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FDS89161

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.6W 20V 4V@ 250µA 4.1nC@ 10V 2个N沟道 100V 105mΩ@ 2.7A,10V 2.7A 210pF@50V SOIC-8 贴片安装 4.9mm(长度)*3.9mm(宽度)
供应商型号: AV-S-FSCFDS89161
供应商: Avnet
标准整包数: 2500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDS89161

FDS89161概述

    FDS89161 双通道屏蔽栅极 PowerTrench® MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDS89161 是一款由 ON Semiconductor(前身为 Fairchild Semiconductor)生产的双通道屏蔽栅极 PowerTrench® 功率 MOSFET。这款产品适用于需要高功率和电流处理能力的应用,如同步整流和桥式拓扑的主开关。FDS89161 集成了先进的 PowerTrench® 工艺技术,提供低静态导通电阻 (rDS(on)) 和出色的开关性能。

    技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 (VDS) 100 | V |
    | 栅源电压 (VGS) | ±20 V |
    | 连续漏电流 (ID) 2.7 A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) 13 | mJ |
    | 功耗 (PD) 31 | W |
    | 结温 (TJ) | -55 150 | °C |
    | 热阻 (RθJC) 40 °C/W |
    | 热阻 (RθJA) 78 °C/W |

    产品特点和优势


    - 低静态导通电阻 (rDS(on)):在 VGS = 10 V,ID = 2.7 A 条件下,最大 rDS(on) 为 105 mΩ;在 VGS = 6 V,ID = 2.1 A 条件下,最大 rDS(on) 为 171 mΩ。
    - 优秀的温度系数:在 VDS = 80 V,VGS = 0 V 条件下,零栅源电压漏电流 (IDSS) 为 1 μA;栅源泄漏电流 (IGSS) 在 VGS = ±20 V,VDS = 0 V 条件下为 ±100 nA。
    - 高可靠性:通过 100% 无负载冲击测试 (UIL) 认证,并符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    - 同步整流:FDS89161 可用于各种电源转换应用,如 DC-DC 转换器中的同步整流。
    - 桥式拓扑的主开关:在半桥或全桥电路中作为主开关,提高整体效率。
    - 使用建议:确保电路设计时考虑热管理,避免过高的结温导致器件损坏。在高频开关应用中,应合理选择栅极电阻以优化开关速度和功耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDS89161 采用 SO-8 封装,与多种标准封装引脚相兼容,便于替换其他品牌类似规格的产品。
    - 支持信息:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,包括常见问题解答和故障排除指南,确保用户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定最佳的栅极电阻?
    - 解决方案:根据具体应用需求和负载条件选择合适的栅极电阻。通常情况下,较小的栅极电阻可以加快开关速度,但会增加开关损耗。
    2. 问题:长时间工作后结温过高怎么办?
    - 解决方案:改善散热设计,如添加散热片或优化 PCB 布局,确保良好的空气流通。此外,可考虑降额使用以减少发热。

    总结和推荐


    FDS89161 是一款高性能的双通道屏蔽栅极 PowerTrench® MOSFET,具有出色的导通电阻和开关性能,适合在高功率应用中作为主开关或同步整流器。它在温度稳定性、可靠性和封装兼容性方面表现出色。对于需要高效电源转换的应用,强烈推荐使用 FDS89161。然而,在使用过程中需要注意合理的电路设计和散热管理,以充分发挥其性能并延长使用寿命。

FDS89161参数

参数
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 2.7A
Rds(On)-漏源导通电阻 105mΩ@ 2.7A,10V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置
通道数量 2
最大功率耗散 1.6W
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 210pF@50V
栅极电荷 4.1nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 4.9mm(长度)*3.9mm(宽度)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDS89161厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDS89161数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDS89161 FDS89161数据手册

FDS89161封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ $ 0.7097 ¥ 6.281
7500+ $ 0.7034 ¥ 6.2249
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