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NTMT061N60S5F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 255W(Tc) 4.8V@4.6mA 76nC@ 10 V 1个N沟道 600V 61mΩ@ 20.5A,10V 4.175nF@400V 贴片安装
供应商型号: CY-NTMT061N60S5F
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMT061N60S5F

NTMT061N60S5F概述

    NTMT061N60S5F MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NTMT061N60S5F 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的N沟道超级结MOSFET(Superjunction MOSFET),型号为NTMT061N60S5F。该产品采用了“SUPERFET V”和“FRFET”技术,具有出色的反向恢复性能。这款MOSFET采用超薄表面贴装封装(Power88),具备开尔文源配置和较低的寄生源电感。这些特点使其非常适合软开关应用,如PSFB(推挽式半桥)和LLC(零电压开关)。应用范围包括计算/显示电源、电信/服务器电源、照明/充电器/适配器/工业电源等。

    技术参数


    - 工作电压:最大耐压为600V(VDSS)
    - 最大漏极电流:25°C时为41A,100°C时为25A(ID)
    - 连续功率损耗:25°C时为255W(PD)
    - 单脉冲雪崩能量:在IL = 6.7A、RG = 25Ω条件下,EAS = 376mJ
    - 重复雪崩能量:EAR = 2.55mJ
    - 寄生源电感:低寄生源电感
    - 开关特性:典型开关时间td(on) = 42ns,tf = 2.8ns
    - 门极阈值电压:VGS(th) = 3.2~4.8V
    - 反向恢复时间:tRR = 124ns

    产品特点和优势


    - 高可靠性:通过100%雪崩测试,且MSL1合格
    - 卓越的反向恢复性能:采用FRFET技术,有效减少附加组件并提高系统可靠性
    - 低寄生源电感:采用开尔文源配置,降低寄生源电感
    - 环保合规:无铅、无卤素/无BFR,并符合RoHS标准

    应用案例和使用建议


    NTMT061N60S5F MOSFET 广泛应用于多种电源转换系统中,如计算/显示电源、电信/服务器电源等。具体使用建议如下:
    - 在设计软开关电路时,应注意该MOSFET的低寄生源电感特性,以优化整体电路性能
    - 在高压环境下使用时,需注意散热设计,确保工作温度不超过150°C
    - 在选择外围元件时,考虑其与MOSFET的电气特性匹配,避免不必要的能耗

    兼容性和支持


    - 封装:TDFN4,尺寸为8.00x8.00x1.00mm,引脚间距2.00P
    - 支持服务:安森美半导体提供技术支持,包括在线文档、技术支持热线等

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品过热导致性能下降
    - 解决方案:增加散热片或改进散热设计
    - 问题:栅极驱动电压不稳定
    - 解决方案:检查栅极驱动电路,确保驱动电压稳定在指定范围内
    - 问题:启动时电流过高
    - 解决方案:逐步增加栅极驱动电压,避免瞬时电流冲击

    总结和推荐


    NTMT061N60S5F MOSFET凭借其高性能和广泛的应用范围,在多种电源转换系统中表现出色。该产品具备卓越的反向恢复性能和低寄生源电感,能够有效提升系统的可靠性和效率。总体来看,这是一款值得推荐的高品质MOSFET,适用于各类电源转换应用。

NTMT061N60S5F参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.175nF@400V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.8V@4.6mA
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@ 20.5A,10V
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 255W(Tc)
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 76nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 600V
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

NTMT061N60S5F厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMT061N60S5F数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMT061N60S5F NTMT061N60S5F数据手册

NTMT061N60S5F封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ $ 4.2451 ¥ 35.2526
50+ $ 4.0621 ¥ 34.6342
100+ $ 3.9889 ¥ 34.3249
300+ $ 3.9523 ¥ 34.0157
500+ $ 3.9157 ¥ 33.7065
1000+ $ 3.806 ¥ 32.1603
5000+ $ 3.806 ¥ 32.1603
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