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IXDN602SIA

产品分类: 栅极电源驱动器
厂牌: IXYS
产品描述: 7.5ns 2 4.5V 60ns 35V 800mV,3V Non-Inverting IGBT,MOSFET,N沟道,P沟道 6.5ns 低压侧 2A,2A SOIC-8 贴片安装
供应商型号: TS-IXDN602SIA
供应商: 海外现货
标准整包数: 100
IXYS 栅极电源驱动器 IXDN602SIA

IXDN602SIA概述


    产品简介


    IXD602 是一款高性能的双通道低侧超快MOSFET驱动器,由IXYS Integrated Circuits Division设计制造。这款驱动器专为高效功率MOSFET和IGBT的开关操作而设计,适用于多种高频率和高功率应用,如开关模式电源供应、电机控制、直流到直流转换器和Class-D开关放大器等。

    技术参数


    基本规格
    - 额定峰值驱动电流:2A(源极/泄极)
    - 工作电压范围:4.5V至35V
    - 工作温度范围:-40°C 至 +125°C
    - 负逻辑输入可承受最大负摆幅:5V
    - 可将多个输出并联以获得更高的驱动电流
    - 匹配的上升时间和下降时间
    - 传播延迟时间低
    - 供电电流低:10μA
    - 低输出阻抗
    电气特性
    - 输入高电平电压:3.0V至VCC(取决于VCC值)
    - 输入低电平电压:0.8V至0.65V(取决于VCC值)
    - 输出电阻:高状态:2.5Ω至6Ω,低状态:1.5Ω至5Ω
    - 上升时间:7.5ns至18ns(在18V供电电压下)
    - 下降时间:6.5ns至18ns(在18V供电电压下)
    - 驱动电流:连续驱动能力受封装功率限制,±1A

    产品特点和优势


    - 高效驱动能力:IXD602能够提供高达2A的峰值驱动电流,适合驱动最新一代的MOSFET和IGBT。
    - 宽工作电压范围:在4.5V到35V之间稳定工作,满足不同应用需求。
    - 适应性强:在极端温度条件下(-40°C至+125°C)仍能保持良好的性能。
    - 输入保护:能够承受高达5V的负电压摆幅,增加了产品的耐用性。
    - 低延迟:传播延迟低至35ns,非常适合高频率应用。
    - 低功耗:静态电流低至10μA,适合需要长时间工作的场合。

    应用案例和使用建议


    IXD602广泛应用于各种高频率和高功率的应用场景中。例如,在开关模式电源供应系统中,它可用于快速切换大功率负载;在电机控制系统中,它能够迅速响应电机的速度变化。在实际使用时,建议进行适当的散热设计,以确保在高负载条件下也能正常工作。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IXD602可以与多种IXYS品牌的MOSFET和IGBT无缝配合使用。
    - 支持服务:IXYS Integrated Circuits Division提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的产品手册和技术指南。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何处理高电流输出导致的发热问题?
    解决方案:建议采用有效的散热设计,如加装散热片或使用散热风扇,确保驱动器能够在安全的工作温度范围内运行。

    - 问题2:如何避免输出短路导致的电流“打穿”现象?
    解决方案:使用外部限流电阻,或选择带有内部限流保护的IXD602型号,以防止过高的电流导致设备损坏。

    总结和推荐


    综上所述,IXD602是一款具有高可靠性、宽工作温度范围和强大驱动能力的高性能MOSFET驱动器。其卓越的电气特性和广泛的适用性使其成为各种高频率和高功率应用的理想选择。强烈推荐在电力电子和工业自动化等领域使用该产品。

IXDN602SIA参数

参数
最小工作供电电压 4.5V
最大高压侧电压-自举 -
下降时间 6.5ns
上升时间 7.5ns
逻辑电压 - VIL,VIH 800mV,3V
驱动配置 低压侧
栅极类型 IGBT,MOSFET,N沟道,P沟道
驱动数量 2
最大工作供电电压 35V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 2A,2A
输入类型 Non-Inverting
最大传播延迟时间 60ns
通道类型 -
5mm(Max)
4mm(Max)
1.75mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXDN602SIA厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXDN602SIA数据手册

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IXYS 栅极电源驱动器 IXYS IXDN602SIA IXDN602SIA数据手册

IXDN602SIA封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.9711 ¥ 8.2544
500+ $ 0.8778 ¥ 7.4613
1000+ $ 0.7866 ¥ 6.6861
2500+ $ 0.7296 ¥ 6.2016
5000+ $ 0.7182 ¥ 6.1047
10000+ $ 0.7068 ¥ 6.0078
库存: 1000
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