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NDDL01N60Z-1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 26W(Tc) 30V 4.5V@ 50µA 4.9nC@ 10 V 1个N沟道 600V 15Ω@ 400mA,10V 800mA 92pF@25V TO-251 通孔安装
供应商型号: J-ONSM-0131458
供应商: Chip1stop
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDDL01N60Z-1G

NDDL01N60Z-1G概述

    # 电子元器件产品技术手册:N-Channel Power MOSFET (型号:NDDL01N60Z, NDTL01N60Z)

    产品简介


    本手册描述的是N-Channel Power MOSFET(型号:NDDL01N60Z 和 NDTL01N60Z),一款专门设计用于高电压、高电流应用的功率场效应晶体管。这类元器件通常应用于电力转换系统、电机驱动、焊接设备和工业控制等领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏极到源极电压:VDSS = 600 V
    - 栅极到源极电压:VGS = ±30 V
    - 连续漏极电流(稳态):
    - TC = 25°C时:ID = 0.8 A
    - TC = 100°C时:ID = 0.5 A
    - 最大功率耗散:
    - TC = 25°C时:PD = 26 W
    - 单脉冲漏极峰值电流:IDM = 3.4 A
    - 源极电流(体二极管):IS = 2.5 A
    - 单脉冲漏极-源极雪崩能量:EAS = 12 mJ
    - 最大峰值恢复电压上升率:dv/dt = 4.5 V/ns
    热阻抗
    - 结点至外壳(漏极):RJC = 4.8°C/W
    - 结点至环境:
    - 表面贴装于FR4板上:RJA = 42°C/W(1平方英寸焊盘)
    - 表面贴装于FR4板上(最小推荐焊盘):RJA = 151°C/W

    产品特点和优势


    - 100%雪崩测试:确保器件在极端条件下的可靠性。
    - 栅极电荷最小化:优化开关性能。
    - 齐纳保护:防止过电压损坏。
    - 无铅、无卤素、符合RoHS标准:环保特性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    N-Channel Power MOSFET 广泛应用于各种高电压和高电流环境,如电源转换器、逆变器、电池充电器、电动机驱动电路等。以下是具体的应用场景:
    - 在一个高压直流电源中,MOSFET用于降压和调节输出电压。
    - 在电机驱动系统中,用于快速切换控制电机的速度和方向。
    使用建议
    - 选择合适的散热方案以保证良好的热稳定性。
    - 确保电路布局合理,避免不必要的寄生电容。
    - 遵循手册中提供的安全操作规范,避免损坏器件。

    兼容性和支持


    NDDL01N60Z 和 NDTL01N60Z 可与标准引脚布局兼容的其他电路板和模块连接,支持不同封装形式。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,包括应用笔记和技术支持热线。

    常见问题与解决方案



    常见问题与解决方案


    1. 过热问题
    - 解决方案:确保良好的散热机制,使用散热片或散热器。
    2. 电压波动问题
    - 解决方案:检查电路中是否有足够的电容来稳定输入电压。
    3. 启动延迟问题
    - 解决方案:调整栅极电阻值,减少开关时间延迟。

    总结和推荐


    NDDL01N60Z 和 NDTL01N60Z 是适用于高电压和高电流应用的高效功率MOSFET。它们具备卓越的电气特性和坚固耐用的设计,能够在极端条件下保持出色的性能。这些器件不仅具有高度的可靠性和广泛的适用范围,还兼顾了环保特性,使其成为电力转换领域的理想选择。强烈推荐在需要高性能和高可靠性的应用中使用该产品。

NDDL01N60Z-1G参数

参数
最大功率耗散 26W(Tc)
栅极电荷 4.9nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 92pF@25V
配置 独立式
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 600V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 50µA
Id-连续漏极电流 800mA
Rds(On)-漏源导通电阻 15Ω@ 400mA,10V
6.73mm(Max)
2.38mm(Max)
6.35mm(Max)
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
应用等级 军用级
零件状态 停产
包装方式 管装

NDDL01N60Z-1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NDDL01N60Z-1G数据手册

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NDDL01N60Z-1G封装设计

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