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STGW60H65DFB

产品分类: IGBT单管
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: 意法半导体 IGBT, 最大 650 V, 最大 80 A
供应商型号: 2629740
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
STMICROELECTRONICS IGBT单管 STGW60H65DFB

STGW60H65DFB概述


    产品简介


    本产品为STGW60H65DFB、STGWA60H65DFB 和 STGWT60H65DFB 系列的高效率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。这些IGBT采用了先进的沟槽栅场终止结构,旨在实现最优的导通损耗和开关损耗平衡,以提高任何频率转换器的效率。该系列特别适用于光伏逆变器和高频转换器等领域,具备高开关速度、低饱和电压和最小化尾电流等特点。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: |
    | VCES | 集电极-发射极电压 (VGE = 0 V) | 650 | V |
    | IC | 持续集电极电流 (TC = 25 °C) | 80 (1) | A |
    | IC | 持续集电极电流 (TC = 100 °C) | 60 | A |
    | ICP (2)(3) | 脉冲集电极电流 | 240 | A |
    | VGE | 栅极-发射极电压 | ±20 | V |
    | VT | 暂态栅极-发射极电压 (tP ≤ 10 μs) | ±30 | V |
    | IF | 持续正向电流 (TC = 25 °C) | 80 (1) | A |
    | IF | 持续正向电流 (TC = 100 °C) | 60 | A |
    | IFT (2)(3) | 脉冲正向电流 | 240 | A |
    | PTOT | 总功率耗散 (TC = 25 °C) | 375 | W |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 至 150 | °C |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 至 175 | °C |
    热数据
    | 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: |
    | RthJC | 结壳热阻 (IGBT) | 0.4 | °C/W |
    | RthJC | 结壳热阻 (二极管) | 1.14 | °C/W |
    | RthJA | 结环境热阻 | 50 | °C/W |

    产品特点和优势


    1. 最大结温:最高结温可达175°C。
    2. 高速开关系列:具有高开关速度。
    3. 最小化尾电流:有助于降低能耗。
    4. 低饱和电压:饱和电压为1.6V(典型值)@IC=60A。
    5. 紧密参数分布:确保产品的一致性和可靠性。
    6. 安全并联:具备正VCE(sat)温度系数,使得并联操作更安全。
    7. 低热阻:有利于散热管理。
    8. 快速软恢复反向并联二极管:提高整体性能。

    应用案例和使用建议


    该IGBT系列广泛应用于光伏逆变器和高频转换器等领域。例如,在光伏逆变器中,这些IGBT能够有效地将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。此外,它们还可以用于电动机驱动系统和电源转换装置等场合。建议根据具体应用场景选择合适的封装形式(如TO-247、TO-247长引脚或TO-3P),并在使用时注意热管理,以保证其长期稳定运行。

    兼容性和支持


    这些产品有多种不同的封装形式,包括TO-247、TO-247长引脚和TO-3P。它们可以与各种其他电子元器件和设备轻松配合使用。ST公司提供了详尽的技术文档和售后支持,包括定期的软件更新和技术咨询,帮助用户更好地利用这些产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 在高负载条件下,IGBT是否会过热?
    A: 为了防止过热,应合理控制电流,避免长时间处于极限工作状态。另外,确保良好的散热措施,如使用散热片或散热器,可以帮助有效散热。
    2. Q: 如何减少反向恢复时间?
    A: 选择适当的驱动电路和参数设置,可减小反向恢复时间。通常可以通过调整驱动电阻、改善PCB布局等方式来达到此目的。
    3. Q: 这些IGBT能否在低温环境下正常工作?
    A: 是的,这些IGBT可在-55°C至175°C的工作结温范围内稳定工作。然而,在极端低温条件下使用时,仍需关注潜在的物理损伤风险。

    总结和推荐


    总的来说,STGW60H65DFB、STGWA60H65DFB和STGWT60H65DFB系列IGBT凭借其优异的电气性能和广泛的应用范围,在电力电子领域有着出色的表现。它们尤其适合需要高效能、高可靠性的场合。鉴于其卓越的特点和广泛的适用性,我们强烈推荐这些IGBT产品给相关领域的工程师和设计师们。
    请注意,本文档中的所有信息均基于制造商提供的数据,具体应用时请参阅最新的产品手册。

STGW60H65DFB参数

参数
配置 独立式
集电极电流 80A
最大功率耗散 375W
VCEO-集电极-发射极最大电压 650V
最大集电极发射极饱和电压 1.65V
15.75mm(Max)
5.15mm(Max)
24.45mm(Max)
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

STGW60H65DFB厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

STGW60H65DFB数据手册

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STMICROELECTRONICS IGBT单管 STMICROELECTRONICS STGW60H65DFB STGW60H65DFB数据手册

STGW60H65DFB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 29.3618
10+ ¥ 26.3082
100+ ¥ 25.3686
500+ ¥ 25.3686
1000+ ¥ 25.3686
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