处理中...

首页  >  产品百科  >  IRGP30B60KD-EP

IRGP30B60KD-EP

产品分类: IGBT单管
产品描述: 英飞凌 IGBT, 最大 600 V, 最大 60 A
供应商型号: 9074851P
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 IRGP30B60KD-EP

IRGP30B60KD-EP概述


    产品简介


    产品类型: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合超快软恢复二极管
    主要功能: 该产品是一款采用非穿透式IGBT技术设计的绝缘栅双极晶体管,具备低导通电压(VCE(on))和低二极管正向压降(VF)。它具有优秀的电流共享能力和并联操作稳定性,同时能够承受高达10微秒的短路情况。
    应用领域: 这种IGBT适用于电机控制、电源转换、工业自动化等多个领域,特别适合需要高效率和低电磁干扰的应用场景。

    技术参数


    - Collector-to-Emitter Voltage (VCES):600V
    - Continuous Collector Current (IC):30A (TC=100°C)
    - Pulsed Collector Current (ICM):120A
    - Diode Continuous Forward Current (IF):30A (TC=100°C)
    - Diode Maximum Forward Current (IFM):120A
    - Gate-to-Emitter Voltage (VGE):±20V
    - Maximum Power Dissipation (PD):122W (TC=100°C)
    - Operating Junction and Storage Temperature Range (TJ & TSTG):-55°C to +150°C
    - Weight (Wt):6.0g
    热阻参数:
    - Junction-to-Case (RθJC):IGBT - 0.41°C/W, Diode - 1.32°C/W
    - Case-to-Sink (RθCS):0.24°C/W
    - Junction-to-Ambient (RθJA):40°C/W
    绝对最大额定值:
    - Collector-to-Emitter Breakdown Voltage (V(BR)CES):600V
    - Gate Threshold Voltage (VGE(th)):3.5V to 5.5V
    - Diode Forward Voltage Drop (VFM):1.30V to 1.55V (IF=30A)

    产品特点和优势


    - 低VCE(on):采用非穿透式IGBT技术,保证低导通电压和高效率。
    - 正温度系数:具有正温度系数的VCE(on),确保并联操作时良好的电流共享能力。
    - 平方RBSOA:提供全平方反向偏置安全操作区域,提高可靠性。
    - 软恢复二极管:软恢复二极管特性减少了开关损耗和电磁干扰(EMI)。
    - TO-247AD封装:符合无铅标准,适用于高温应用环境。

    应用案例和使用建议


    - 电机控制:该产品在电机控制应用中表现出色,能够在高压环境下实现高效的功率转换。
    - 并联操作:对于需要并联多个IGBT的场合,其正温度系数有助于均匀分布电流,减少热失控的风险。
    - 工业自动化:在工业自动化设备中,可以显著降低电磁干扰,提高系统的稳定性和可靠性。
    使用建议:
    - 散热管理:为了保持设备长期稳定运行,应合理设计散热系统,确保IGBT工作在安全温度范围内。
    - 驱动电路:适当选择合适的门极电阻(Rg),以优化开关速度和减少开关损耗。
    - 保护电路:建议添加钳位二极管和其他必要的保护措施,以防止瞬态过压对IGBT造成损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品与多种控制芯片和电路板兼容,能够方便地集成到现有系统中。
    - 支持服务:制造商提供了详尽的技术文档和支持,帮助客户快速解决问题,提高应用效率。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:IGBT发热严重
    - 解决方案:检查散热片安装是否正确,必要时增加散热面积,确保IGBT工作温度不超过额定范围。

    - 问题二:开关损耗大
    - 解决方案:通过调整门极电阻(Rg)来优化开关速度,减小关断时间(td(off))和上升时间(tr)。

    - 问题三:电磁干扰严重
    - 解决方案:添加适当的滤波电容和接地,减少干扰源的影响。

    总结和推荐


    IRGP30B60KD-EP是一款出色的绝缘栅双极晶体管,适用于各种工业应用。其具备高效率、低电磁干扰、可靠性强等特点,是电机控制和工业自动化领域的理想选择。我们强烈推荐此产品给需要高性能功率控制解决方案的用户。

IRGP30B60KD-EP参数

参数
最大功率耗散 304W
VCEO-集电极-发射极最大电压 600V
最大集电极发射极饱和电压 1.95V
配置 独立式
集电极电流 60A
15.87mm(Max)
5.31mm(Max)
20.7mm(Max)
通用封装 TO-247AD
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

IRGP30B60KD-EP厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IRGP30B60KD-EP数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT单管 INFINEON TECHNOLOGIES IRGP30B60KD-EP IRGP30B60KD-EP数据手册

IRGP30B60KD-EP封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 56.3575
15+ ¥ 53.5285
500+ ¥ 45.1201
1250+ ¥ 42.864
库存: 0
起订量: 10 增量: 0
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
2MBI100VA-060-50 ¥ 0
2MBI150VA-060-50 ¥ 211.875
2MBI200VA-060-50 ¥ 240.125
5302DG-AA3-R ¥ 0.2782
AOK20B135E1 ¥ 0
AOK30B120D2 ¥ 25.4542
AOK30B60D1 ¥ 18.252
AOK40B120H1 ¥ 20.7581
AOK60B60D1 ¥ 30.2728
AOT10B60D ¥ 9.5665