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NCP81075MTTXG

产品分类: 栅极电源驱动器
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 8ns 2 8.5V 50ns 20V 800mV,2.7V Non-Inverting MOSFET,N沟道 7ns 低压侧,高压侧 4A,4A DFN 贴片安装,黏合安装
供应商型号: CY-NCP81075MTTXG
供应商:
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 栅极电源驱动器 NCP81075MTTXG

NCP81075MTTXG概述

    # NCP81075 双MOSFET门驱动器技术手册

    产品简介


    NCP81075 是一款高效率的双MOSFET门驱动器,专为同步降压转换器中的高低侧功率MOSFET门极驱动而设计。NCP81075采用内部集成的自举二极管,省去了外部离散二极管。其浮动顶部驱动设计可支持高达180V的高压侧电压。高低侧各自独立控制,并且在启停之间的时间差不超过4纳秒(ns)。同时,NCP81075提供了高低侧独立的欠压锁定保护(UVLO),当驱动电压低于特定阈值时会强制输出低电平。
    应用领域
    - 电信和数据通信系统
    - 隔离和非隔离电源架构
    - D类音频放大器
    - 两开关及有源钳位前向转换器

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | VDD | -0.3 到 24 | V |
    | VHB | -0.3 到 200 | V |
    | VHS (直流) | -10 到 200 - VDD | V |
    | VHI, VLI | -10 到 24 | V |
    | VLO (直流) | -0.3 到 VDD + 0.3 | V |
    | VHO (直流) | VHS - 0.3 到 VHB + 0.3 | V |
    | 工作结温范围 | -40 到 170 | °C |
    | 存储温度 | -65 到 150 | °C |
    | 引脚温度 (焊接, 10 秒) | +300 | °C |
    电气特性
    | 参数 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
    |
    | IDD (静态电流) | VLI = VHI = 0 | 0.85 | 1.8 | mA |
    | IDDO (操作电流) | f = 500 kHz, CLOAD = 0 | 7.3 | 15 | mA |
    | VHIH, VLIH (输入上升阈值) | 2.7 | V |
    | VHIL, VLIL (输入下降阈值) | 0.8 | V |
    | VHIH, VLIH (输入上升阈值) | 2.7 | V |
    | VHI, VLI (输入阈值) | -10 到 24 | V |
    | VHB UVLO 上升阈值 | 5.5 | 6.5 | 7.5 | V |
    | VHB UVLO 门槛滞后 | 0.5 | V |
    | VLOL (低电平输出电压) | ILO = 100 mA | 0.1 | 0.40 | V |
    | VHOH (高电平输出电压) | IHO = -100 mA | 0.15 | 0.40 | V |

    产品特点和优势


    - 驱动两个N沟道MOSFET:能够同时驱动高侧和低侧的MOSFET,实现高效的电源转换。
    - 高浮置顶部驱动器:最高可支持180V的高边电压,适合高压环境。
    - 开关频率可达1MHz:适合高速开关电源设计。
    - 传播延迟时间为20ns:确保信号传输的快速响应。
    - 高输出电流:4A灌入电流,4A拉出电流,提高驱动能力。
    - UVLO保护:防止在低电压环境下驱动MOSFET,保护设备安全。
    - 宽温度范围:-40°C到140°C的工作温度范围,适用于恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NCP81075 可广泛应用于电信和数据通信系统中的电源管理,D类音频放大器中提高效率和音质。此外,在两开关和有源钳位前向转换器中也有广泛应用。
    使用建议
    - 布局指南:确保门驱动迹线尽可能短且宽(大于20密耳),以最小化电感效应,避免振铃现象。
    - 启动预充电:在启动Boost调节器时,预充自举电容(CBST)以确保有足够的电压水平进行正常操作。
    - 过压保护:设置适当的UVLO阈值,以避免高压对MOSFET造成损害。

    兼容性和支持


    NCP81075 提供多种封装形式,包括SOIC-8 (D),DFN8 (MN),WDFN10 (MT)。这些封装均符合RoHS标准,无铅、无卤素。此外,制造商提供了丰富的技术支持文档和样片测试服务,以帮助用户快速上手。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:驱动电流不足。
    - 解决方法:检查电源电压是否足够,确保VDD电压在规定范围内。
    2. 问题:UVLO触发异常。
    - 解决方法:检查电源和自举电路的设计,确保UVLO阈值设置正确。
    3. 问题:输出信号不稳定。
    - 解决方法:检查布局设计,特别是电源输入和地线的连接,确保良好的接地和去耦电容设计。

    总结和推荐


    NCP81075凭借其高效能、高可靠性以及广泛的适用性,在众多电源管理和音频放大应用中表现出色。其独特的高浮置顶部驱动器设计和UVLO保护机制使其在市场上具有较强的竞争力。因此,强烈推荐在需要高效率、高压驱动的应用场合中使用此产品。

NCP81075MTTXG参数

参数
最大传播延迟时间 50ns
栅极类型 MOSFET,N沟道
逻辑电压 - VIL,VIH 800mV,2.7V
最小工作供电电压 8.5V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) 4A,4A
最大高压侧电压-自举 -
驱动配置 低压侧,高压侧
驱动数量 2
输入类型 Non-Inverting
最大工作供电电压 20V
下降时间 7ns
上升时间 8ns
通道类型 -
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NCP81075MTTXG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NCP81075MTTXG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 栅极电源驱动器 ON SEMICONDUCTOR NCP81075MTTXG NCP81075MTTXG数据手册

NCP81075MTTXG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 1.4406 ¥ 12.283
100+ $ 1.4147 ¥ 12.1734
300+ $ 1.4017 ¥ 12.0637
500+ $ 1.3887 ¥ 11.954
1000+ $ 1.3498 ¥ 11.4057
5000+ $ 1.3498 ¥ 11.4057
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