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NTMFS4925NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 920mW(Ta),23.2W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 21.5nC@ 10 V 1个N沟道 30V 5.6mΩ@ 30A,10V 9.7A,48A 1.264nF@15V 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: FL-NTMFS4925NT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4925NT1G

NTMFS4925NT1G概述

    NTMFS4925N MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTMFS4925N 是一款单通道N沟道增强型MOSFET,采用SO-8 FL封装。它专为电源管理和转换设计,具有低导通电阻(RDS(on))、低电容和优化的栅极电荷等特点。这款MOSFET主要应用于CPU电源输送和DC-DC转换器等领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 30 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID): 25.2 A (TA = 25°C)
    - 功率耗散 (PD): 6.16 W (TA = 25°C)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 34 mJ
    - 电气特性
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)):
    - 5.6 mΩ @ 10 V
    - 8.5 mΩ @ 4.5 V
    - 输入电容 (CISS): 1264 pF
    - 输出电容 (COSS): 483 pF
    - 反向传输电容 (CRSS): 143 pF
    - 开关特性
    - 开启延迟时间 (td(ON)): 7.4 ns (VGS = 10 V)
    - 上升时间 (tr): 27.5 ns
    - 关闭延迟时间 (td(OFF)): 20.3 ns
    - 下降时间 (tf): 4.1 ns

    3. 产品特点和优势


    - 低RDS(on):低导通电阻(RDS(on))能够显著降低功率损耗。
    - 低电容:低输入、输出和反向传输电容有助于减少驱动器损耗。
    - 优化的栅极电荷:优化的栅极电荷能够降低开关损耗。
    - 适用于5V和12V栅极驱动:适用于多种栅极驱动电压,便于集成。
    - 无铅,无卤素,符合RoHS标准:环保材料,满足全球环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例
    - CPU电源输送:NTMFS4925N可以有效提高电源输送效率,减少能耗。
    - DC-DC转换器:由于其出色的开关特性和低损耗特性,适用于各种DC-DC转换器。
    - 使用建议
    - 在高温环境下使用时,需注意散热,以避免过热引起的可靠性问题。
    - 选择适当的栅极电阻(RG),以优化开关时间和驱动效率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性
    - NTMFS4925N 可与其他采用相同封装和引脚布局的器件兼容,便于替代现有设计方案。

    - 支持和维护
    - ON Semiconductor 提供全面的技术支持和客户支持服务,可通过技术支持热线和电子邮件获取帮助。


    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: MOSFET温度过高导致损坏。
    - 解决方法: 确保足够的散热措施,例如增加散热片或改进PCB布局。
    - 问题: 开关频率不稳定。
    - 解决方法: 检查电路板接地情况,适当调整栅极电阻(RG)。
    - 问题: 电路启动时电流过大。
    - 解决方法: 在启动电路中加入软启动功能或限制初始电流。

    7. 总结和推荐


    NTMFS4925N MOSFET凭借其卓越的低RDS(on)、低电容和优化的栅极电荷等特点,在CPU电源输送和DC-DC转换器等领域表现出色。它的无铅、无卤素和RoHS合规使其成为环保友好的首选。综合以上特点,强烈推荐在高要求的电源管理和转换应用中使用NTMFS4925N。
    本手册提供了详尽的技术参数和应用指南,确保用户能够充分发挥NTMFS4925N的优势,从而提升整体系统的性能和可靠性。

NTMFS4925NT1G参数

参数
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.264nF@15V
Id-连续漏极电流 9.7A,48A
Rds(On)-漏源导通电阻 5.6mΩ@ 30A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
最大功率耗散 920mW(Ta),23.2W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 21.5nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 1
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS4925NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4925NT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS4925NT1G NTMFS4925NT1G数据手册

NTMFS4925NT1G封装设计

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