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IKY40N120CH3

产品分类: IGBT单管
产品描述: 500W 2V 1.2KV 80A TO-247-4
供应商型号: IKY40N120CH3
供应商: 国内现货
标准整包数: 240
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 IKY40N120CH3

IKY40N120CH3概述

    IKY40N120CH3 高速开关系列第三代IGBT 技术手册

    1. 产品简介


    IKY40N120CH3 是英飞凌推出的第三代高速开关系列绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该产品结合了高效能、低损耗的高速H3技术与快速恢复的全电流等级反向并联二极管,具有正温度系数,适用于硬开关和共振拓扑结构,是工业UPS、充电器、储能系统及三电平太阳能串式逆变器等多种应用场景的理想选择。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-发射极电压 (VCE):1200V
    - 直流集电极电流 (IC):40A(在 Tc = 25°C 时);80A(在 Tc = 134°C 时)
    - 脉冲集电极电流 (ICpuls):160A
    - 发射极二极管正向电流 (IF):40A(在 Tc = 25°C 时);80A(在 Tc = 100°C 时)
    - 发射极二极管脉冲电流 (IFpuls):160A
    - 门极-发射极电压 (VGE):±20V
    - 短路耐受时间 (tSC):10μs
    - 功率耗散 (Ptot):在 Tc = 25°C 时为 500W,在 Tc = 134°C 时为 136W
    - 工作结温 (Tvj):-40°C 到 +175°C
    - 存储温度 (Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 焊接温度:波峰焊接时在 1.6mm 处为 260°C
    - 热阻抗
    - IGBT 结至外壳热阻 (Rth(j-c)):典型值 0.30 K/W
    - 二极管结至外壳热阻 (Rth(j-c)):典型值 0.50 K/W
    - 结至环境热阻 (Rth(j-a)):40 K/W
    - 电气特性
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CES):1200V
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCEsat):典型值 2.35V(Tvj = 25°C),最大值 2.50V(Tvj = 175°C)
    - 发射极二极管正向电压 (VF):典型值 2.30V(Tvj = 25°C),最大值 2.35V(Tvj = 175°C)
    - 门极-发射极阈值电压 (VGE(th)):典型值 5.1V
    - 门极-发射极漏电流 (IGES):典型值 100nA
    - 输入电容 (Cies):2385pF
    - 输出电容 (Coes):235pF
    - 反向传输电容 (Cres):132pF
    - 门极电荷 (QG):典型值 190nC

    3. 产品特点和优势


    IKY40N120CH3 的独特功能和优势包括:
    - 高效的 Kelvin 接法,使得开关损耗降至最低。
    - 适用于硬开关和共振拓扑结构。
    - 10µsec 短路耐受时间。
    - 正温度系数的集电极-发射极电压 (VCE),有利于并联运行。
    - 低电磁干扰 (EMI) 和低门极电荷 (QG)。
    - 快速恢复的全电流等级反向并联二极管。
    - 最大结温达到 175°C。
    - RoHS 合规,无铅镀层。

    4. 应用案例和使用建议


    - 工业 UPS: 适合用于不间断电源系统,以提高系统的可靠性和效率。
    - 充电器: 适用于充电器电路,减少能量损耗并提高充电效率。
    - 储能系统: 在储能系统中,减少能量损失,提高整体系统性能。
    - 三电平太阳能串式逆变器: 用于提高逆变器效率和可靠性,同时降低系统成本。
    使用建议:
    - 建议在高频开关应用中采用适当的散热措施,确保良好的热管理。
    - 避免超过最大额定值操作,以延长使用寿命和可靠性。
    - 结合实际应用场景,合理设置门极电阻,优化开关时间和能量损耗。

    5. 兼容性和支持


    IKY40N120CH3 与多种电子元器件和设备具有良好的兼容性,可通过 Infineon Technologies AG 提供的技术支持和维护来确保其最佳性能。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何避免过热?
    A: 确保良好的热管理,使用合适的散热器并遵守最大功率耗散额定值。

    - Q: 如何正确设置门极电阻?
    A: 参考技术手册中的动态测试电路图,根据实际应用场景调整门极电阻以优化开关性能。

    - Q: 如何避免短路?
    A: 使用适当的保护电路和监测系统,定期检查连接状态,确保电路安全。

    7. 总结和推荐


    IKY40N120CH3 是一款高性能、低损耗的第三代IGBT,适用于多种工业应用。其独特的技术和优势使其在市场上具备很强的竞争力。强烈推荐给需要高效率和低能耗的工业客户。如果您对高效能IGBT感兴趣,IKY40N120CH3 绝对是一个值得考虑的选择。

IKY40N120CH3参数

参数
配置 -
集电极电流 80A
最大功率耗散 500W
VCEO-集电极-发射极最大电压 1.2KV
最大集电极发射极饱和电压 2V
通用封装 TO-247-4
包装方式 管装

IKY40N120CH3厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IKY40N120CH3数据手册

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IKY40N120CH3封装设计

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