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IRGPS40B120UDPBF

产品分类: IGBT单管
产品描述: 595W 3.39V 1.2KV 80A TO-274AA
供应商型号: SEC-IRGPS40B120UDPBF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 IRGPS40B120UDPBF

IRGPS40B120UDPBF概述


    产品简介


    IRGPS40B120UD 是一款绝缘栅双极型晶体管(IGBT),集成了一种超快速软恢复二极管。这种组合使得它在电机控制和其他高效率应用中表现出色。主要特点包括高耐压(1200V)、低导通电压(3.12V @ VGE = 15V, ICE = 40A)以及短路承受能力。适用于工业级应用,特别是在电机驱动、电源转换和变频器等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - Collector-to-Emitter Voltage (VCES): 1200V
    - Continuous Collector Current (IC):
    - TC = 25°C: 80A
    - TC = 100°C: 40A
    - Pulsed Collector Current (ICM): 160A
    - Diode Continuous Forward Current (IF):
    - TC = 25°C: 80A
    - TC = 100°C: 40A
    - Maximum Forward Current (IFM): 160A
    - Gate-to-Emitter Voltage (VGE): ±20V
    - Maximum Power Dissipation (PD):
    - TC = 25°C: 595W
    - TC = 100°C: 238W
    - Operating Junction Temperature Range (TJ): -55°C to +150°C
    - Storage Temperature Range (TSTG): -55°C to +150°C
    - 热阻
    - Junction-to-Case (RθJC):
    - IGBT: 0.20°C/W
    - Diode: 0.83°C/W
    - Case-to-Sink (RθCS): 0.24°C/W
    - Junction-to-Ambient (RθJA): 40°C/W
    - 其他参数
    - Internal Emitter Inductance (Le): 13nH
    - Weight (Wt): 6.0g

    产品特点和优势


    - 非穿透式IGBT技术:提高可靠性。
    - 低二极管正向电压降 (VFM):降低功耗。
    - 10µs短路能力:提供更安全的操作。
    - 方形反向偏置安全操作区 (RBSOA):确保在高电压下的稳定性。
    - 超软二极管反向恢复特性:减少电磁干扰 (EMI)。
    - 正向VCE温度系数:增强温度稳定性。
    - 超级247封装:提供更好的散热性能和紧凑设计。

    应用案例和使用建议


    IRGPS40B120UD 可用于各种工业应用,例如电机控制、电源转换和变频器。以下是一些具体的应用场景:
    - 电机控制:低导通电压和短路承受能力使其在电机控制中表现出色。
    - 电源转换:适合在高压环境下工作,如开关电源转换。
    - 变频器:良好的热稳定性和低损耗特性使其适用于变频器设计。
    使用建议:
    - 确保冷却系统有效,以避免过热。
    - 在设计电路时,考虑适当的栅极电阻 (RG) 值,以平衡开关速度和损耗。
    - 避免过载使用,特别是在高温环境下。

    兼容性和支持


    IRGPS40B120UD 支持多种电压和电流范围,可以与其他标准IGBT驱动器兼容。厂商提供详细的技术支持和文档,包括热管理指南和故障排除手册,确保客户能够正确使用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 设备过热。
    - 解决办法: 检查散热系统是否正常工作,确保有足够的散热面积。

    - 问题: 开关频率过高导致损耗增加。
    - 解决办法: 选择合适的栅极电阻 (RG),并优化电路布局以减少杂散电感。
    - 问题: 输出电压不稳定。
    - 解决办法: 确认输入电源稳定,并检查负载是否匹配。

    总结和推荐


    IRGPS40B120UD 是一款高度可靠的IGBT,具备多种优秀特性,特别适用于需要高效率和高性能的工业应用。无论是电机控制还是电源转换,它的表现都十分出色。尽管价格可能略高于普通IGBT,但考虑到其优异的性能和可靠性,推荐在关键应用中使用。

IRGPS40B120UDPBF参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 1.2KV
最大集电极发射极饱和电压 3.39V
配置 -
集电极电流 80A
最大功率耗散 595W
通用封装 TO-274AA

IRGPS40B120UDPBF厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRGPS40B120UDPBF数据手册

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IRGPS40B120UDPBF封装设计

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