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FQPF6N80CT

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 51W(Tc) 30V 5V@ 250µA 30nC@ 10V 1个N沟道 800V 2.5Ω@ 2.75A,10V 5.5A 1.31nF@25V TO-220F 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: CY-FQPF6N80CT
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FQPF6N80CT

FQPF6N80CT概述


    产品简介


    产品类型: N-Channel QFET® MOSFET
    主要功能: 该电子元器件是一种增强模式的功率场效应晶体管(MOSFET),专为减少导通电阻、提供出色的开关性能和高雪崩能量强度而设计。
    应用领域: 这种MOSFET适用于开关电源、主动功率因数校正(PFC)和电子灯管镇流器等领域。

    技术参数


    - 型号: FQP6N80C / FQPF6N80C
    - 额定电压(VDSS): 800V
    - 连续漏极电流(ID):
    - 在25°C时:5.5A
    - 在100°C时:3.2A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 22A
    - 栅源电压(VGSS): ±30V
    - 单次脉冲雪崩能量(EAS): 680mJ
    - 平均功率耗散(PD):
    - 在25°C时:158W
    - 温度上升后的降额:1.27W/°C
    - 封装: TO-220和TO-220F
    - 绝对最大额定值:
    - 结到外壳热阻(RθJC):0.79°C/W(最大)
    - 外壳到散热片热阻(RθCS):0.5°C/W(典型)
    - 结到环境热阻(RθJA):62.5°C/W(最大)

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg): 典型值仅为21nC,有利于快速开关操作。
    - 低反向恢复电容(Crss): 典型值为8pF,有助于提高电路的频率响应。
    - 100% 雪崩测试合格: 确保了产品的可靠性。
    - 温度系数: 门阈电压(VGS(th))的温度系数较低,适合高温应用。
    - 低导通电阻(RDS(on)): 最大值为2.5Ω,这使得其在高电流应用中表现出色。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 开关电源:这种MOSFET可以用于直流转换器和其他开关电源中,以实现高效的能量转换。
    - 功率因数校正(PFC):在需要高功率密度的应用中,比如家用电器和工业设备中的PFC模块。
    - 电子灯管镇流器:可用于荧光灯和LED照明系统,以提高能效和稳定性。
    使用建议:
    - 散热管理: 由于较高的热阻(RθJA),必须采用有效的散热措施,例如散热片或强制风冷,以避免过热。
    - 应用电路优化: 使用LC谐振电路或软开关技术可以进一步降低损耗,提高效率。
    - 温度监控: 定期监测器件温度,确保其在安全范围内运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性: FQP6N80C / FQPF6N80C 可以与其他标准TO-220和TO-220F封装的元件兼容,便于替换和应用。
    - 支持和服务: ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和设计指南,帮助用户进行应用开发和支持。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何判断是否过热?
    A: 检查散热措施的有效性,确保器件温度低于最大额定温度。如果超过,增加散热面积或采用更高效的散热方式。

    - Q:如何降低开关损耗?
    A: 使用低电容(Crss)的MOSFET,减少反向恢复时间(trr),并优化驱动电路以加快开关速度。

    - Q:如何验证器件是否损坏?
    A: 使用万用表测量栅源电压(VGS)和漏源电压(VDS),并与数据表中的参数进行对比,确定是否有异常。

    总结和推荐


    FQP6N80C / FQPF6N80C 是一款高性能的N-Channel MOSFET,具有低导通电阻、低栅极电荷和高可靠性等显著优点,非常适合在高功率应用中使用。尽管存在较高的热阻,但通过合适的散热管理,这些MOSFET仍然能够发挥出最佳性能。因此,对于需要高效、可靠的开关应用,这款产品是非常值得推荐的。

FQPF6N80CT参数

参数
Id-连续漏极电流 5.5A
栅极电荷 30nC@ 10V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.5Ω@ 2.75A,10V
最大功率耗散 51W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.31nF@25V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5V@ 250µA
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 800V
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FQPF6N80CT厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FQPF6N80CT数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FQPF6N80CT FQPF6N80CT数据手册

FQPF6N80CT封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.9209 ¥ 7.9247
300+ $ 0.9125 ¥ 7.8533
500+ $ 0.904 ¥ 7.7819
1000+ $ 0.8787 ¥ 7.4249
5000+ $ 0.8787 ¥ 7.4249
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