电路布局和保护措施。

    兼容性和支持


    兼容性
    - NTH4L027N65S3F MOSFET 可与现有标准电源模块和其他同类设备无缝集成。
    支持信息
    - 详细的订购和运输信息参见数据表第2页。
    - 公司网站提供全面的技术支持和资源,包括在线文档和技术论坛。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    - Q: 如何确保MOSFET在高电流下的稳定运行?
    - A: 确保散热设计合理,避免过热导致损坏。可采用散热片或风扇等辅助散热手段。
    - Q: 如何减少反向恢复损耗?
    - A: 选择合适的电路拓扑结构,并优化驱动信号以降低反向恢复电流。

    总结和推荐


    综合评估
    NTH4L027N65S3F MOSFET凭借其卓越的低导通电阻、低门极电荷以及优秀的开关性能,在高效电源系统的设计中表现出色。它在各种电力应用中均能提供稳定可靠的表现。
    推荐使用
    鉴于其高性能和广泛的应用范围,强烈推荐在需要高效、可靠的电力转换系统中使用该产品。

NTH4L027N65S3F参数

参数
Id-连续漏极电流 75A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@3mA
栅极电荷 259nC@ 10 V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 27.4mΩ@ 35A,10V
最大功率耗散 595W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.69nF@400V
配置 独立式
通用封装 TO-247-4L
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

NTH4L027N65S3F厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTH4L027N65S3F数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTH4L027N65S3F NTH4L027N65S3F数据手册

NTH4L027N65S3F封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 23.8056 ¥ 199.2231
10+ $ 17.3378 ¥ 145.096
450+ $ 14.6318 ¥ 122.4495
库存: 429
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型号 价格(含增值税)
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