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GS-065-011-1-L-MR

产品分类: 氮化镓场效应管
厂牌: GAN SYSTEMS
产品描述: 7V 2.2nC@ 6V 650V 190mΩ@ 6V 70pF@ 400V
供应商型号: J-GANS-0000138
供应商: Chip1stop
标准整包数: 1
GAN SYSTEMS 氮化镓场效应管 GS-065-011-1-L-MR

GS-065-011-1-L-MR概述

    GS-065-011-1-L:650 V E-mode GaN晶体管

    产品简介


    GS-065-011-1-L 是一款由 GaN Systems 生产的增强型氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)。该晶体管以其高电压耐受能力(650 V)、低导通电阻(RDS(on) = 150 mΩ)以及高开关频率(> 1 MHz)等特点著称。这些特性使其适用于多种电源转换应用,如电源适配器、LED驱动器、快速充电系统等。

    技术参数


    以下是 GS-065-011-1-L 的关键技术和电气特性:
    - 额定电压 (VDS): 650 V,瞬态电压可达 850 V。
    - 最大持续漏极电流 (IDS): 11 A(环境温度 25°C),7.2 A(环境温度 100°C)。
    - 脉冲漏极电流 (IDS Pulse): 19 A(脉宽 10 µs)。
    - 导通电阻 (RDS(on)): 150 mΩ(VGS = 6 V, TJ = 25 °C),380 mΩ(VGS = 6 V, TJ = 150 °C)。
    - 门限电压 (VGS(th)): 1.1 V 至 2.6 V(VDS = VGS, IDS = 2.4 mA)。
    - 开关特性: 开启延迟时间 (tD(on)) 为 5 ns,上升时间 (tR) 为 5 ns,关闭延迟时间 (tD(off)) 为 8 ns,下降时间 (tF) 为 10 ns。

    产品特点和优势


    GS-065-011-1-L 具有诸多独特功能和优势:
    - 超低的栅极电荷 (QG): 比相同尺寸的硅 MOSFET 更低,有助于实现更高的开关速度。
    - 零反向恢复损耗: 消除了传统硅器件中反向恢复带来的损失。
    - 正温度系数导通电阻: 有助于并联操作时的电流平衡。
    - 小封装: 采用底部冷却的 5x6 mm PDFN 封装,提供高密度解决方案。

    应用案例和使用建议


    该晶体管适合用于各种电源转换应用,例如:
    - 电源适配器: 高效能提升空间。
    - LED 照明驱动器: 快速开关速度减少能量损失。
    - 工业电源供应: 在高功率需求下提供可靠性能。
    使用建议:
    - 栅极驱动设计: 使用支持 6 V 门限电压的 MOSFET 驱动器,并确保具有足够的峰值电流来加速开关过程。
    - 并行操作: 保持各器件之间的栅极驱动信号长度一致,以确保电流平衡。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 适用于多种非隔离式半桥 MOSFET 驱动器,但需注意高侧门驱动器的兼容性。
    - 支持和维护: 厂商提供详细的技术文档和应用指南,包括热模拟模型和门驱动设计建议。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决方案:
    - 问题: 开关过程中出现寄生振荡。
    - 解决方法: 在每个栅极添加 1-2 Ω 的小电阻,以抑制振荡。
    - 问题: 热性能不佳。
    - 解决方法: 确保 PCB 下方有足够的铜层以提高热传导性能。

    总结和推荐


    GS-065-011-1-L 作为一款高性能的 GaN 晶体管,在高效能电源转换应用中表现出色。它提供了出色的热管理能力和高效的开关性能,非常适合对功率密度和效率要求高的场合。强烈推荐给需要高性能电源解决方案的应用开发者和技术人员。

GS-065-011-1-L-MR参数

参数
最大功率耗散 -
击穿电压 -
Idss-饱和漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 2.2nC@ 6V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 70pF@ 400V
最大功率 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 7V
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 6V

GS-065-011-1-L-MR厂商介绍

GaN Systems是一家领先的氮化镓(GaN)功率晶体管制造商,专注于提供高性能的半导体解决方案。公司主营产品包括GaN功率晶体管、集成电路(IC)和模块,这些产品广泛应用于多个领域,如电动汽车、可再生能源、数据中心、工业电机控制和消费电子产品。

GaN Systems的产品分类主要分为:
1. 功率晶体管:提供高效率、高功率密度和快速开关特性的GaN晶体管。
2. 集成电路:集成了GaN晶体管和其他电路元件,以实现更复杂的功能和更高的集成度。
3. 模块:将多个GaN器件集成在一个模块中,简化设计和提高可靠性。

GaN Systems的优势在于:
- 高效率:GaN技术比传统硅技术更高效,可以减少能量损失,提高系统性能。
- 快速开关:GaN器件的开关速度比硅器件快,有助于提高功率转换效率和减少电磁干扰。
- 功率密度:GaN器件可以在更小的封装中提供更高的功率,有助于缩小设备尺寸和重量。
- 耐高温:GaN器件能够在更高的温度下工作,提高系统的可靠性和耐用性。

GaN Systems通过其创新的GaN技术,为客户提供了一种更高效、更可靠和更紧凑的电力电子解决方案。

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GS-065-011-1-L-MR封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 6.0375 ¥ 51.0169
10+ $ 4.83 ¥ 42.8542
50+ $ 4.56 ¥ 40.4586
100+ $ 3.91 ¥ 34.6915
200+ $ 3.83 ¥ 33.9817
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