处理中...

首页  >  产品百科  >  NVD5867NLT4G

NVD5867NLT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.3W(Ta),43W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 15nC@ 10V 1个N沟道 60V 39mΩ@ 11A,10V 6A,22A 675pF@25V DPAK-3 贴片安装
供应商型号: NVD5867NLT4G
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVD5867NLT4G

NVD5867NLT4G概述

    NVD5867NL Power MOSFET 技术手册综述

    产品简介


    NVD5867NL 是一款由 Semiconductor Components Industries, LLC 生产的高性能单极型N通道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它主要用于处理高电流和低电阻的应用场景。产品具有低通态电阻(RDS(on)),高电流承载能力,以及指定的雪崩能量。此外,该产品已经通过了AEC-Q101认证并具备PPAP生产能力。NVD5867NL 还符合无铅(Pb-free)、卤素自由和BFR自由的要求,且完全符合RoHS标准。

    技术参数


    - 电压参数
    - 栅源电压(VGS):±20 V
    - 漏源电压(VDSS):60 V
    - 电流参数
    - 持续漏极电流(TC = 25°C):22 A
    - 漏极脉冲电流(TA = 25°C, tp = 10 μs):85 A
    - 最大漏极电流(IDmaxpkg):30 A
    - 热参数
    - 结到壳(漏)热阻抗(RJC):3.5 °C/W
    - 结到壳(漏)热阻抗(RJA):45 °C/W
    - 其它参数
    - 栅阈值电压(VGS(TH)):1.5 V 至 2.5 V
    - 导通电阻(RDS(on)):39 mΩ(VGS = 10 V, ID = 11 A)

    产品特点和优势


    NVD5867NL 的显著优势在于其低导通电阻,可以有效减少传导损耗,同时具备高电流承载能力和高可靠性。这些特点使得它适用于需要高效率和可靠性的电力系统。此外,通过AEC-Q101认证使其成为汽车电子系统的理想选择。产品设计为无铅且环保,满足RoHS要求,适合广泛的工业和消费应用。

    应用案例和使用建议


    NVD5867NL 适用于多种应用场合,包括但不限于:
    - 电源转换:如直流-直流转换器和逆变器
    - 电机驱动:用于电动工具、家电及自动化设备
    - 新能源应用:太阳能光伏逆变器和风力发电系统
    使用建议:
    1. 在设计时,确保散热系统的有效性以避免过热。
    2. 根据实际工作环境选择合适的封装尺寸。
    3. 针对不同的负载情况调整栅极电阻(RG)以优化开关速度。

    兼容性和支持


    NVD5867NL 封装为DPAK,该封装广泛应用于各种电路板设计中,易于与现有系统兼容。厂商提供了详细的订购和支持服务,包括免费的技术支持热线以及在线资源,以便用户获取最新资料和技术文档。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 在高温环境下,NVD5867NL 的导通电阻是否会增加?
    A: 是的,根据产品手册,导通电阻会随着温度升高而增加。建议在高温条件下进行充分的散热设计以保持性能稳定。
    2. Q: 如何防止过流损坏?
    A: 在设计电路时,加入过流保护机制是必要的。合理设置限流电阻或使用保护芯片,确保电路安全。

    总结和推荐


    总体而言,NVD5867NL 是一款性能优异的功率MOSFET,适用于需要高效能、高可靠性的应用场景。其低导通电阻和良好的电气特性使其成为许多领域的首选。尽管价格可能较高,但其出色的性能和可靠性使其值得投资。我们强烈推荐使用NVD5867NL 来构建高性能、长寿命的电子系统。

NVD5867NLT4G参数

参数
Id-连续漏极电流 6A,22A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 675pF@25V
最大功率耗散 3.3W(Ta),43W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 39mΩ@ 11A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
栅极电荷 15nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.51mm(Max)
通用封装 DPAK-3
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NVD5867NLT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVD5867NLT4G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVD5867NLT4G NVD5867NLT4G数据手册

NVD5867NLT4G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ ¥ 3.8304
库存: 10000
起订量: 2500 增量: 0
交货地:
最小起订量为:500
合计: ¥ 1915.2
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0