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IR2011S

产品分类: 栅极电源驱动器
产品描述: 35ns 2 10V 80ns(Typ) 20V 700mV,2.2V Inverting MOSFET,N沟道 20ns 低压侧,高压侧 1A,1A SOIC-8 贴片安装
供应商型号: IR2011S-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 栅极电源驱动器 IR2011S

IR2011S概述

    IR2011高侧/低侧驱动器技术手册

    产品简介


    IR2011是一款高性能的高侧/低侧功率MOSFET驱动器,专为需要独立高侧和低侧通道的应用而设计。这款驱动器在各种电力转换和电机控制应用中表现卓越,广泛应用于开关电源、电机驱动等领域。

    技术参数


    - 最高电压: 200V(最高电压下的偏移电压)
    - 输出电流: 高端和低端输出通道分别可达到1.0A
    - 门驱动电压范围: 10V至20V
    - 传播延迟时间: 上升/下降传播延迟分别为80ns和75ns
    - 温度范围: -40°C 至 125°C
    - 静态电气特性: 包括输入电压、输出电压和电流等详细规格

    产品特点和优势


    IR2011具有以下几个独特优势:
    - 浮动通道设计: 支持自举操作,能够驱动高达200V的N沟道功率MOSFET
    - 高可靠性: 具有抗负瞬态电压和dV/dt的能力
    - 宽逻辑输入兼容性: 可以与3.3V和5V逻辑电平兼容
    - 匹配传播延迟: 确保两个通道之间的时间延迟一致,简化高频应用的设计

    应用案例和使用建议


    - 应用场景: IR2011可以用于各种电力转换器和直流电机驱动系统中。
    - 使用建议: 在设计电路时,应确保VCC和VBS的电压在推荐范围内,并注意热管理以避免过热损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IR2011与标准CMOS或LSTTL输出兼容,适用于多种逻辑电平。
    - 支持: 国际整流器公司提供详细的技术文档和支持,可通过其技术支持中心获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 输出通道过载
    - 解决方案: 检查负载是否符合规格要求,必要时添加外部保护电路。
    2. 问题: 传播延迟不匹配
    - 解决方案: 检查电路布局,确保信号路径长度一致,减小外部干扰。

    总结和推荐


    综上所述,IR2011以其高可靠性、广泛的逻辑电平兼容性和优良的性能,非常适合于电力转换和电机控制领域的应用。对于需要高性能和高稳定性的系统设计来说,IR2011是一个值得考虑的选择。推荐在合适的应用环境中使用此款驱动器。

IR2011S参数

参数
驱动配置 低压侧,高压侧
最大传播延迟时间 80ns(Typ)
逻辑电压 - VIL,VIH 700mV,2.2V
驱动数量 2
最小工作供电电压 10V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 1A,1A
通道类型 -
下降时间 20ns
最大高压侧电压-自举 -
上升时间 35ns
最大工作供电电压 20V
栅极类型 MOSFET,N沟道
输入类型 Inverting
5mm(Max)
4mm(Max)
1.75mm(Max)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IR2011S厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IR2011S数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 栅极电源驱动器 INFINEON TECHNOLOGIES IR2011S IR2011S数据手册

IR2011S封装设计

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