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35N06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 36.2W 1个N沟道 60V 0.038VGS=4.5V,IDS=19A 35A TO-252
供应商型号: 15M-35N06 TO-252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
UMW/友台半导体 场效应管(MOSFET) 35N06

35N06概述

    60V N-Channel Power MOSFET:UMW 35N06 技术手册解析

    产品简介


    UMW 35N06 是一款先进的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用深沟槽技术设计,具有低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷的特点。这些特性使其非常适合用于开关电源、充电器、LED 背光驱动器以及同步整流等应用。

    技术参数


    - 电压和电流规格:
    - 最大漏源电压 (VDS):60 V
    - 连续漏极电流 (ID):25°C 时为 35 A,100°C 时为 24.5 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):56.2 mJ
    - 热参数:
    - 热阻 (Junction-to-Case):3.45 °C/W
    - 热阻 (Junction to Ambient):111.5 °C/W
    - 电气特性:
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS=10V,ID=19A 时典型值为 23 mΩ
    - VGS=4.5V,ID=19A 时典型值为 30 mΩ
    - 输入电容 (CISS):最大 939 pF
    - 输出电容 (COSS):最大 73.5 pF
    - 反向传输电容 (CRSS):最大 52.7 pF
    - 栅极电阻 (RG):最大 1.9 Ω
    - 动态特性:
    - 开启延迟时间 (Td(on)):最大 8.4 ns
    - 上升时间 (tr):最大 8.5 ns
    - 关闭延迟时间 (Td(off)):最大 35.4 ns
    - 下降时间 (tf):最大 4.8 ns
    - 总栅极电荷 (QG):最大 21.2 nC
    - 栅源电荷 (QGS):最大 3.6 nC
    - 栅极至漏极“米勒”电荷 (QGD):最大 5.5 nC
    - 其他特性:
    - 极限存储温度范围 (TSTG):-55°C 至 +150°C
    - 极限工作结温范围 (TJ):-55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    UMW 35N06 的主要优势在于其出色的导通电阻和低栅极电荷。23 mΩ(@VGS=10V)的低导通电阻意味着更低的功率损耗和更高的效率。低栅极电荷则有助于快速开关操作,从而减少开关损耗。此外,该产品通过了RoHS标准,满足环保要求。100%单脉冲雪崩测试保证了其在恶劣环境下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    UMW 35N06 可以广泛应用于开关电源适配器和充电器中。例如,在笔记本电脑或手机充电器中,该 MOSFET 可以实现高效且可靠的电力转换。另外,它也可以用在 LED 背光驱动电路中,提供快速响应和低能耗。
    使用建议:
    1. 在选择驱动器时,确保其能够处理高达 100A/us 的电流上升速率,以避免开关过程中出现过大的压降。
    2. 确保 PCB 设计中有足够的散热措施,特别是在高温环境下使用时。

    兼容性和支持


    UMW 35N06 采用 TO-252 封装,尺寸为 330mm x 12mm,适用于多种标准焊盘布局。供应商友台半导体有限公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括详细的安装指南和故障排除手册。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:无法达到预期的电流或电压。
    解决方案:检查电源输入端是否有足够的电压,并确认电路连接正确无误。
    2. 问题:发热过高。
    解决方案:检查散热系统是否工作正常,必要时增加散热片或更换更高效的散热材料。
    3. 问题:频繁损坏。
    解决方案:可能需要降低环境温度或减少瞬态电流峰值。

    总结和推荐


    综上所述,UMW 35N06 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET,具备优秀的导通电阻和低栅极电荷,适合各种高效率应用场合。建议在要求高可靠性和高效率的开关电源、LED 驱动等应用中选用此产品。友台半导体有限公司提供的技术支持和优质服务也是选择该产品的一大优势。总体来看,UMW 35N06 是值得推荐的高性能 MOSFET 产品。

35N06参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
栅极电荷 -
配置 -
最大功率耗散 36.2W
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 0.038VGS=4.5V,IDS=19A
Id-连续漏极电流 35A
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
包装方式 卷带包装

35N06厂商介绍

UMW公司是马来西亚的一家领先的工业产品分销商,拥有广泛的产品线和专业的技术支持。UMW主营产品主要分为以下几类:

1. 工业自动化:提供各种传感器、控制器、驱动器等,广泛应用于制造业、自动化生产线等领域。
2. 流体控制:包括各种阀门、泵等流体控制设备,服务于石油化工、水处理等行业。
3. 动力传动:提供电机、减速机等动力传动设备,适用于机械制造、物流输送系统等。
4. 电气产品:包括各种电气开关、电缆等,应用于建筑、基础设施建设等领域。

UMW的优势在于:

- 品牌合作:与多家国际知名品牌建立合作关系,提供高质量的产品。
- 技术支持:拥有专业的技术支持团队,为客户提供解决方案和售后服务。
- 供应链管理:强大的供应链管理能力,确保产品供应的稳定性和及时性。
- 市场覆盖:广泛的市场覆盖,服务多个行业和领域,满足不同客户的需求。

UMW公司通过其多元化的产品线和专业的服务,为客户提供一站式的工业产品解决方案。

35N06数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
UMW/友台半导体 场效应管(MOSFET) UMW/友台半导体 35N06 35N06数据手册

35N06封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 0.5806
50+ ¥ 0.5454
100+ ¥ 0.4751
500+ ¥ 0.4399
1000+ ¥ 0.4047
3000+ ¥ 0.3801
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