处理中...

首页  >  产品百科  >  IR2111

IR2111

产品分类: 栅极电源驱动器
产品描述: 80ns 2 10V 950ns 20V 8.3V,12.6V Non-Inverting IGBT,MOSFET,N沟道 40ns 半桥 250mA,500mA PDIP-8 通孔安装
供应商型号: IR2111-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 栅极电源驱动器 IR2111

IR2111概述

    IR2111(S) & IR2111(PbF) 半桥驱动器技术手册

    产品简介


    IR2111(S)与IR2111(PbF)是一款高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,适用于半桥应用。它具有独立的高低侧参考输出通道,通过依赖的高压IC和抗闩锁CMOS技术实现坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS输出兼容。输出驱动器具备最小化驱动交叉导通的高脉冲电流缓冲级,内置死时间以避免半桥输出中的直通现象。浮动通道可以用于高达600V的高侧配置下的N沟道功率MOSFET或IGBT驱动。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 高侧浮动电源电压:VS + 10至VS + 20V
    - 低侧和逻辑固定电源电压:10至20V
    - 逻辑输入电压:0至VCC
    - 脉冲耐受能力:dVs/dt可达50V/ns
    - 最大工作温度:150°C
    - 推荐操作条件
    - 高侧浮动电源电压范围:0至600V
    - 低侧和逻辑固定电源电压范围:10至20V
    - 逻辑输入电压范围:0至VCC
    - 工作温度范围:-40°C至125°C
    - 静态电气特性
    - 开启传播延迟时间:典型值750ns
    - 关闭传播延迟时间:典型值150ns
    - 上升时间:典型值80ns
    - 下降时间:典型值40ns
    - 死时间:典型值650ns
    - 延迟匹配:±30ns
    - 动态电气特性
    - 输出高短路脉冲电流:200mA
    - 输出低短路脉冲电流:420mA

    产品特点和优势


    - 浮动通道设计:IR2111(S)支持高边浮置电源供电,能够达到最高600V的工作电压,满足高压应用的需求。
    - 高耐压性:能够在高电压环境下稳定工作,且对负瞬态电压容忍度高,确保设备可靠性。
    - 内部死时间设置:防止输出半桥发生直通现象,提高系统安全性。
    - 低输入泄漏电流:减少系统功耗,提升能效。

    应用案例和使用建议


    - 半桥逆变器:IR2111(S)适合应用于电动车辆(EV)和混合动力汽车(HEV)中的半桥逆变器。在这些应用中,需要较高的工作电压和快速的开关速度,IR2111(S)能够满足这些需求。
    - 太阳能发电系统:作为光伏逆变器的组件,可以将直流电转换为交流电,IR2111(S)可以实现高效的转换效率。
    - 工业电机控制:IR2111(S)也可用于工业电机控制系统中,通过精确控制电机的速度和转矩,提高生产效率。
    使用建议:
    - 在使用IR2111(S)时,要确保所有的供电电压都符合推荐操作条件,尤其是VCC和VB的电压范围。
    - 使用外部电阻进行合适的偏置设置,以确保逻辑输入电压满足要求。
    - 在设计电路板布局时,注意电源和信号线的走线长度,避免过长导致电磁干扰。

    兼容性和支持


    - 封装类型:IR2111(S)提供8引脚PDIP和8引脚SOIC两种封装形式。
    - 支持和服务:IR公司提供了详细的应用说明和技术支持文档,用户可以通过官方网站下载相关资料。此外,还提供了在线技术支持服务,用户可以在遇到问题时寻求帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:工作电压超出推荐范围怎么办?
    - 解决方案:确认所有电源电压都在推荐范围内,如果超出了范围,需调整供电系统,使工作电压恢复到推荐范围内。

    - 问题2:驱动电流不足怎么办?
    - 解决方案:检查电路中是否存在阻塞点,如电容未充分充电,或者外围器件选型不当。增加外部电流放大器或者选用更适合的MOSFET或IGBT可以解决这个问题。

    总结和推荐


    IR2111(S)是一款高性能的半桥驱动器,适用于多种高压应用场景。其独特的浮动通道设计、高耐压性和内部死时间设置使其在市场上具有较强的竞争力。强烈推荐在高压环境和需要快速开关的应用中使用IR2111(S),特别是在电动车、太阳能发电和工业电机控制等领域。

IR2111参数

参数
通道类型 -
逻辑电压 - VIL,VIH 8.3V,12.6V
输入类型 Non-Inverting
最大传播延迟时间 950ns
栅极类型 IGBT,MOSFET,N沟道
驱动数量 2
最小工作供电电压 10V
最大工作供电电压 20V
驱动配置 半桥
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 250mA,500mA
下降时间 40ns
最大高压侧电压-自举 -
上升时间 80ns
10.92mm(Max)
7.11mm(Max)
5.33mm(Max)
通用封装 PDIP-8
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IR2111厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IR2111数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 栅极电源驱动器 INFINEON TECHNOLOGIES IR2111 IR2111数据手册

IR2111封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
250+ $ 1.6715 ¥ 13.9886
库存: 0
起订量: 250 增量: 1
交货地:
最小起订量为:250
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
1EDC60H12AH ¥ 47.7581
1SP0635D2S1-33 ¥ 1170
1SP0635V2M1-33 ¥ 1885
2ED2304S06FXLSA1 ¥ 0
2EDN7534FXTMA1 ¥ 4.2197
2SC0106T2A1-12 ¥ 143.22
2SC0108T2G0-17 ¥ 192
2SC0435T2G1-17 ¥ 300.08
2SP0320T2A0-12 ¥ 1611.3778
2SP0320V2A0-17 ¥ 1104.84