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NCD5701ADR2G

产品分类: 栅极电源驱动器
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 18ns 1 20V 20V IGBT 19ns 低压侧 4A,6A SOIC-8 贴片安装,黏合安装 4mm(宽度)*1.5mm(高度)
供应商型号: NCD5701ADR2G
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
ON SEMICONDUCTOR 栅极电源驱动器 NCD5701ADR2G

NCD5701ADR2G概述

    # NCD5701A/B/C High Current IGBT Gate Drivers

    1. 产品简介


    NCD5701A, NCD5701B 和 NCD5701C 是一款高电流、高性能的独立式IGBT(绝缘栅双极型晶体管)驱动器,适用于高压功率应用,如太阳能逆变器、电机控制和不间断电源(UPS)。这些驱动器提供了一种成本效益高的解决方案,能够消除外部输出缓冲器的需求。设备保护功能包括精确的欠压锁定(UVLO)、过载保护(DESAT)和主动低故障输出(Active Low FAULT)。此外,它们还具有准确的5.0V输出。这些驱动器设计用于宽电压范围的偏置电源,包括单极性和双极性的偏置电源。

    2. 技术参数


    主要规格
    - 输出电流:±4/−6A(在IGBT米勒平台电压下)
    - 输出阻抗:低
    - 传播延迟:短,且精确匹配
    - 直接接口:可与数字隔离器/光电耦合器/脉冲变压器连接,支持逻辑兼容的非隔离驱动
    - 过载保护:带有可编程延迟的DESAT保护
    - 欠压锁定阈值:紧凑,适合偏置灵活性
    - 工作电压范围:宽
    电气特性
    - 差分电源供应:0到36V
    - 正向电源供应:−0.3到22V
    - 反向电源供应:−18到0.3V
    - 输入电压:−0.3到5.5V
    - 最大功率消耗:SO−8封装下为700mW
    - 最高结温:150°C
    - 存储温度范围:−65到150°C
    动态特性
    - 开关延迟时间:负输入脉冲宽度为10μs时,tdp-on: 45到75ns;正输入脉冲宽度为10μs时,tdp-off: 45到75ns
    - 传播延迟失真:大于150ns输入或输出脉冲宽度,TA = 25°C时,tdistort1: −15到25ns;TA = −40°C到125°C时,tdistort2: −7到25ns
    - 上升/下降时间:Cload = 1.0nF时,trise: 9.2ns;tfall: 7.9ns

    3. 产品特点和优势


    - 高电流输出:在IGBT米勒平台电压下,输出±4/−6A的电流,确保快速和可靠的开关控制。
    - 低输出阻抗:增强IGBT驱动能力,减少内部损耗。
    - DESAT保护:具备可编程延迟的过载保护功能,防止误触发。
    - 精确的参考电压:提供稳定的5.0V参考电压,适用于各种外部电路。
    - 兼容多种电源:支持宽范围的正向和反向电源,增加系统的灵活性。

    4. 应用案例和使用建议


    典型应用
    - 太阳能逆变器
    - 电机控制
    - 不间断电源(UPS)
    - 光伏系统快速关机
    使用建议
    在实际应用中,应确保输入信号(VIN)具有适当的脉冲宽度,并且尽量减少从VIN到VO(VOH/VOL)的延迟。为了保证最佳性能,可以使用外部系列门电阻来调节驱动电流。另外,合理布局PCB并确保所有旁路电容正确放置也很关键。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    NCD5701系列与各类数字隔离器、光电耦合器和脉冲变压器兼容,便于系统设计和集成。此外,它也支持直接连接至数字隔离器/光电耦合器/脉冲变压器,以实现隔离驱动。
    厂商支持
    厂商提供了全面的技术文档和支持,包括详细的电气特性、应用信息以及安全操作区域说明。这些文档可帮助用户更好地理解和利用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题
    1. VIN输入脉冲宽度不足
    - 解决方法:确保VIN输入信号具有足够的脉冲宽度,例如设置为100ns以上。

    2. DESAT保护频繁触发
    - 解决方法:调整DESAT保护的可编程延迟时间,或者检查是否存在外部干扰。
    3. 温度过高导致热关机
    - 解决方法:确保散热良好,并考虑在高环境温度下适当降低工作频率。

    7. 总结和推荐


    NCD5701A/B/C系列高电流IGBT驱动器以其出色的电流输出能力、精准的电气特性和丰富的保护功能,在各种高压功率应用中表现出色。其广泛的电源兼容性和详细的文档支持使其成为市场上极具竞争力的产品。对于需要高可靠性、高性能IGBT驱动的应用场合,强烈推荐使用NCD5701系列产品。

NCD5701ADR2G参数

参数
最小工作供电电压 20V
下降时间 19ns
上升时间 18ns
输入类型 -
最大高压侧电压-自举 -
最大工作供电电压 20V
驱动配置 低压侧
栅极类型 IGBT
最大传播延迟时间 -
驱动数量 1
逻辑电压 - VIL,VIH -
通道类型 -
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 4A,6A
长*宽*高 4mm(宽度)*1.5mm(高度)
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NCD5701ADR2G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NCD5701ADR2G数据手册

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NCD5701ADR2G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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5000+ ¥ 7.788
7500+ ¥ 7.424
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