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SD3401-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: SD3401-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) SD3401-VB

SD3401-VB概述

    # P-Channel 30V (D-S) MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本信息
    P-Channel 30V (D-S) MOSFET 是一种用于移动计算领域的高性能功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件的主要功能是作为负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器的核心组件。
    应用领域
    - 移动计算设备
    - 负载开关
    - 笔记本适配器开关
    - DC/DC转换器

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 漏极-源极电压 (VDS):-30V
    - 栅极-源极电压 (VGS):±20V
    - 持续漏极电流 (TJ = 150°C):-5.6A
    - 最大脉冲漏极电流 (t = 100µs):-18A
    - 持续源极-漏极二极管电流 (TC = 25°C):-2.1A
    - 最大功率耗散 (TC = 25°C):2.5W
    - 工作结温范围:-55至150°C
    额定工作条件下的典型值
    - 漏极-源极击穿电压 (VDS):-30V
    - 漏极-源极开启电阻 (RDS(on)):在VGS=-10V时为0.046Ω
    - 栅极电荷 (Qg):在VDS=-15V, VGS=-10V时为24nC
    - 前向传输电导 (gfs):在VDS=-15V, ID=-3.4A时为18S
    热阻参数
    - 最大结到环境的最大热阻 (RthJA):100°C/W
    - 最大结到引脚的最大热阻 (RthJF):50°C/W

    产品特点和优势


    独特功能
    - 采用先进的沟槽技术(TrenchFET)制造
    - 100%栅极电阻测试确保一致性
    优势
    - 高性能:低导通电阻(RDS(on))和高栅极电荷
    - 适用广泛:适用于多种移动计算设备,如负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器
    - 稳定性高:能够在广泛的温度范围内稳定工作

    应用案例和使用建议


    典型应用
    - 在移动计算设备中作为负载开关使用
    - 笔记本适配器开关中减少能耗
    - DC/DC转换器中提高效率
    使用建议
    - 确保安装在合适的散热片上以避免过热
    - 注意在使用过程中保持合理的电流限制,避免长时间超过绝对最大额定值
    - 考虑到其快速的开关特性,合理选择驱动电路的设计

    兼容性和支持


    兼容性
    - 该MOSFET符合SOT-23封装标准,可直接焊接在PCB板上,方便与各种电路板集成
    - 与其他常见的移动计算设备和电源管理模块高度兼容
    厂商支持
    - 提供全面的技术文档和技术支持,包括详细的规格书、应用指南和故障排除手册
    - 通过服务热线400-655-8788提供客户咨询服务

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方法
    - 问题:产品在高温下工作不稳定
    - 解决方案:检查散热片的安装情况,确保良好的散热效果;遵循绝对最大额定值限制工作电流
    - 问题:开关频率过高导致发热问题
    - 解决方案:选择适当的栅极电阻以降低开关损耗;考虑使用外置散热装置

    总结和推荐


    综合评估
    P-Channel 30V (D-S) MOSFET 在移动计算领域的性能表现优异,具备低导通电阻和高栅极电荷的特性,适用于多种负载开关和电源管理应用。通过合理的应用设计和散热措施,能够保证其在不同环境下的稳定运行。
    推荐
    鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐在需要高效能功率管理的设备中使用此款MOSFET。同时,厂商提供的详尽支持也大大提升了其在市场上的竞争力。

SD3401-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 5.6A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

SD3401-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

SD3401-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 SD3401-VB SD3401-VB数据手册

SD3401-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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