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NCV57200DR2G

产品分类: 栅极电源驱动器
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi 8引脚通用驱动器, 20V电源, SOIC-8封装
供应商型号: 3528477
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 栅极电源驱动器 NCV57200DR2G

NCV57200DR2G概述

    NCV57200半桥栅极驱动器(隔离高侧和非隔离低侧)

    1. 产品简介


    NCV57200是一款高电压栅极驱动器,集成了一个非隔离低侧栅极驱动器和一个磁电隔离的高侧或低侧栅极驱动器。该器件能够直接驱动两个IGBT在半桥配置中。隔离的高侧驱动器可以由独立电源供电,或者通过自举技术从低侧电源供电。其独特的磁电隔离设计保证了在高压大功率应用中的可靠开关操作,特别适用于工作电压高达800V且具有高dv/dt的应用场合。优化后的输出级有助于减少IGBT损耗,具备两个独立输入端并带有死区时间和互锁机制,精准的不对称欠压锁定阈值,以及匹配的传播延迟。
    主要功能:高电流输出(+1.9A/-2.3A),增强的IGBT导通电压降,无VDD/VB状态下的输出低状态保护,浮置通道支持最高800V自举操作,共模瞬变抗扰度(CMTI)高达50kV/ms,可承受负电压摆动至-800V。
    应用领域:车载充电器(OBC),PTC加热器,电子压缩机,汽车电源供应系统等。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 高侧浮动供电电压 | - | 20 | 20 | V |
    | 低侧浮动供电电压 | 12 | 12.5 | 13 | V |
    | 驱动输出低态(200mA,25°C) | 0.2 | 0.3 | 0.3 | V |
    | 驱动输出高态(200mA,25°C) | 14.4 | 14.5 | 14.5 | V |
    | 高峰值驱动电流(灌) | - | 2.3 | - | A |
    | 高峰值驱动电流(拉) | - | 1.9 | - | A |
    | 命名 | 符号 | 极限值 | 单位 |
    | - | VS | - 900 | V |
    | - | VB | - 900 | V |
    | - | VDD | - 0.3 | 25 | V |

    3. 产品特点和优势


    - 高电流输出能力:最大灌电流为2.3A,拉电流为1.9A,满足高压IGBT驱动需求。
    - 可靠的死区时间和互锁机制:防止意外的高侧和低侧同时导通,提升系统可靠性。
    - 优化的输出级设计:有效降低IGBT开关损耗,提高能效。
    - 广泛的逻辑输入兼容性:支持3.3V, 5V和15V逻辑输入信号。
    - 卓越的安全性能:符合AEC-Q100标准,且不含铅、卤素和溴化阻燃剂,RoHS认证。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:在车载充电器中,NCV57200可以作为关键的电力转换组件,高效地驱动IGBT以实现高效率的能量转换;在电子压缩机系统中,它同样提供高效的驱动控制,提升系统的整体性能。
    使用建议:
    - 在布线时,确保将VDD和VB管脚附近的旁路电容放置得足够近,以获得最佳性能。
    - 确保VDD电压稳定在设定范围内,以避免电源欠压导致的设备异常。
    - 使用适当的电路布局,尽量减少外部电磁干扰对VDD和VB管脚的影响。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:NCV57200支持广泛的逻辑输入电压范围,便于与不同类型的控制单元或微控制器接口。
    支持:ON Semiconductor公司提供了详尽的技术文档和专业的技术支持团队,可解答用户关于产品安装、调试等方面的问题。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | VDD或VB电压不稳定 | 检查电源稳定性,并确保旁路电容正确安装。 |
    | 驱动输出电压不足 | 确认电源电压是否符合要求,检查外围电路是否有短路或开路现象。 |
    | 设备过热 | 保证良好的散热条件,检查散热片安装是否牢固。 |

    7. 总结和推荐


    总结:NCV57200半桥栅极驱动器以其优异的电气特性和可靠性成为众多高压IGBT驱动场合的理想选择。其坚固的设计和宽泛的工作温度范围使其适合在恶劣环境中应用。
    推荐:鉴于其高性能表现和广泛的应用领域,我们强烈推荐在高功率电机控制和电源转换项目中采用此款驱动器。对于追求系统效率和可靠性的工程师来说,这无疑是一个明智的选择。

NCV57200DR2G参数

参数
最大高压侧电压-自举 -
驱动配置 半桥
输入类型 Non-Inverting
最大传播延迟时间 110ns,110ns
驱动数量 1
上升时间 13ns
通道类型 -
最大工作供电电压 20V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 1.9A,2.3A
栅极类型 IGBT
下降时间 8ns
逻辑电压 - VIL,VIH 900mV,2.4V
最小工作供电电压 20V
通用封装 SOIC-8
安装方式 贴片安装,黏合安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NCV57200DR2G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NCV57200DR2G数据手册

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NCV57200DR2G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 9.0644
10+ ¥ 7.3495
100+ ¥ 6.7371
500+ ¥ 6.6146
2500+ ¥ 6.6146
5000+ ¥ 6.6146
7500+ ¥ 6.6146
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