处理中...

首页  >  产品百科  >  STGWA25M120DF3

STGWA25M120DF3

产品分类: IGBT单管
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 375W 1.85V 独立式 2.3V@ 15V,25A 50A TO-247 通孔安装 15.8mm*5mm*21mm
供应商型号: UA-STGWA25M120DF3
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
STMICROELECTRONICS IGBT单管 STGWA25M120DF3

STGWA25M120DF3概述


    产品简介


    产品名称:STGW25M120DF3
    产品类型:IGBT(绝缘栅双极型晶体管)
    主要功能:
    - 具备低导通损耗,能够在高频率下高效工作。
    - 高温度耐受能力,适用于工业级驱动应用。
    - 包含软恢复和快恢复二极管,提高系统整体性能。
    应用领域:
    - 工业驱动装置
    - 不间断电源 (UPS)
    - 太阳能发电系统
    - 焊接设备

    技术参数


    电气额定值
    - 集电极-发射极电压:VCES = 1200 V
    - 持续集电极电流:TC = 25 °C 时为 50 A,TC = 100 °C 时为 25 A
    - 脉冲集电极电流:ICP(1) = 100 A
    - 门极-发射极电压:±20 V
    - 暂态门极-发射极电压:±30 V
    - 正向持续电流:TC = 25 °C 时为 50 A,TC = 100 °C 时为 25 A
    - 正向脉冲电流:IFP(1) = 100 A
    - 总功率耗散:TC = 25 °C 时为 375 W
    - 存储温度范围:-55 到 150 °C
    - 工作结温范围:-55 到 175 °C
    热数据
    - 结-壳热阻:RthJC (IGBT) = 0.4 °C/W
    - 结-壳热阻(二极管):RthJC (二极管) = 0.96 °C/W
    - 结-环境热阻:RthJA = 50 °C/W

    产品特点和优势


    产品特点:
    - 最大结温可达 175 °C
    - 10 μs 的短路耐受时间
    - 典型条件下,饱和电压 VCE(sat) 仅为 1.85 V(@ IC = 25 A)
    - 高参数分布一致性
    - 正饱和电压温度系数,方便并联操作
    - 低热阻
    - 软恢复和快速恢复反向并联二极管
    优势:
    - 高可靠性,可在极端条件下稳定运行
    - 适合需要高性能和高效率的工业应用
    - 提供更高的系统安全性,特别是当多个 IGBT 并联使用时

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在工业驱动装置中作为控制元件,如电机调速和位置控制
    - 用于 UPS 系统,提供高效的能量转换和储能管理
    - 太阳能逆变器中的关键组件,实现高效能量转换
    - 焊接设备中实现精确控制和高能量输出
    使用建议:
    - 在设计电路时应考虑散热措施,避免因过热而导致性能下降或损坏
    - 根据具体应用场景选择合适的驱动电路参数,确保 IGBT 在最佳状态下工作
    - 定期检查和维护,以保持系统稳定性

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与标准 TO-247 封装兼容,易于集成到现有系统中
    - 与大多数标准 PCB 设计兼容
    支持和服务:
    - 厂商提供详细的技术文档和支持服务,可通过官方网站获得最新信息和更新
    - 如有任何问题,可联系本地 STMicroelectronics 销售办公室寻求帮助

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 问:如何选择合适的驱动电阻?
    答: 根据具体应用需求和 IGBT 的开关速度来选择。参考手册中的图表和数据表,可以找到合适的电阻值。
    2. 问:如何处理热问题?
    答: 使用散热器或冷却系统进行有效的散热。确保系统的散热设计符合 IGBT 的热要求。
    3. 问:IGBT 是否支持脉冲电流?
    答: 支持,但需要注意脉冲电流的持续时间和最大值,以防止过热损坏。

    总结和推荐


    总结:
    STGW25M120DF3 是一款高性能、高可靠性的 IGBT,特别适用于需要高频率、高效率的应用场合。它具有低导通损耗、高温度耐受能力和优异的参数一致性。它的应用广泛,包括工业驱动装置、UPS 和太阳能系统等。
    推荐:
    强烈推荐在需要高效率和高可靠性应用中使用 STGW25M120DF3。它具备出色的性能表现和广泛的应用场景,是理想的解决方案。

STGWA25M120DF3参数

参数
集电极电流 50A
最大功率耗散 375W
VCEO-集电极-发射极最大电压 2.3V@ 15V,25A
最大集电极发射极饱和电压 1.85V
配置 独立式
长*宽*高 15.8mm*5mm*21mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

STGWA25M120DF3厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STGWA25M120DF3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
STMICROELECTRONICS IGBT单管 STMICROELECTRONICS STGWA25M120DF3 STGWA25M120DF3数据手册

STGWA25M120DF3封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 2.5 ¥ 20.95
117+ $ 2.45 ¥ 20.531
433+ $ 2.35 ¥ 19.693
1272+ $ 2.15 ¥ 18.017
库存: 550
起订量: 51 增量: 30
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 20.95
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
2MBI150VA-060-50 ¥ 211.875
2MBI200VA-060-50 ¥ 240.125
5302DG-AA3-R ¥ 0.2782
AOD5B65MQ1E ¥ 3.5196
AOK20B60D1 ¥ 21.087
AOK30B120D2 ¥ 24.1973
AOK30B60D1 ¥ 16.9084
AOK60B60D1 ¥ 29.5395
AOT10B60D ¥ 9.2979
AOT20B65M1 ¥ 7.6109