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NVTFWS070N10MCLTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.9W(Ta),25W(Tc) 3V@ 15µA 5.5nC@ 10 V 1个N沟道 100V 65mΩ@ 3A,10V 305pF@50V 贴片安装
供应商型号: FL-NVTFWS070N10MCLTAG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFWS070N10MCLTAG

NVTFWS070N10MCLTAG概述

    NVTFS070N10MCL MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NVTFS070N10MCL 是一种由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于功率型单片器件。这款器件具备紧凑设计、低导通电阻、低电容等显著特点,广泛应用于电源管理、汽车电子、工业控制等领域。

    2. 技术参数


    以下是 NVTFS070N10MCL 的主要技术规格:
    - 电压范围:漏源电压 VDSS 最大为 100 V。
    - 电流能力:连续漏极电流 ID 在 25°C 时最大可达 13 A,在 100°C 时为 9.0 A。
    - 功率耗散:在 25°C 时最大功率耗散 PD 为 25 W,在 100°C 时为 12 W。
    - 脉冲电流:最大脉冲漏极电流 IDM 在 25°C 时可达 47 A。
    - 热阻抗:结到外壳热阻 RJC 为 6.0 °C/W,结到环境热阻 RJA 为 51 °C/W。
    - 存储温度范围:-55 至 +175°C。
    - 电气特性:漏源击穿电压 V(BR)DSS 最大值为 100 V,零栅源漏电流 IDSS 最大值为 1.0 μA,栅源漏电 IGSS 最大值为 100 nA。
    - 电阻特性:漏源导通电阻 RDS(on) 在 VGS=10 V 时最大值为 65 mΩ,在 VGS=4.5 V 时最大值为 90 mΩ。
    - 充电特性:输入电容 CISS 最大值为 305 pF,输出电容 COSS 最大值为 135 pF,反向转移电容 CRSS 最大值为 1.9。

    3. 产品特点和优势


    - 小型封装:采用 3.3 x 3.3 mm 封装,适用于紧凑设计。
    - 低 RDS(on):具有极低的漏源导通电阻,可以有效减少传导损耗。
    - 低电容:输入、输出和反向转移电容较低,有助于降低驱动损耗。
    - 湿法侧墙支持:通过 NVTFWS070N10MCL 型号提供湿法侧墙支持。
    - 车规认证:符合 AEC-Q101 认证标准,并具备生产件批准程序(PPAP)能力。
    - 环保特性:无铅(Pb-Free)且符合 RoHS 规范。

    4. 应用案例和使用建议


    NVTFS070N10MCL 适合用于需要高效率转换的应用,如电源管理、电机驱动、照明系统等。例如,在一个 DC-DC 转换器中,它可以用于减少开关损耗和提升转换效率。此外,针对高温环境的应用,建议进行详细的热管理设计以确保安全运行。
    使用建议:
    - 确保散热片与器件之间接触良好,以提高热传导效率。
    - 在高频开关应用中,选择合适的栅极电阻来优化开关速度。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适用于多种 PCB 材料和焊接工艺,具体请参考制造商的推荐文档。
    - 技术支持:安森美半导体提供详尽的技术文档和支持服务,可以通过其官网获取更多详细信息和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:器件温度过高导致性能下降。
    - 解决方案:增加外部散热片或改进 PCB 散热设计,确保良好的热管理。
    - 问题:电路启动时出现振荡现象。
    - 解决方案:检查电路设计,适当调整栅极电阻以抑制振荡。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NVTFS070N10MCL 是一款高度集成、高效能的 N 沟道 MOSFET,适用于各种高要求的应用场合。其紧凑的设计、低损耗特性以及出色的热管理能力使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的工程师和设计师。

NVTFWS070N10MCLTAG参数

参数
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 5.5nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 15µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 305pF@50V
最大功率耗散 2.9W(Ta),25W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 3A,10V
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

NVTFWS070N10MCLTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFWS070N10MCLTAG数据手册

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NVTFWS070N10MCLTAG封装设计

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