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GS61008T-MR

产品分类: 氮化镓场效应管
厂牌: GAN SYSTEMS
产品描述: 7V 12nC@ 6V 100V 9.5mΩ@ 6V 590pF@ 50V 贴片安装
供应商型号: J-GANS-0000051
供应商: Chip1stop
标准整包数: 1
GAN SYSTEMS 氮化镓场效应管 GS61008T-MR

GS61008T-MR概述

    GS61008T:100V E-mode GaN晶体管技术手册

    产品简介


    GS61008T是一款由GaN Systems开发的增强型氮化镓(GaN)硅基功率晶体管。它具备高电流、高电压击穿和高速开关频率的特点。该产品广泛应用于各种高效率电源转换应用中,如能量存储系统、AC-DC转换器(次级侧)、ZVS相移全桥、半桥拓扑结构、同步降压或升压电路、不间断电源、工业电机驱动、快速电池充电、D类音频放大器和牵引驱动等。

    技术参数


    以下是GS61008T的一些关键技术和性能参数:
    - 电压参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 100 V(瞬态可达130 V)
    - 门源电压 \( V{GS} \): -10 V至+7 V(瞬态可达-20 V至+10 V)
    - 电流参数
    - 连续漏极电流(25 °C时):90 A
    - 连续漏极电流(100 °C时):65 A
    - 电阻参数
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - 在 \( V{GS} = 6 \text{ V}, TJ = 25 \text{ °C} \)时为7 mΩ
    - 在 \( V{GS} = 6 \text{ V}, TJ = 150 \text{ °C} \)时为17.5 mΩ
    - 热阻抗
    - 结到外壳热阻 \( R{\Theta JC} \): 0.55 °C/W
    - 结到板热阻 \( R{\Theta JB} \): 5.5 °C/W
    - 其他参数
    - 输出电容 \( C{OSS} \): 280 pF
    - 输入电容 \( C{ISS} \): 590 pF
    - 反向转移电容 \( C{RSS} \): 12.4 pF
    - 有效输出电容 \( C{O(TR)} \): 432.5 pF

    产品特点和优势


    1. 高性能导通电阻:\( R{DS(on)} \)值低,仅为7 mΩ,确保高效能功率转换。
    2. 超低寄生电感:采用GaN岛技术的芯片设计,具有低寄生电感和低热阻的小封装。
    3. 易于栅极驱动:0 V至6 V的栅极驱动要求简化了电路设计,同时允许短暂瞬态电压范围-20 V至+10 V。
    4. 高开关频率:可实现超过100 MHz的高频开关,适合多种高密度应用。
    5. 无反向恢复损耗:零反向恢复损耗,使得在同步整流等应用中表现优越。

    应用案例和使用建议


    1. 高效率电源转换:在AC-DC转换器和ZVS相移全桥电路中使用,可以显著提升整体转换效率。
    2. 工业电机驱动:由于其零反向恢复损耗特性,适用于高可靠性要求的工业电机驱动系统。
    3. 快速电池充电:由于其低电阻和高速开关特性,有助于提高充电速度并减少发热。
    4. 建议使用:在设计电路时,应考虑合理的栅极驱动和布局以避免寄生振荡。推荐使用隔离式驱动器以提供更稳定的门极电压。

    兼容性和支持


    - 兼容性:推荐使用支持6 V门极驱动且UVLO适配的MOSFET驱动器,特别注意非隔离半桥驱动器可能存在的不兼容问题。
    - 支持服务:GaN Systems提供详尽的应用笔记和技术支持,以帮助设计师更好地理解产品的应用和安装。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何处理高温下的非清洁焊膏残留?
    - A: 高温下非清洁焊膏残留可能产生不必要的传导路径,因此建议在产品温度超过100°C时清理焊膏残留。
    - Q: 电路设计中如何平衡多个并联的GS61008T器件?
    - A: 设计对称PCB布局并确保每个器件具有相同的门驱动回路长度,这有助于平衡动态电流共享。

    总结和推荐


    GS61008T凭借其高效的导通电阻、超低寄生电感和易于栅极驱动的设计,在高效率电源转换应用中表现出色。特别是在需要高密度和高性能的场合,这款晶体管具有显著的优势。强烈推荐用于工业、通信和消费电子等领域。然而,对于不熟悉GaN技术的设计师来说,建议仔细参考应用笔记和使用指南,以充分利用该产品的性能优势。

GS61008T-MR参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 9.5mΩ@ 6V
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
FET类型 -
最大功率 -
Idss-饱和漏极电流 -
击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 590pF@ 50V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 12nC@ 6V
Vgs-栅源极电压 7V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
7.1mm(Max)
4.1mm(Max)
600μm(Max)
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

GS61008T-MR厂商介绍

GaN Systems是一家领先的氮化镓(GaN)功率晶体管制造商,专注于提供高性能的半导体解决方案。公司主营产品包括GaN功率晶体管、集成电路(IC)和模块,这些产品广泛应用于多个领域,如电动汽车、可再生能源、数据中心、工业电机控制和消费电子产品。

GaN Systems的产品分类主要分为:
1. 功率晶体管:提供高效率、高功率密度和快速开关特性的GaN晶体管。
2. 集成电路:集成了GaN晶体管和其他电路元件,以实现更复杂的功能和更高的集成度。
3. 模块:将多个GaN器件集成在一个模块中,简化设计和提高可靠性。

GaN Systems的优势在于:
- 高效率:GaN技术比传统硅技术更高效,可以减少能量损失,提高系统性能。
- 快速开关:GaN器件的开关速度比硅器件快,有助于提高功率转换效率和减少电磁干扰。
- 功率密度:GaN器件可以在更小的封装中提供更高的功率,有助于缩小设备尺寸和重量。
- 耐高温:GaN器件能够在更高的温度下工作,提高系统的可靠性和耐用性。

GaN Systems通过其创新的GaN技术,为客户提供了一种更高效、更可靠和更紧凑的电力电子解决方案。

GS61008T-MR数据手册

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GAN SYSTEMS 氮化镓场效应管 GAN SYSTEMS GS61008T-MR GS61008T-MR数据手册

GS61008T-MR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 8.358 ¥ 70.6251
10+ $ 6.43 ¥ 57.0502
50+ $ 6.26 ¥ 55.5419
100+ $ 6.25 ¥ 55.4531
200+ $ 6.23 ¥ 55.2757
库存: 384
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