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EPC8004

产品分类: 氮化镓场效应管
产品描述: 6V,4V 2.5V@ 250µA 0.45nC@ 5 V 40V 110mΩ@ 500mA,5V 2.7A 52pF@20V 1个N沟道 贴片安装
供应商型号: 917-1072-6-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
EFFICIENT POWER CONVERSION 氮化镓场效应管 EPC8004

EPC8004概述

    EPC8004 eGaN® FET 技术手册解析

    1. 产品简介


    EPC8004 eGaN® FET 是由Efficient Power Conversion Corporation(EPC)设计和生产的增强模式功率晶体管。该产品基于氮化镓(Gallium Nitride,GaN)材料,具有卓越的高电子迁移率和低温度系数,使得其在极低的导通电阻(RDS(on))方面表现出色。此外,该器件采用硅片作为基底,并通过标准CMOS设备进行加工,从而充分利用了过去55年的发展基础设施。这种器件特别适用于需要极高开关频率和低导通时间的任务,以及那些主要关注导通损耗的应用场合。
    主要功能:
    - 高开关频率能力
    - 极低的导通电阻
    - 卓越的开关性能
    应用领域:
    - 超高速直流-直流转换
    - 射频包络跟踪
    - 无线充电
    - 游戏机和工业运动感应(例如 LiDAR)

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS): 40V
    - 连续漏极电流 (ID): 2.7A
    - 最大额定电压: 48V
    - 脉冲漏极电流 (ID): 7.5A
    - 门限电压 (VGS): ±6V
    - 工作温度范围: -40°C 到 150°C
    - 热阻抗:
    - 结到壳体: 8.2°C/W
    - 结到板面: 16°C/W
    - 结到环境: 82°C/W(在单层2oz铜箔FR4板上安装时)

    关键电气特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)): 110mΩ
    - 输入电容 (CISS): 45pF
    - 输出电容 (COSS): 120pF
    - 反向转移电容 (CRSS): 80pF

    3. 产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 超高效: 通过低导通电阻和高效的开关性能实现。
    - 超低RDS(on): 在相同条件下,相比其他传统器件,具有更低的导通电阻。
    - 超低QG: 低总栅极电荷(QG)有助于降低开关损耗。
    - 超小尺寸: 体积小巧,便于集成于各种应用中。
    这些特点使得EPC8004在众多应用中展现出显著的优势,特别是在需要高性能和紧凑尺寸的场合中。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景分析:
    - 超高速直流-直流转换: 适用于需要高频、高效率的电源转换应用,如服务器电源、通信设备电源管理等。
    - 射频包络跟踪: 适用于无线通信设备,尤其是在需要精确控制功率和快速响应速度的应用中。
    - 无线充电: 适合用于便携式设备的无线充电系统,以提供更高的效率和更稳定的能量传输。
    使用建议:
    - 热管理: 由于较高的热阻抗,需要良好的散热设计以确保长时间稳定运行。
    - 电路布局: 注意电路布局,避免寄生效应,特别是对于高频应用,要保证足够的接地和去耦电容。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该产品可以与标准的电源管理和射频组件兼容,但具体兼容性需要根据具体应用场景进一步验证。
    支持和维护:
    - EPC提供详细的技术文档和专业的技术支持,以帮助用户正确安装和使用该产品。更多资源可以在EPC官网获取。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题: 电路噪声过大
    - 解决办法: 检查电路布局和去耦电容的放置,确保接地良好。
    - 问题: 过热问题
    - 解决办法: 使用合适的散热器或散热板,确保良好的热传导。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - EPC8004 eGaN® FET是一款高性能的增强模式功率晶体管,适用于多种应用场景,特别是在需要高效率和小尺寸的场合。其出色的性能和紧凑的设计使其成为当前市场上极具竞争力的产品。
    推荐:
    - 推荐使用EPC8004 eGaN® FET。它不仅具备卓越的性能,还提供了全面的技术支持和详细的文档,方便用户进行应用开发和故障排除。

EPC8004参数

参数
Idss-饱和漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
最大功率 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
Vgs-栅源极电压 6V,4V
最大功率耗散 -
栅极电荷 0.45nC@ 5 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 52pF@20V
击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@ 500mA,5V
Id-连续漏极电流 2.7A
配置 -
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

EPC8004厂商介绍

Efficient Power Conversion Corporation(EPC)是一家领先的增强型氮化镓(eGaN)功率管理集成电路(IC)制造商。EPC专注于开发和生产高性能的功率管理解决方案,其产品广泛应用于各种领域,包括汽车、工业、消费电子、电信和计算机等。

EPC的主营产品分类包括:

1. eGaN FETs(增强型氮化镓场效应晶体管):提供高效率、高频率和高功率密度的功率转换解决方案。
2. ICs(集成电路):包括电源管理IC、驱动器IC等,用于实现复杂的功率管理功能。
3. Power Management Solutions(功率管理解决方案):提供定制化的功率管理解决方案,以满足特定应用的需求。

EPC的优势在于:

1. 高性能:EPC的eGaN技术提供了业界领先的性能,包括高效率、高频率和高功率密度。
2. 可靠性:EPC的产品经过严格的测试和认证,确保在各种环境下的可靠性。
3. 创新:EPC不断投资于研发,以推动氮化镓技术的发展和应用。
4. 定制化:EPC提供定制化的解决方案,以满足客户的特定需求。

EPC通过其高性能的eGaN技术,为全球客户提供了创新的功率管理解决方案,推动了电力电子技术的发展。

EPC8004数据手册

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EFFICIENT POWER CONVERSION 氮化镓场效应管 EFFICIENT POWER CONVERSION EPC8004 EPC8004数据手册

EPC8004封装设计

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