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IHW20N135R5

产品分类: IGBT单管
产品描述: 288KW 1.65V 独立式 1.35KV 40mA TO-247 导线安装,通孔安装
供应商型号: 26M-IHW20N135R5
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 IHW20N135R5

IHW20N135R5概述


    产品简介


    IHW20N135R5 是一款专为谐振开关应用设计的逆导型IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),并集成了单片体二极管。它采用 TRENCHSTOPTM 技术,具有低饱和电压(VCEsat)和高可靠性的特点。这款IGBT广泛应用于感应加热、变频微波炉、谐振转换器和软开关应用等领域。

    技术参数


    - 最高电压 (Collector-emitter voltage, VCE): 1350V
    - 最大直流电流 (DC collector current, IC): 20A (Tc=25°C),40.0A (Tc=100°C)
    - 最大脉冲电流 (Pulsed collector current, ICpuls): 60.0A
    - 非重复峰值集电极电流 (Non repetitive peak collector current, ICSM): 200A
    - 工作结温 (Operating junction temperature, Tvj): -40°C ~ +175°C
    - 存储温度 (Storage temperature, Tstg): -55°C ~ +150°C
    - 功率损耗 (Power dissipation, Ptot): Tc=25°C 时为 288.0W,Tc=100°C 时为 144.0W
    - 热阻 (Thermal Resistance):
    - IGBT 热阻 (junction-case, Rth(j-c)): 0.52 K/W
    - 二极管热阻 (junction-case, Rth(j-c)): 0.52 K/W
    - 结-环境热阻 (junction-ambient, Rth(j-a)): 40 K/W

    产品特点和优势


    IHW20N135R5 的主要特点如下:
    - 高击穿电压: 1350V,提升了可靠性。
    - 低正向电压: 集成的单片体二极管具有低正向电压,适用于软换相。
    - TRENCHSTOPTM 技术: 提供非常紧密的参数分布、高鲁棒性和温度稳定行为。
    - 低 EMI: 能够降低电磁干扰。
    - 无铅镀层: 符合 RoHS 规范。
    - 无卤材料: 符合 IEC 61249-2-21 标准。
    这些特点使其在谐振开关应用中表现出色,适用于要求高性能和高可靠性的场合。

    应用案例和使用建议


    IHW20N135R5 在多个领域有着广泛应用,例如:
    - 感应加热:IGBT可以用于驱动高频加热装置。
    - 变频微波炉:确保高效的功率控制。
    - 谐振转换器:提高效率并减少损耗。
    使用建议:
    - 应用设计: 在高频开关应用中,应注意散热设计,避免因过热导致性能下降。
    - 匹配外围元件: 确保IGBT与外部电路(如门极电阻)的匹配,以优化开关性能。
    - 监测环境条件: 特别是在高温环境中使用时,要定期监测结温,避免超过最大额定值。

    兼容性和支持


    IHW20N135R5 可与常见的谐振转换器和变频器兼容,厂商提供了全面的产品线和技术支持,包括PSpice模型下载([http://www.infineon.com/igbt/](http://www.infineon.com/igbt/))。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 如何选择合适的门极电阻?
    - 解答: 门极电阻的选择取决于具体的应用需求和电路配置。建议参考厂商提供的参考设计和测试结果,进行合理的计算和测试验证。
    - 问题: 如何监测IGBT的温度?
    - 解答: 可通过外部温度传感器或者内置的温度监控功能来监测IGBT的结温。确保不超过最高工作温度限制,必要时增加散热措施。

    总结和推荐


    综上所述,IHW20N135R5 是一款优秀的逆导型IGBT,特别适合于需要高可靠性和高性能的谐振开关应用。其紧凑的封装和优越的电气特性使其在市场上具有很高的竞争力。对于需要高精度、低损耗的工业和家电应用,强烈推荐使用此产品。

IHW20N135R5参数

参数
最大功率耗散 288KW
VCEO-集电极-发射极最大电压 1.35KV
最大集电极发射极饱和电压 1.65V
配置 独立式
集电极电流 40mA
16.3mm(Max)
5.21mm(Max)
21.1mm(Max)
通用封装 TO-247
安装方式 导线安装,通孔安装
包装方式 管装

IHW20N135R5厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IHW20N135R5数据手册

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IHW20N135R5封装设计

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50+ ¥ 8.0882
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