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NDD60N550U1-35G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 94W(Tc) 25V 4V@ 250µA 18nC@ 10 V 1个N沟道 600V 550mΩ@ 4A,10V 540pF@50V TO-252 通孔安装
供应商型号: CY-NDD60N550U1-35G
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDD60N550U1-35G

NDD60N550U1-35G概述

    NDD60N550U1 N-Channel Power MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    NDD60N550U1 是一款N-Channel Power MOSFET,适用于各种高电压应用。这款MOSFET的主要特点包括:600V的漏源击穿电压(V(BR)DSS)、最大550毫欧姆的导通电阻(RDS(on))和高达8.2A的连续漏极电流。它广泛应用于电源转换、电机驱动和照明系统等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |

    | 漏源电压(V(DS)) | VDSS | 600 | V |
    | 栅源电压(V(GS)) | VGS | ±25 | V |
    | 连续漏极电流(稳态) | ID | 8.2 | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 34 | A |
    | 功耗(稳态) | PD | 94 | W |
    | 结温范围 | TJ, TSTG | -55 to +150 | °C |
    | 单脉冲漏极到源极雪崩能量 | EAS | 54 | mJ |
    | 最大正向二极管恢复电压 | dv/dt | 15 | V/ns |

    3. 产品特点和优势


    - 无铅、无卤素和RoHS合规:NDD60N550U1 是一款环保型MOSFET,符合RoHS标准,且不含铅、卤素和BFR。
    - 100%雪崩测试:确保产品的可靠性和稳定性。
    - 低导通电阻:具有低至550毫欧姆的导通电阻,提高能效。
    - 高温稳定:可在-55到+150°C的温度范围内正常工作,适用于极端环境。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换:NDD60N550U1 可用于各类开关电源,如服务器电源、通信电源等。
    - 电机驱动:在电动工具和家电中作为电机驱动器的功率开关。
    - 照明系统:适用于LED驱动器和其他照明应用。
    使用建议:
    - 确保电路设计时留有足够的散热空间,以保证MOSFET在高电流下的可靠性。
    - 配合合适的栅极电阻,以降低开关损耗并提高效率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NDD60N550U1 与多种封装(如IPAK和DPAK)兼容,方便集成到不同设计中。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,可通过官方网站和技术支持热线获取更多信息。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:产品出现过热现象。
    - 解决方案:检查电路设计,确保散热设计足够;增加散热片或风扇以加强散热。
    - 问题2:器件损坏。
    - 解决方案:检查电路是否超过额定参数;确认是否超过绝对最大额定值。

    7. 总结和推荐


    NDD60N550U1 是一款高性能、可靠稳定的N-Channel Power MOSFET,适用于多种高电压应用。它的环保特性和优秀的电气性能使其在市场上具有很强的竞争力。我们强烈推荐该产品用于需要高可靠性的电源管理和电机控制应用。

NDD60N550U1-35G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 540pF@50V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 25V
最大功率耗散 94W(Tc)
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 550mΩ@ 4A,10V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 18nC@ 10 V
通用封装 TO-252
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

NDD60N550U1-35G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NDD60N550U1-35G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NDD60N550U1-35G NDD60N550U1-35G数据手册

NDD60N550U1-35G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.6874 ¥ 5.9151
300+ $ 0.6811 ¥ 5.8618
500+ $ 0.6748 ¥ 5.8085
1000+ $ 0.6559 ¥ 5.542
5000+ $ 0.6559 ¥ 5.542
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