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FDS8842NZ

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.5W(Ta) 20V 3V@ 250µA 73nC@ 10V 1个N沟道 40V 7mΩ@ 14.9A,10V 14.9A 3.845nF@15V SOIC-8 贴片安装 4.9mm*3.9mm*1.75mm
供应商型号: UA-FDS8842NZ
供应商: 海外现货
标准整包数: 2500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDS8842NZ

FDS8842NZ概述


    产品简介


    产品名称:FDS8842NZ N-Channel Power Trench® MOSFET
    产品类型:功率场效应晶体管(MOSFET)
    主要功能:高效能电源转换和负载开关控制
    应用领域:笔记本电脑电压调节(Vcore)、服务器、笔记本电池和负载开关

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 (VDS) | 40 | V |
    | 最大栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
    | 持续漏电流 (ID) | 14.9 | A |
    | 脉冲漏电流 (ID) | 93 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS)| 253 | mJ |
    | 功率耗散 (PD) | 2.5 | W |
    | 热阻 (RθJC) | 25 | °C/W |
    | 热阻 (RθJA) | 50 | °C/W |
    | 操作和存储温度范围 | -55 至 +150 | °C |

    产品特点和优势


    独特功能:
    - 高效能低导通电阻(rDS(on)):在 VGS = 10V 时为 7.0 mΩ。
    - 高性能沟槽技术,具备极低 rDS(on) 和快速开关性能。
    - 极佳的温度稳定性,确保在不同环境下均表现出色。
    - 无铅且符合RoHS标准的终端,适合环保需求。
    优势:
    - 在电压转换器应用中表现优异,具有极低的热损耗。
    - 支持高功率和高电流处理能力。
    - 符合多项标准要求,如HBM ESD保护等级达4.4kV。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 笔记本电脑的Vcore同步降压转换器
    - 服务器中的电源转换器
    - 笔记本电池充电电路
    - 通用负载开关
    使用建议:
    - 使用过程中注意散热设计,确保热阻不会导致过热问题。
    - 在高负载条件下操作时,考虑使用外部散热装置以提高可靠性。

    兼容性和支持


    - 该产品可与其他电源转换电路中的标准MOSFET器件兼容。
    - 供应商提供全面的技术支持和服务,包括详细的文档和技术咨询。
    - 可通过供应商官网获取最新的产品更新和支持信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的MOSFET驱动器?
    - 解答:选择驱动器时需要考虑最大漏电流和栅源电压,确保驱动器能够支持这些参数。例如,选择一个具有足够输出电流的驱动器来确保MOSFET可以快速开关。
    2. 问题:如何进行MOSFET的热管理?
    - 解答:使用适当的散热片和风扇进行散热。可以通过增加PCB面积或者采用更大的散热片来降低热阻,避免过热问题。
    3. 问题:如何验证MOSFET的可靠性?
    - 解答:在实际应用前进行长期测试,监测其温度、电流等参数变化,确保其在不同工况下的可靠性。

    总结和推荐


    综合评估:
    FDS8842NZ N-Channel Power Trench® MOSFET在多个方面表现出色,尤其在低导通电阻和高电流处理能力上,适用于多种电源转换应用。该产品具有高性能、可靠性高和易于集成的特点,非常适合需要高效率和高可靠性的工业和消费电子应用。
    推荐结论:
    基于以上分析,FDS8842NZ是一款高度推荐的产品。无论是用于笔记本电脑、服务器还是其他电源转换应用,它都表现出色。不过,用户在应用前应仔细检查热管理方案,确保产品正常工作并达到预期效果。

FDS8842NZ参数

参数
最大功率耗散 2.5W(Ta)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@ 14.9A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.845nF@15V
配置 独立式quaddraintriplesource
Vds-漏源极击穿电压 40V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 14.9A
栅极电荷 73nC@ 10V
通道数量 1
长*宽*高 4.9mm*3.9mm*1.75mm
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDS8842NZ厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDS8842NZ数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDS8842NZ FDS8842NZ数据手册

FDS8842NZ封装设计

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