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FDN360P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 20V 3V 6.2nC 2个P沟道 30V 250mΩ@ 10V,1A 2A 298pF@15V SOT-23
供应商型号: 15M-FDN360P SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
UMW/友台半导体 场效应管(MOSFET) FDN360P

FDN360P概述

    # FDN360单通道P沟道MOSFET技术手册

    产品简介


    基本介绍
    FDN360是一款高性能的单通道P沟道MOSFET,适用于低电压和电池供电的应用场景。其特点是具有极低的导通电阻(RDS(ON))和快速开关能力,特别适合需要高效能和低功耗的应用。
    主要功能
    - 极低的栅极电荷(典型值为6.2 nC)
    - 高性能沟槽技术,确保超低导通电阻
    - 行业标准SOT-23封装,提高功率处理能力
    应用领域
    - 便携式设备
    - 电池管理系统
    - 电源转换器
    - 低电压电路设计

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 栅源电压(VGSS):±20 V
    - 漏源电压(VDSS):–30 V
    - 漏极连续电流(ID):–2 A
    - 脉冲漏极电流:–10 A
    - 单次操作的最大功率耗散(PD):0.46 W
    - 工作温度范围(TJ, TSTG):–55°C 到 +150°C
    热阻抗
    - 结至环境热阻(RθJA):250 °C/W
    - 结至外壳热阻(RθJC):75 °C/W
    电气特性
    - 导通电阻(RDS(ON)):
    - VGS = –10 V时,RDS(ON) = 80 mΩ
    - VGS = –4.5 V时,RDS(ON) = 125 mΩ
    - 转移电容(Coss, Ciss, Crss):
    - 输入电容(Ciss):298 pF
    - 输出电容(Coss):83 pF
    - 反向传输电容(Crss):39 pF
    - 开关时间(Switching Time):
    - 开启延迟时间(td(on)):6 ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):11 ns

    产品特点和优势


    独特功能
    - 极低的导通电阻,有助于减少损耗和提高效率
    - 快速的开关性能,适用于高频应用
    - 行业标准SOT-23封装,便于安装和集成
    市场竞争力
    - 在便携式设备和电池供电系统中具有明显的优势
    - 高效的功率转换能力和出色的热稳定性,使其成为高可靠性应用的理想选择

    应用案例和使用建议


    实际应用案例
    - 在移动电源中作为开关元件,提升转换效率
    - 用于便携式医疗设备,以降低功耗并延长电池寿命
    使用建议
    - 在高电流应用中,考虑增加散热措施以保持设备稳定运行
    - 在设计电路时,合理安排元件布局,减少寄生电感和电容的影响

    兼容性和支持


    兼容性
    - FDN360与大多数SOT-23封装的器件兼容,方便替换和升级现有设计
    支持
    - 供应商提供详细的技术文档和技术支持,帮助客户进行产品选型和应用设计
    - 提供样品和参考设计,加速开发周期

    常见问题与解决方案


    问题1:如何测量漏源电压?
    解决方法: 使用万用表的二极管测试档位,将红色探针接触漏极(D),黑色探针接触源极(S),读取电压值。
    问题2:如何确定导通电阻?
    解决方法: 通过测量特定条件下的漏极电流和漏源电压,利用公式 \( R{DS(ON)} = \frac{V{DS}}{ID} \) 计算得出。
    问题3:在高温环境下,器件的导通电阻会怎样变化?
    解决方法: 导通电阻随温度升高而增加,可通过适当调整驱动电压来减小这一影响。

    总结和推荐


    产品评估
    FDN360单通道P沟道MOSFET具备出色的性能和广泛的应用范围,尤其适用于低电压和电池供电设备。其低导通电阻和快速开关特性,使得它成为电源管理和控制系统的理想选择。
    推荐意见
    基于以上分析,FDN360是一个值得推荐的产品,特别是在追求高效能和可靠性的应用场景中。无论是对于工程师还是终端用户,这款MOSFET都能提供卓越的性能和良好的用户体验。

FDN360P参数

参数
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 2A
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 250mΩ@ 10V,1A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 298pF@15V
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
FET类型 2个P沟道
栅极电荷 6.2nC
通用封装 SOT-23
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDN360P厂商介绍

UMW公司是马来西亚的一家领先的工业产品分销商,拥有广泛的产品线和专业的技术支持。UMW主营产品主要分为以下几类:

1. 工业自动化:提供各种传感器、控制器、驱动器等,广泛应用于制造业、自动化生产线等领域。
2. 流体控制:包括各种阀门、泵等流体控制设备,服务于石油化工、水处理等行业。
3. 动力传动:提供电机、减速机等动力传动设备,适用于机械制造、物流输送系统等。
4. 电气产品:包括各种电气开关、电缆等,应用于建筑、基础设施建设等领域。

UMW的优势在于:

- 品牌合作:与多家国际知名品牌建立合作关系,提供高质量的产品。
- 技术支持:拥有专业的技术支持团队,为客户提供解决方案和售后服务。
- 供应链管理:强大的供应链管理能力,确保产品供应的稳定性和及时性。
- 市场覆盖:广泛的市场覆盖,服务多个行业和领域,满足不同客户的需求。

UMW公司通过其多元化的产品线和专业的服务,为客户提供一站式的工业产品解决方案。

FDN360P数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
UMW/友台半导体 场效应管(MOSFET) UMW/友台半导体 FDN360P FDN360P数据手册

FDN360P封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 0.2643
50+ ¥ 0.2483
100+ ¥ 0.2163
500+ ¥ 0.2003
1000+ ¥ 0.1842
3000+ ¥ 0.173
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