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NCV57256DR2G

产品分类: 栅极电源驱动器
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 12ns 2 2.4V 20V 10ns 非反相
供应商型号: CY-NCV57256DR2G
供应商:
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 栅极电源驱动器 NCV57256DR2G

NCV57256DR2G概述

    Isolated Dual Channel IGBT/MOSFET Gate Driver NCD57252/NCD57253/NCD57255/NCD57256/NCV57252/NCV57253/NCV57255/NCV57256

    产品简介


    NCD57252、NCD57253、NCD57255、NCD57256 和 NCV57252、NCV57253、NCV57255、NCV57256 是 ON Semiconductor 公司推出的一系列高电流双通道隔离型 IGBT/MOSFET 门极驱动器。这些驱动器具有 2.5 kV 或 5 kVrms 的内部固态隔离,可以确保输入和输出之间的电位隔离,同时具备两个输出通道的功能隔离。该系列产品支持 3.3 V 到 20 V 的偏置电压以及高达 32 V 的输出侧偏置电压,能够接收互补输入信号,并提供独立的禁用和死时间控制功能,以方便系统设计。

    技术参数


    - 峰值输出电流: 双通道分别可达到 ±6.5 A 和 ±3.5 A(具体值取决于封装)。
    - 电源电压范围:
    - 低侧电源电压:3.3 V 至 20 V
    - 高侧电源电压(单个通道):3.3 V 至 32 V
    - 逻辑输入电压范围: 3.3 V 至 20 V
    - 门极驱动电压范围: 最大值为 15 V
    - 隔离特性:
    - 输入至输出:2.5 kV 或 5 kVrms
    - 输出通道间:1.5 kVrms
    - 工作电压: 1200 V(符合 VDE0884-11 标准)
    - 安全规范: 符合 AEC-Q100 标准,适用于汽车及其他对环境条件有特定要求的应用场合
    - 封装类型: 宽体 SOIC-16 和窄体 SOIC-16

    产品特点和优势


    - 高电流输出: 该产品提供高达 ±6.5 A 的峰值输出电流,适用于需要大量电流驱动的应用。
    - 灵活配置: 可配置为双低侧驱动器、双高侧驱动器或半桥驱动器,为多种应用提供灵活性。
    - 死时间控制: 支持外部电阻设置死时间,提供精准的时序控制。
    - 强化隔离: 集成了 2.5 kV 或 5 kVrms 的隔离能力,保障系统的电气安全和可靠性。
    - 兼容性和环保: 无铅、无卤素、RoHS 合规,符合严格的环保标准。
    - 适用范围广泛: 适合电动汽车充电器、电机控制、不间断电源 (UPS)、工业电源、太阳能逆变器及汽车应用等领域。

    应用案例和使用建议


    1. 电动车辆充电器
    - 应用场景: NCD57252 在电动车辆充电器中作为高电流双向直流-交流转换器的一部分,用于控制 IGBT/MOSFET 的门极。
    - 使用建议: 在选择门极驱动器时,需注意其驱动电流与负载需求相匹配,且应确保电路中有足够的散热措施来防止过热。

    2. 电机控制
    - 应用场景: 在电机控制系统中,该产品通常用作驱动器来调节电机的速度和方向。
    - 使用建议: 在高转速应用中,应考虑驱动器的响应时间和死时间的影响,通过适当调整死时间参数来提高效率。
    3. 工业电源
    - 应用场景: 工业电源系统中,NCD57252 作为门极驱动器来控制 MOSFET 或 IGBT,实现高效的电力转换。
    - 使用建议: 确保在工业环境下安装足够的电磁屏蔽,避免干扰其他电路元件。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与大多数高压电源和低电压控制器兼容,特别适合那些需要高可靠性的应用环境。
    - 支持: 提供详细的技术文档、样本和测试结果,支持全球分销网络和技术支持服务,帮助客户快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备无法启动。
    - 解决办法: 检查电源电压是否满足规格要求,确认所有连接正确无误,尤其是低电压侧和高电压侧的接地线。

    2. 问题: 输出电流不稳定。
    - 解决办法: 确认输入信号的质量和频率是否满足要求,检查负载是否正常,可能需要更换更合适的负载。
    3. 问题: 过载保护触发频繁。
    - 解决办法: 调整死时间设置以减小瞬态电流冲击,确保电路稳定。

    总结和推荐


    总体而言,NCD57252 系列驱动器在技术上表现出色,提供了卓越的电流输出能力和强大的隔离特性,使其成为众多高电流应用的理想选择。其广泛的兼容性和对环境保护的关注也进一步增强了产品的市场竞争力。因此,我强烈推荐该产品用于需要高可靠性、高性能门极驱动的应用中。

NCV57256DR2G参数

参数
下降时间 10ns
栅极类型 -
上升时间 12ns
最小工作供电电压 2.4V
驱动数量 2
输入类型 -
驱动配置 非反相
最大工作供电电压 20V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) -
逻辑电压 - VIL,VIH -
最大传播延迟时间 -
最大高压侧电压-自举 -
通道类型 -

NCV57256DR2G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NCV57256DR2G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 栅极电源驱动器 ON SEMICONDUCTOR NCV57256DR2G NCV57256DR2G数据手册

NCV57256DR2G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ $ 2.7272 ¥ 22.6478
50+ $ 2.6097 ¥ 22.2504
100+ $ 2.5627 ¥ 22.0518
300+ $ 2.5391 ¥ 21.8531
500+ $ 2.5156 ¥ 21.6545
1000+ $ 2.4451 ¥ 20.6611
5000+ $ 2.4451 ¥ 20.6611
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