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NVTYS002N03CLTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 37nC@ 10V 2.25mΩ@ 50A,10V 29A;140A LFPAK-8
供应商型号: Q-NVTYS002N03CLTWG
供应商: 期货订购
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTYS002N03CLTWG

NVTYS002N03CLTWG概述

    # NVTYS002N03CL MOSFET 技术概述

    1. 产品简介


    NVTYS002N03CL 是一款高性能的单通道 N 沟道功率 MOSFET,专为降低导通损耗、驱动损耗及开关损耗而设计。该器件采用 LFPAK33 封装,具备低导通电阻(RDS(on))和优化的栅极电荷(QG),非常适合用于高效率电源转换、电机控制和其他需要快速开关的应用场景。
    主要功能包括:
    - 支持高电流和高电压操作
    - 优异的开关性能
    - 温度稳定性强
    - 符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车电子
    应用领域广泛,涵盖消费电子、工业控制、通信设备以及新能源汽车等领域。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | 30 | - | - | V |
    | 栅源电压范围 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 持续漏极电流(稳态) | ID | - | 29 | - | A |
    | 导通电阻(10V VGS) | RDS(on) | 1.9 | 2.25 | - | mΩ |
    | 导通电阻(4.5V VGS) | RDS(on) | 2.8 | 3.1 | - | mΩ |
    | 栅极充电总电荷(10V VGS) | QG(TOT) | - | 37 | - | nC |
    | 开关延迟时间(4.5V VGS) | td(ON) | 11.5 | - | - | ns |
    | 关断延迟时间 | td(OFF) | - | 32 | - | ns |
    工作环境条件:
    - 工作温度范围:-55°C 至 +175°C
    - 最大脉冲漏极电流:675A
    - 最大封装引脚焊接温度:260°C

    3. 产品特点和优势


    NVTYS002N03CL MOSFET 的关键特点如下:
    - 低导通电阻:典型值仅为 2.25mΩ(在 10V VGS 下),大幅减少导通损耗。
    - 优化的栅极电荷:有助于降低开关损耗,提高整体能效。
    - 卓越的热性能:最高可达 140A 的连续漏极电流,适合高功率应用。
    - AEC-Q101 认证:确保产品符合汽车级质量标准。
    - 环保设计:无铅且符合 RoHS 规范,绿色环保。
    这些特性使得 NVTYS002N03CL 在高效率和高可靠性要求的应用中具有显著优势。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电机驱动器:利用其快速开关特性实现高效能量转换。
    - DC-DC 转换器:降低开关损耗,提升系统整体效率。
    - 新能源汽车:满足高功率密度和高温工作需求。
    使用建议:
    - 确保 PCB 设计中合理分配铜箔面积,以优化散热效果。
    - 使用低阻抗的栅极驱动电路,减少开关过程中的能量损失。
    - 定期监测工作温度,避免过热导致性能下降。

    5. 兼容性和支持


    NVTYS002N03CL 可与多种主流 MCU 和控制器无缝集成,适用于广泛的电路设计。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线应用指南和 24/7 技术咨询热线。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率不足 | 检查驱动电路设计,增加栅极驱动能力 |
    | 导通电阻异常增大 | 确认 VGS 是否达到额定值,调整驱动电压 |
    | 过温保护触发 | 改善散热设计,增加外部风扇或散热片 |

    7. 总结和推荐


    NVTYS002N03CL MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,其出色的导通特性和低功耗设计使其成为众多高效率应用的理想选择。尤其在需要快速开关、高电流处理能力和宽温度适应性的场景中表现出色。
    推荐指数:★★★★★
    适用场景:高功率电源、电机驱动、新能源汽车等。

NVTYS002N03CLTWG参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2.25mΩ@ 50A,10V
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 29A;140A
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
栅极电荷 37nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 LFPAK-8
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTYS002N03CLTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTYS002N03CLTWG数据手册

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