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FDV304P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1.4W 12V 1.3V 1.5nC@ 5V 2个P沟道 30V 26mΩ@ 10V,29A 460mA 954pF SOT-23
供应商型号: FDV304P SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
UMW/友台半导体 场效应管(MOSFET) FDV304P

FDV304P概述

    # FDV304P P-Channel Enhancement MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    FDV304P 是一款由友台半导体有限公司生产的SMD型P沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。这种类型的MOSFET因其低导通电阻和高速开关性能,在众多电子应用中表现出色。FDV304P 具有良好的电流承载能力和低热阻,适用于直流电机驱动、电源开关、汽车电子等领域。
    主要功能
    - 用于电路的电压控制和信号放大
    - 作为开关器件,实现高效能的功率管理
    - 用于直流电机的控制和电源转换
    应用领域
    - 直流电机驱动
    - 电源转换与控制
    - 汽车电子系统
    - 通信设备
    - 消费电子产品

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 栅源电压 (VGS): ±12V
    - 漏源电压 (VDS): -30V
    - 持续漏极电流 (ID):
    - Ta = 25℃ 时:-4.2A
    - Ta = 70℃ 时:-3.5A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): -30A
    - 功率耗散 (PD):
    - Ta = 25℃ 时:1.4W
    - Ta = 70℃ 时:1W
    - 热阻 (RthJA): 90℃/W
    - 最大结温 (TJ): 150℃
    - 存储温度范围 (Tstg): -55到150℃
    电气特性
    - 漏源击穿电压 (VDSS): -30V
    - 栅漏电 (IGSS): ±100nA
    - 栅阈值电压 (VGS(th)): -0.4V 到 -1.3V
    - 开启状态漏极电流 (ID(ON)): -25A
    - 前向跨导 (gFS): 7到11S
    - 输入电容 (Ciss): 954pF
    - 输出电容 (Coss): 115pF
    - 逆转移电容 (Crss): 77pF
    其他特性
    - 最大体二极管连续电流 (IS): -2.2A
    - 二极管正向电压 (VSD): -0.75V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): μA
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(On)): 小于65mΩ (VGS = -4.5V),小于120mΩ (VGS = -2.5V)

    产品特点和优势


    独特功能
    - 低导通电阻:RDS(On) 低至 65mΩ (VGS = -4.5V),使得功耗更低,效率更高。
    - 高击穿电压:漏源电压高达 -30V,能够承受较高的电压应力。
    - 高速开关特性:快速开关能力,降低损耗,提高效率。
    - 宽温度范围:能够在 -55℃ 到 150℃ 的温度范围内稳定工作。
    市场竞争力
    - 在直流电机驱动和电源管理领域具有显著优势。
    - 由于其出色的性能和可靠性,广泛应用于汽车电子和消费电子产品中。

    应用案例和使用建议


    实际应用
    - 直流电机驱动:FDV304P 可以在直流电机驱动电路中用作高效的开关,降低能耗,提高电机效率。
    - 电源转换:在电源转换电路中,FDV304P 可以实现高效的功率管理,提高系统的整体性能。
    - 汽车电子系统:由于其高温稳定性和可靠性的特点,适合用于汽车电子系统中。
    使用建议
    - 在高电压和大电流应用中,应注意散热设计,确保器件的安全工作温度。
    - 在选择栅源驱动电压时,应根据负载需求和开关速度要求来调整,以获得最佳性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    - FDV304P 采用标准SOT-23封装,易于集成到现有电路中。
    - 该器件与多种电路拓扑结构兼容,适用于各种应用场合。
    支持
    - 友台半导体提供全面的技术支持和售后服务。
    - 用户手册和详细的数据表可以在其官方网站上获取。

    常见问题与解决方案


    问题1
    问:如何正确连接 FDV304P?
    答:将 GATE 连接至栅源驱动器,SOURCE 连接至负端,DRAIN 连接至负载。
    问题2
    问:在大电流应用中,如何避免过热?
    答:确保良好的散热设计,使用散热片或强制风冷。
    问题3
    问:如何测量导通电阻 (RDS(On))?
    答:通过万用表在适当的栅源电压下测量漏极电流和漏源电压,计算得出 RDS(On)。

    总结和推荐


    综合评估
    FDV304P P-Channel Enhancement MOSFET 具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关性能等特点,适用于多种应用场合,尤其是在需要高效功率管理和高速开关的应用中表现尤为出色。
    推荐
    鉴于其出色的性能和广泛的适用范围,FDV304P 是一个值得推荐的产品。无论是在直流电机驱动还是电源转换中,FDV304P 都可以发挥其独特的性能优势,帮助用户实现高效稳定的电子系统。

FDV304P参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 954pF
栅极电荷 1.5nC@ 5V
Rds(On)-漏源导通电阻 26mΩ@ 10V,29A
最大功率耗散 1.4W
配置 -
FET类型 2个P沟道
Id-连续漏极电流 460mA
Vgs-栅源极电压 12V
通用封装 SOT-23
包装方式 卷带包装

FDV304P厂商介绍

UMW公司是马来西亚的一家领先的工业产品分销商,拥有广泛的产品线和专业的技术支持。UMW主营产品主要分为以下几类:

1. 工业自动化:提供各种传感器、控制器、驱动器等,广泛应用于制造业、自动化生产线等领域。
2. 流体控制:包括各种阀门、泵等流体控制设备,服务于石油化工、水处理等行业。
3. 动力传动:提供电机、减速机等动力传动设备,适用于机械制造、物流输送系统等。
4. 电气产品:包括各种电气开关、电缆等,应用于建筑、基础设施建设等领域。

UMW的优势在于:

- 品牌合作:与多家国际知名品牌建立合作关系,提供高质量的产品。
- 技术支持:拥有专业的技术支持团队,为客户提供解决方案和售后服务。
- 供应链管理:强大的供应链管理能力,确保产品供应的稳定性和及时性。
- 市场覆盖:广泛的市场覆盖,服务多个行业和领域,满足不同客户的需求。

UMW公司通过其多元化的产品线和专业的服务,为客户提供一站式的工业产品解决方案。

FDV304P数据手册

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UMW/友台半导体 场效应管(MOSFET) UMW/友台半导体 FDV304P FDV304P数据手册

FDV304P封装设计

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