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NVMFS4C01NT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.84W(Ta),161W(Tc) 20V 2.2V@ 250µA 139nC@ 10 V 1个N沟道 30V 900μΩ@ 30A,10V 49A,319A 10.144nF@15V 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: NVMFS4C01NT1G
供应商: 国内现货
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS4C01NT1G

NVMFS4C01NT1G概述


    产品简介


    产品类型: N-Channel MOSFET
    主要功能: 该产品是一款单片逻辑电平功率N-通道MOSFET,适用于需要高效能和紧凑设计的应用场景。
    应用领域: 主要用于电源管理、直流电机控制、电池充电电路、开关电源转换器及各种汽车应用。

    技术参数


    - 额定电压(VDSS): 30 V
    - 栅极对源极电压(VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流(ID):
    - 稳态(TC = 25°C):370 A
    - 环境温度(TA = 25°C):57 A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): TA = 25°C, tp = 10 μs:900 A
    - 最大功耗(PD):
    - 稳态(TC = 25°C):161 W
    - 环境温度(TA = 25°C):3.84 W
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS): VGS = 0 V,VDS = 24 V:1 μA(TJ = 25 °C),100 μA(TJ = 125°C)
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10 V,ID = 30 A:0.67 mΩ
    - VGS = 4.5 V,ID = 30 A:0.95 mΩ
    - 反向恢复时间(tRR): VGS = 0 V,dIS/dt = 100 A/μs,IS = 30 A:87 ns
    - 反向恢复电荷(QRR): 147 nC
    - 输入电容(CISS): VGS = 0 V,f = 1 MHz,VDS = 15 V:10144 pF
    - 总栅极电荷(QG(TOT)):
    - VGS = 4.5 V,VDS = 15 V;ID = 30 A:63 nC
    - VGS = 10 V,VDS = 15 V,ID = 30 A:139 nC
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55°C 至 175°C
    - 湿可焊坡口选项: NVMFS4C01NWF 型号支持,便于增强光学检查。

    产品特点和优势


    1. 小尺寸封装: 采用5x6mm的小尺寸封装,适用于紧凑型设计。
    2. 低导通电阻: 0.67 mΩ(VGS = 10 V时),能够有效减少导通损耗。
    3. 低栅极电荷: 总栅极电荷为63 nC,有效降低驱动损耗。
    4. AEC-Q101认证: 符合汽车应用标准。
    5. 环保材料: 无铅、无卤素、无BFR且RoHS合规。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    该产品广泛应用于汽车电子系统、电源管理系统、工业自动化设备等。例如,在直流电机控制系统中,它能提供高效的电流控制能力。
    使用建议:
    1. 在设计电源管理系统时,考虑到其出色的导通电阻和低栅极电荷特性,可以显著提高系统效率。
    2. 针对高温环境下的应用,建议采取适当的散热措施以避免因过热导致的可靠性下降。
    3. 使用湿可焊坡口选项的型号(如NVMFS4C01NWF)可以提供更可靠的焊接连接,并便于光学检测。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 支持多种封装形式(如SO-8FL),易于与其他电子元件集成。
    - 支持: 厂商提供详细的技术文档、样品和全面的技术支持,以确保客户的顺利应用。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备在高电流下运行时发热严重。
    - 解决办法: 增加外部散热措施,例如添加散热片或采用强制风冷。
    2. 问题: 在高频开关应用中出现性能下降。
    - 解决办法: 调整栅极电阻以优化开关特性。
    3. 问题: 设备无法达到预期的工作温度范围。
    - 解决办法: 重新考虑系统的冷却策略,必要时增加外部冷却装置。

    总结和推荐


    总结:
    NVMFS4C01N MOSFET具有优异的电气性能,特别适合需要高效能和紧凑设计的应用。其低导通电阻、低栅极电荷和高可靠性使其在市场上具备很强的竞争力。产品通过了AEC-Q101认证,并且无铅、无卤素、无BFR且符合RoHS标准,使其成为绿色电子产品的首选。
    推荐:
    鉴于其卓越的性能和广泛的适用范围,强烈推荐将NVMFS4C01N MOSFET用于各类高要求的应用场景。无论是工业自动化、汽车电子还是消费电子产品,都能提供稳定可靠的性能支持。

NVMFS4C01NT1G参数

参数
最大功率耗散 3.84W(Ta),161W(Tc)
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 10.144nF@15V
栅极电荷 139nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 900μΩ@ 30A,10V
Id-连续漏极电流 49A,319A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS4C01NT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS4C01NT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS4C01NT1G NVMFS4C01NT1G数据手册

NVMFS4C01NT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1500+ ¥ 16.048
3000+ ¥ 15.912
4500+ ¥ 15.64
6000+ ¥ 15.368
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